本公開(kāi)總體上涉及集成電路器件的領(lǐng)域，并且更具體地涉及去耦電容器和布置。

背景技術(shù)：

一些常規(guī)集成電路(IC)器件可以包括去耦電容器以在切換事件時(shí)或響應(yīng)于供電電壓中的組來(lái)為電氣負(fù)載提供快速充電。然而，常規(guī)電容器結(jié)構(gòu)和布置可能不足夠快或足夠強(qiáng)來(lái)防止性能降級(jí)。常規(guī)方法對(duì)較新的晶體管結(jié)構(gòu)可能特別不適當(dāng)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面的詳細(xì)描述結(jié)合附圖將容易理解實(shí)施例。為了便于該描述，相似的附圖標(biāo)記表示相似的結(jié)構(gòu)元件。在附圖的各圖中通過(guò)示例而非限制的方式示出實(shí)施例。

圖1是根據(jù)各種實(shí)施例的具有晶體管組件和電壓供應(yīng)器的集成電路(IC)器件的一部分的示意圖。

圖2是根據(jù)各種實(shí)施例的描繪各種去耦電容器的效應(yīng)的曲線圖。

圖3是根據(jù)各種實(shí)施例的晶體管組件的側(cè)橫截面視圖。

圖4描繪根據(jù)各種實(shí)施例的在晶體管組件中的電容器的示例性實(shí)質(zhì)上平面構(gòu)造的頂視圖。

圖5-11描繪根據(jù)各種實(shí)施例的在晶體管組件中的電容器的制造中的操作之后的各種組件的側(cè)橫截面視圖。

圖12-14描繪根據(jù)各種實(shí)施例的在使用電子束直接寫(xiě)入技術(shù)形成暴露的光致抗蝕劑層中的各種階段之后的各種組件的頂視圖。

圖15是根據(jù)各種實(shí)施例的形成晶體管組件的方法的流程圖。

圖16示意性地示出根據(jù)各種實(shí)施例的可以包括如本文所公開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)晶體管組件的計(jì)算設(shè)備。

具體實(shí)施方式

本文公開(kāi)了晶體管組件、集成電路(IC)器件和有關(guān)方法的各種實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，晶體管組件可以包括其中設(shè)置了晶體管的基底層、第一金屬層和設(shè)置在基底層與第一金屬層之間的第二金屬層。晶體管組件還可以包括設(shè)置在基底層或第二金屬層中并耦合到晶體管的供電線的電容器。

除了常規(guī)方法外，本文公開(kāi)的一些實(shí)施例可以向IC器件中的負(fù)載提供較快和/或較強(qiáng)的電荷再分布。特別是，本文公開(kāi)的一些實(shí)施例可以提供具有高的每單位面積存儲(chǔ)電荷密度和短的路徑(可以經(jīng)由該路徑將存儲(chǔ)電荷輸送到負(fù)載)的電容器結(jié)構(gòu)和布置。本文公開(kāi)的一些實(shí)施例可以提供有效地阻止噪聲到達(dá)晶體管的供電線并在電容器與負(fù)載之間有效地傳輸功率的電容器結(jié)構(gòu)和布置。

本文公開(kāi)的實(shí)施例中的各種實(shí)施例可以用不可由常規(guī)方法實(shí)現(xiàn)的方式實(shí)現(xiàn)對(duì)包括具有三柵極結(jié)構(gòu)的晶體管