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阻擋層疊層、用于制造阻擋層疊層的方法以及超高阻擋層與抗反射系統(tǒng)與流程

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阻擋層疊層、用于制造阻擋層疊層的方法以及超高阻擋層與抗反射系統(tǒng)與制造工藝

本公開(kāi)的實(shí)施例關(guān)于阻擋層疊層、用于制造阻擋層疊層的方法以及超高(ultra-high)阻擋層與抗反射系統(tǒng)。



背景技術(shù):

當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件(Organic light emitting devices,OLED)暴露至水蒸汽或氧氣時(shí),會(huì)遭受輸出降低或過(guò)早失效。若干阻擋層系統(tǒng)已用于保護(hù)OLED器件免受此類(lèi)水蒸汽或氧氣的影響。例如,由于玻璃無(wú)彈性,因此當(dāng)使用玻璃來(lái)封裝OLED器件時(shí),OLED器件的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性遭損壞。

需要一種克服上述方面中的至少一些方面的阻擋系統(tǒng),例如,在基板(諸如,彈性聚合物基板)上的阻擋系統(tǒng)。特別是需要一種相比常規(guī)結(jié)構(gòu)具有增強(qiáng)的光學(xué)性能的阻擋系統(tǒng)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

鑒于上述內(nèi)容,提供一種阻擋層疊層、一種用于制造阻擋層疊層的方法以及超高阻擋層和抗反射系統(tǒng)。通過(guò)權(quán)利要求書(shū)、說(shuō)明書(shū)和所附附圖,本公開(kāi)的進(jìn)一步的方面、優(yōu)點(diǎn)和特征可顯而易見(jiàn)。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面,提供一種阻擋層疊層。阻擋層疊層包括依序布置的第一層、第二層、第三層和第四層。第一層與第三層具有至少1.9的折射率,并且第二層與第四層具有小于1.7的折射率。所述層中的每一層都具有至少70nm的厚度。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面,提供用于制造阻擋層疊層的方法。所述方法包括以下步驟:在基板上交替地沉積第一層材料與第二層材料以形成至少四層,其中第一層材料具有至少1.9的折射率,其中第二層材料具有小于1.7的折射率,并且其中所述層中的每一層都具有至少70nm的厚度。

根據(jù)本公開(kāi)的更進(jìn)一步的方面,提供超高阻擋層和抗反射系統(tǒng)。超高阻擋層和抗反射系統(tǒng)包括基板以及在所述基板上方的層疊層。層疊層包括依序布置的第一層、第二層、第三層和第四層。第一層與第三層具有至少1.9的折射率,并且第二層與第四層具有小于1.7的折射率。所述層中的每一層都具有至少70nm的厚度。

實(shí)施例也針對(duì)用于實(shí)行所公開(kāi)的方法的設(shè)備,并且包括用于執(zhí)行每一個(gè)所述方法步驟的設(shè)備部件。這些方法步驟可通過(guò)硬件組件的方式、由合適的軟件編程的計(jì)算機(jī)、通過(guò)這兩者的任何組合或以任何其他方法來(lái)執(zhí)行。再者,根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例也是針對(duì)所述設(shè)備的操作方法。這包括用于執(zhí)行設(shè)備的每一個(gè)功能的方法步驟。

附圖說(shuō)明

因此,為了可詳細(xì)地理解本公開(kāi)的上述特征的方式,可參考實(shí)施例具體描述上文簡(jiǎn)要概述的本公開(kāi)。附圖關(guān)于本公開(kāi)的實(shí)施例,并且在下文中進(jìn)行描述:

圖1A-C示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的阻擋層疊層的剖面圖;

圖2示出根據(jù)本文中所述的進(jìn)一步的實(shí)施例的阻擋層疊層的剖面圖;

圖3示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的阻擋層疊層的反射率的曲線圖;

圖4示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的用于制造阻擋層疊層的沉積設(shè)備的示意圖;以及

圖5示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的用于制造阻擋層疊層的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本公開(kāi)的各種實(shí)施例,在附圖中闡釋這些實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)示例。在以下對(duì)于附圖的描述中,相同的元件符號(hào)指示相同的元件。一般而言,僅描述相對(duì)于個(gè)別實(shí)施例的不同之處。每一個(gè)示例以解釋本公開(kāi)的方式來(lái)提供,并且不旨在作為對(duì)本公開(kāi)的限制。此外,闡釋或描述為一個(gè)實(shí)施例的部分的特征可用于其他實(shí)施例或可與其他實(shí)施例一同使用,以產(chǎn)生更進(jìn)一步的實(shí)施例。本說(shuō)明書(shū)旨在包括此類(lèi)修改與變型。

層疊層可用于光學(xué)應(yīng)用中(例如,對(duì)OLED的保護(hù)),然而它們會(huì)減小特別是在可見(jiàn)光譜中的透過(guò)率,并且會(huì)產(chǎn)生不期望的顏色。本公開(kāi)通過(guò)提供具有組合的阻擋和抗反射性質(zhì)的阻擋層疊層來(lái)克服此缺點(diǎn)。根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的阻擋層疊層可具有色中性(color neutrality),所述色中性提供阻擋層疊層的改善的光學(xué)特性。

雖然到目前為止已提到OLED應(yīng)用,但是本公開(kāi)的阻擋層疊層也可用在不同的應(yīng)用中。作為示例,本公開(kāi)的阻擋層疊層可用在包裝領(lǐng)域中,例如,對(duì)需要高氧氣保護(hù)的食物(例如,新鮮的面食、切成薄片的肉、干燥的水果或點(diǎn)心)的包裝。阻擋層疊層可提供氣體阻擋與透明的性質(zhì)以提供產(chǎn)品的可見(jiàn)性。

本公開(kāi)關(guān)于具有低水蒸汽與氧氣穿透率的阻擋層系統(tǒng),并且特別關(guān)于超高阻擋層系統(tǒng)(ultra-high barrier layer system;UHB)。本公開(kāi)的阻擋層疊層包括交替層(alternating layer)(二合一層(diade)),并且特別是包括至少四層。各個(gè)層的厚度為至少70nm,特別地,在70nm至300nm的范圍中,更特別地,在100nm至150nm的范圍中。各個(gè)層的厚度和/或光學(xué)性質(zhì)可以是不同的。阻擋層疊層可包括具有低折射率和高折射率的至少兩種材料。阻擋層疊層種的至少一些可以是電介質(zhì)層。根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,第一層、第二層、第三層和進(jìn)一步的層是電介質(zhì)層。在一些實(shí)現(xiàn)方式中,阻擋層疊層的所有層都是電介質(zhì)層。

根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,最上層(theuppermost layer)(即,布置在例如基板上方的最后層(the last layer)(諸如,第四層)具有低折射率。帶有具有低折射率的最上層的阻擋層疊層提供改善的光學(xué)特性。

本公開(kāi)的一方面用于提供各層的層厚度(layer thickness)以提供透過(guò)率,所述透過(guò)率例如高于層疊層設(shè)置于其上的(未涂覆的(uncoated))基板的透過(guò)率。具體而言,本公開(kāi)的一方面用于提供透過(guò)率,所述透過(guò)率高于(未涂覆的)基板在可見(jiàn)區(qū)域中的透過(guò)率。

本公開(kāi)提供具有抗反射性質(zhì)的阻擋層疊層。根據(jù)一些實(shí)施例,具有四層的阻擋層疊層(barrier layer stack)可稱(chēng)為NONO,具有五層的阻擋層疊層可稱(chēng)為NONON,而具有六層的阻擋層疊層可稱(chēng)為NONONO。符號(hào)N與O可表示層的材料。在一些實(shí)現(xiàn)方式中,符號(hào)N表示具有高折射率的材料或?qū)?例如,SiNx),而符號(hào)O表示具有低折射率的材料或?qū)?例如,SiOx)。低折射率可在1.4至1.6的范圍中,具體地,約n=1.46。然而,可以理解的是,本公開(kāi)并不限于SiNx與SiOx,并且具有至少1.9的高折射率與小于1.7的低折射率的任何合適的材料可分別用于具有高折射率的層與具有低折射率的層。一些示例可以是具有高折射率與低折射率的絕緣材料,例如,SiOx、TiOx、NbOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TaOx、有機(jī)材料(諸如,聚合物材料),以及上述各項(xiàng)的組合。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中,具有高折射率與低折射率的材料的消光系數(shù)可以是小的。折射率(index of refraction)和消光系數(shù)(extinction coefficient)分別為復(fù)折射率(complex index of refraction)的實(shí)部和虛部。具體而言,當(dāng)光穿過(guò)介質(zhì)時(shí),光的一些部分將被吸收。這可通過(guò)將復(fù)折射率定義為等于n+ik來(lái)描述。實(shí)部“n”指示相速(phase velocity),而虛部“ik”指示當(dāng)電磁波穿過(guò)通過(guò)材料時(shí)吸收損失的量。

術(shù)語(yǔ)材料或光學(xué)介質(zhì)的“折射率(refractive index(或index of refraction))”n描述光或任何其他輻射如何傳播通過(guò)材料傳播的無(wú)量綱數(shù)(dimensionlessnumber)。它被定義為n=c/v,其中c是光在真空中的速度,v是光在材料中的速度。

根據(jù)一些實(shí)施例,憑借本公開(kāi)的優(yōu)化的層系統(tǒng),NONO/NONONO設(shè)計(jì)的透過(guò)可增強(qiáng)為高于例如未涂覆的PET的透過(guò)率。相比未優(yōu)化的NONON/NONONON設(shè)計(jì),(絕對(duì))透過(guò)率增益可在約4%至約6%的范圍中(例如,將透過(guò)率(Ty)從約88%增加至約92-94%。對(duì)比/彩色差異可以是b*<0.3(b*值由國(guó)際照明委員會(huì)(International Commission on Illumination;CIE)于1976年所定義)。

圖1A-C示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的阻擋層疊層。根據(jù)一些實(shí)施例,當(dāng)前實(shí)施例的層疊層由一個(gè)在另一個(gè)的頂上形成(例如,通過(guò)沉積)的數(shù)個(gè)膜構(gòu)成。

在圖1A中描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的阻擋層疊層10。阻擋層疊層10包括依序布置的第一層11、第二層12、第三層13與第四層14。第一層11與第三層13具有至少1.9的折射率,并且第二層12與第四層14具有小于1.7的折射率。層11至14中的每一層都具有至少70nm的厚度。

第一層11與第三層13具有至少1.9的折射率的,第二層12與第四層14具有小于1.7的折射率的,并且層11至14中的每一層都具有至少70nm的厚度,這提供了具有組合的阻擋和抗反射功能的阻擋層疊層。

根據(jù)能與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,阻擋層疊層可包括在第四層14上方的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)一步的層,具體而言,如分別在圖1B和圖1C中示出的第五層或者第五層與第六層。

在圖1B中,描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的阻擋層疊層20。阻擋層疊層20與圖1的阻擋層疊層10類(lèi)似,區(qū)別在于,第五層15布置在第四層14上方。

在第1C中,描繪了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的阻擋層疊層30。阻擋層疊層30與圖2的阻擋層疊層20類(lèi)似,區(qū)別在于,第六層16布置在第五層15上方。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中,奇數(shù)層具有至少1.9的折射率,而偶數(shù)層具有小于1.7的折射率。貫穿本申請(qǐng)所使用的術(shù)語(yǔ)“奇數(shù)”與“偶數(shù)”是指數(shù)學(xué)上的奇偶性(parity),即,如果整數(shù)可被2整除,則此整數(shù)為偶數(shù),而如果整數(shù)不是偶數(shù),則此整數(shù)為奇數(shù)。作為示例,奇數(shù)層可以是第一、第三、第五等層,而偶數(shù)層可以是第二、第四、第六等層。

奇數(shù)層具有至少1.9的折射率的,偶數(shù)層具有小于1.7的折射率,并且每一層都具有至少70nm的厚度,這提供具有組合的阻擋和抗反射功能的阻擋層疊層。

如本申請(qǐng)中提及的第一至第六層、奇數(shù)層和偶數(shù)層是提供阻擋和抗反射功能的層,即,具有至少1.9的折射率或小于1.7的折射率以及至少70nm的厚度的層。因此,編號(hào)排除可額外提供的其他層(諸如,晶種(seed)層、硬涂層(hard coating)、粘附層(adhesive layers),等等)。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中,阻擋層疊層的水蒸汽穿透速率(water vapor transmission rate;WVTR;單位為每平方厘米、每天的克數(shù)(in units of g per cm2 and day))和/或氧穿透速率(oxygen transmission rate;OTR)小于10-4,特別地,小于10-5,更特別地,約10-6。阻擋層疊層的透過(guò)率可以是至少85%,特別,高于90%。作為示例,包括至少四層以及基板的阻擋層疊層可具有在87%至95%的范圍內(nèi)的穿透率,特別地,88%或89%,更特別地,93%或94%。

作為示例,奇數(shù)層可具有約至少1.9的折射率,特別是約為2的折射率。偶數(shù)層可具有小于1.7的折射率,特別是小于1.5的折射率,特別是約為1.46的折射率。根據(jù)一些實(shí)施例,阻擋層疊層的奇數(shù)層包括以下至少一者:SiNx、NbOx、SiN、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TiOx、TaOx、有機(jī)材料(諸如,聚合物材料)和/或上述各項(xiàng)的組合;和/或阻擋層疊層的偶數(shù)層包括以下至少一者:SiOx、MgFx、SiOxNy、有機(jī)材料(諸如,聚合物材料)和/或上述各項(xiàng)的組合。

作為示例,第一層11(例如,第一電介質(zhì)層)可具有高折射率。通過(guò)依序提供具有交替的或不同的折射率的層,可提供也具有抗反射特性的阻擋層疊層。根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,具有較低折射率的層(例如,偶數(shù)層)可由含有以下各項(xiàng)的層提供:SiOx、MgFx、SiOxNy、有機(jī)材料(諸如,聚合物材料)和/或上述各項(xiàng)的組合,等等。例如,具有較高折射率的層(例如,奇數(shù)層)可通過(guò)含有以下各項(xiàng)的膜提供:NbOx、SiNx、SiN、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TiOx、TaOx、有機(jī)材料(諸如,聚合物材料和/或上述各項(xiàng)的組合,等等。

根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式,可通過(guò)化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積(例如,濺射(sputtering)或蒸鍍(evaporation))可制造多層(例如,電介質(zhì)膜)。一些示例可以是具有高折射率與低折射率的絕緣材料,例如,SiOx、SiN、TiOx、NbOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、AlOxNy、TaOx、有機(jī)材料(諸如,聚合物材料)和/或上述各項(xiàng)的組合。

根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,這些層中的至少一層具有大于100nm的厚度。作為示例,奇數(shù)層中的每一層的厚度小于偶數(shù)層中的每一層的厚度。

在一些實(shí)施例中,提供具有四層的阻擋層疊層,例如,如在圖1A中所示。第一層11可具有139nm至143nm(例如,約141nm)的厚度,第二層12可具有169nm至173nm(例如,約171nm)的厚度,第三層13可具有92nm至96nm(例如,約94nm)的厚度,并且第四層14可具有76nm至80nm(例如,約78nm)的厚度。在一些實(shí)現(xiàn)方式中,第一層11與第三層13可包括SiNx或可由SiNx制成,并且第二層12與第四層14可包括SiO2或可由SiO2制成。阻擋層疊層的水蒸汽穿透速率(WVTR)可以是小于10-5,特別地,約為10-6。阻擋層疊層特別是在約400nm至700nm的波長(zhǎng)范圍中的透過(guò)率可以是約94%。

在一些實(shí)施例中,提供具有五層的阻擋層疊層,例如,如在圖1B中所示。第一層11可具有138nm至142nm(例如,約140nm)的厚度,第二層12可具有163nm至167nm(例如,約165nm)的厚度,第三層13可具有120nm至124nm(例如,約122nm)的厚度,第四層14可具有155nm至159nm(例如,約157nm)的厚度,并且第五層15可具有114nm至118nm(例如,約116nm)的厚度。在一些實(shí)現(xiàn)方式中,第一層11、第三層13與第五層15可包括SiNx或可由SiNx制成,并且第二層12與第四層14可包括SiO2或可由SiO2制成。阻擋層疊層的水蒸汽穿透速率(WVTR)可以是小于10-5,特別地,約為10-6。阻擋層疊層特別是在約400nm至700nm的波長(zhǎng)范圍中的透過(guò)率可以是約88%。

在其他實(shí)現(xiàn)方式中,第一層11可具有140nm至144nm(例如,約142nm)的厚度,第二層12可具有169nm至173nm(例如,約171nm)的厚度,第三層13可具有126nm至130nm(例如,約128nm)的厚度,第四層14可具有160nm至164nm(例如,約162nm)的厚度,并且第五層15可具有137nm至141nm(例如,約139nm)的厚度。在一些實(shí)現(xiàn)方式中,第一層11、第三層13和第五層15可包括SiNx或可由SiNx制成,并且第二層12與第四層14可包括SiO2或可由SiO2制成。阻擋層疊層的水蒸汽穿透速率(WVTR)可以是小于10-5,特別地,約為10-6。阻擋層疊層特別是在約400nm至700nm的波長(zhǎng)范圍中的透過(guò)率可在約88%至約92%的范圍中。

在一些實(shí)施例中,提供具有六層的阻擋層疊層,例如,如在圖1C中所示。第一層11可具有137nm至141nm(例如,約139nm)的厚度,第二層12可具有160nm至164nm(例如,約162nm)的厚度,第三層13可具有114nm至118nm(例如,約116nm)的厚度,第四層14可具有154nm至158nm(例如,約156nm)的厚度,第五層15可具有85nm至89nm(例如,約87nm)的厚度,并且第六層16可具有75nm至79nm(例如,約77nm)的厚度。在一些實(shí)現(xiàn)方式中,第一層11、第三層13與第五層15可包括SiNx或可由SiNx制成,并且第二層12、第四層14與第六層16可包括SiO2或可由SiO2制成。阻擋層疊層的水蒸汽穿透速率(WVTR)可以是小于10-5,特別地,約為10-6。阻擋層疊層特別是在約400nm至700nm的波長(zhǎng)范圍中的透過(guò)率可以是約94%。

根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,這些層形成或布置在彼此之上。在圖1A-C的示例中,第二層12形成或布置在第一層11上方,第三層13形成或布置在第二層12上方,并且第四層14形成或布置在第三層13上方。

作為示例,當(dāng)引用術(shù)語(yǔ)“上方(over)”(即,一個(gè)層在另一層上方)時(shí),可以理解的是,從第一層11開(kāi)始,第二層12沉積在第一層11上方,在第二層12之后所沉積的進(jìn)一步的層(further Layer)因此在第二層12上方且在第一層11上方。換句話說(shuō)術(shù)語(yǔ)“上方”用于定義層(layer)、層疊層(layer stack)和/或膜(film)的順序,其中起始點(diǎn)是基板。這與阻擋層疊層是否描繪為上下顛倒無(wú)關(guān)。

根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,層11至14中的至少一些是直接設(shè)置在彼此上。在圖1A的示例中,第二層12形成或布置在第一層11上,第三層13形成或布置在第二層12上,并且第四層14形成或布置在第三層13上。換句話說(shuō),在一些實(shí)施例中,沒(méi)有進(jìn)一步的層或膜存在于阻擋層疊層的多個(gè)層之間。在一些其他實(shí)施例中,可在阻擋層疊層的至少一些層之間提供進(jìn)一步的層。

圖2示出根據(jù)本文中所述的進(jìn)一步的實(shí)施例的阻擋層疊層40。

根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例,阻擋層疊層40進(jìn)一步包括基板41,特別是透明基板。如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“基板”特別可涵蓋彈性基板(諸如,輻材(web)或箔(foil))。然而,本公開(kāi)并不限于此,并且術(shù)語(yǔ)“基板”也可涵蓋非彈性基板,例如,晶片、透明晶體(諸如,藍(lán)寶石(sapphire)等)的薄片或玻璃板材。

如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“透明”特別可包括以相對(duì)低的散射來(lái)透射光使得能以基本上清楚的方式看見(jiàn)透射過(guò)的光的結(jié)構(gòu)的能力。在可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例中,基板包括從包括以下各項(xiàng)的組中選擇的透明聚合物材料:聚碳酸酯(polycarbonate;PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate;PET)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methacrylic acid methyl ester);PMMA)、三醋酸纖維素(triacetyl cellulose;TAC)、環(huán)烯烴聚合物(cyclo olefin polymer;COP)、聚(乙二醇對(duì)萘二甲酸酯)(poly(ethylene naphthalate);PEN)、以及上述各項(xiàng)的組合。作為示例,基板包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)。PET可具有約90%的透過(guò)率。例如,層11至14設(shè)在基板41上(on)或設(shè)在基板41上方(over)。

雖然在圖2中,四個(gè)層11至14布置在基板41上方,但是當(dāng)前的實(shí)施例并不限于此。任何數(shù)目的層可布置在基板上方,例如,如參照?qǐng)D1A-c所述。

根據(jù)當(dāng)前的實(shí)施例的一方面,提供超高阻擋(Ultra high barrier(UHB)層和抗反射系統(tǒng)。所述超高阻擋(UHB)層和抗反射系統(tǒng)包括基板以及在所述基板上方或在所述基板上的層疊層。層疊層可以是上文中參照?qǐng)D1A-C以及圖2所述的阻擋層疊層中的任何一者。層疊層特別可包括依序布置的第一層、第二層、第三層與第四層,其中第一層與第三層具有至少1.9的折射率,其中第二層與第四層具有小于1.7的折射率,并且其中每一個(gè)層具有至少70nm的厚度。

圖3示出根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的阻擋層疊層的反射率的曲線圖。如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“反射率(reflectance)”是被反射的入射電磁功率的分?jǐn)?shù)。術(shù)語(yǔ)“反射率(reflectance)”可與術(shù)語(yǔ)“反射性(reflectivity)”同義地使用。

在圖3中,曲線圖的y軸表示單位為%(百分比)的反射率,而x軸表示單位為納米(nanometer;nm)的波長(zhǎng)λ(lambda)。以標(biāo)號(hào)50表示的是未涂覆的PET基板的反射率(約5%)。以標(biāo)號(hào)51表示的是根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的具有四層(NONO)的阻擋層疊層的反射率,所述反射率在從約420nm至約680nm的范圍中小于百分之一。標(biāo)號(hào)52指示根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的具有六層(NONONO)的阻擋層疊層的反射率,反射率在從約420nm至約680nm的范圍中也小于百分之一。

用于例如在基板上沉積材料的方法可包括物理氣相沉積(PVD)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝,等等。作為示例,在待涂覆的基板所位于的工藝設(shè)備或工藝腔室中執(zhí)行工藝。在設(shè)備中提供沉積材料。多種材料(諸如,它們的氧化物、氮化物或碳化物)可用于沉積。再者,可在工藝腔室中可執(zhí)行其他處理步驟(像蝕刻、構(gòu)造(structuring)、退火,等等)。

圖4示出用于沉積或涂覆根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的層、特別是用于制造根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的阻擋層疊層的設(shè)備100的示意圖,所述設(shè)備100例如是卷對(duì)卷(roll-to-roll)沉積設(shè)備。

設(shè)備100可包括至少三個(gè)腔室部分102A、102B和102C。在腔室部分102C處,可提供一個(gè)或多個(gè)沉積源630以及任選的蝕刻站430作為處理工具?;?1(例如,彈性基板)可設(shè)在例如具有纏繞軸的第一滾輪764上。如由箭頭108示出的基板移動(dòng)方向所指示,彈性基板從滾輪764退卷。提供分離壁401用于腔室部分102A與102B的分離。分離壁401可進(jìn)一步設(shè)有間隙閘140以使基板41穿過(guò)其中。設(shè)在腔室部分102B與102C之間的真空凸緣112可設(shè)有開(kāi)口以取出至少一些處理工具。

基板41被移動(dòng)通過(guò)沉積區(qū),所述沉積區(qū)設(shè)在涂覆鼓輪110處且對(duì)應(yīng)于沉積源630的位置。在操作期間,涂覆鼓輪110繞著軸旋轉(zhuǎn),使得基板41在箭頭108的方向上移動(dòng)。根據(jù)一些實(shí)施例,將由一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)滾子(roller)將基板41從滾輪764引導(dǎo)至涂覆鼓輪110,并且從涂覆鼓輪110引導(dǎo)至例如具有纏繞軸的第二滾輪764’,在對(duì)基板41的處理之后,在所述第二滾輪764’上纏繞所述基板41。

根據(jù)一些實(shí)施例,沉積源630可配置成用于沉積層疊層的層。作為示例,至少一個(gè)沉積源630可適用于沉積具有至少1.9的折射率的層材料,并且至少一個(gè)沉積源630可適用于沉積具有小于1.7的折射率的層材料。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中,第一沉積源可配置成用于沉積第一層,第二沉積源可配置成用于沉積第二層,第三沉積源可配置成用于沉積第三層,并且第四沉積源可配置成用于沉積第四層。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中,第一腔室部分102A分隔成夾層(interleaf)腔室部分單元102A1與基板腔室部分單元102A2。藉此,夾層滾輪766/766’與夾層滾子105可提供作為設(shè)備100的模塊化元件。設(shè)備100可進(jìn)一步包括預(yù)加熱單元194以加熱彈性基板。再者,附加地或替代地,可提供預(yù)處理等離子體源192(例如,RF(射頻(radio frequency))等離子體源),以便在基板進(jìn)入腔室部分102C之前利用等離子體來(lái)處理所述基板。

根據(jù)可與本文中所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例,還可任選地提供用于評(píng)估基板處理的結(jié)果的光學(xué)測(cè)量單元494和/或用于調(diào)整基板上的電荷的一個(gè)或多個(gè)電離單元492。

根據(jù)一些實(shí)施例,可根據(jù)經(jīng)涂覆的基板的沉積工藝與之后的應(yīng)用來(lái)選擇沉積材料。例如,沉積源630的沉積材料可以是硅。作為示例,可通過(guò)從源提供材料或通過(guò)反應(yīng)性沉積(即,來(lái)自源的材料與來(lái)自處理氣體的元素(像氧、氮或碳)反應(yīng))來(lái)沉積可包括此類(lèi)材料的氧化物、氮化物或碳化物層。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面且如圖4中所示,提供用于制造阻擋層疊層的方法700。所述方法可包括以下步驟:在基板上交替地沉積第一層材料與第二層材料以形成至少四層。第一層材料具有至少1.9的折射率,第二層材料具有小于1.7的折射率,并且每一個(gè)層都具有至少70nm的厚度??衫缭诨迳铣练e第一層(框701)。隨后,可在第一層上或在第一層上方沉積第二層(框702)。然后,可在第二層上或在第二層上方沉積第三層(框703)??稍诘谌龑由匣蛟诘谌龑由戏匠练e第四層(框704)。

雖然在圖4的當(dāng)前示例中四層布置在彼此上方,但是當(dāng)前的本實(shí)施例不限于此??刹贾萌魏螖?shù)目的層,如例如參照?qǐng)D1A-C以及圖2所描述。

雖然前述內(nèi)容針對(duì)本公開(kāi)的實(shí)施例,但是可設(shè)計(jì)本公開(kāi)的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不背離本公開(kāi)的基本范圍,并且本公開(kāi)的范圍將由所附權(quán)利要求書(shū)來(lái)確定。

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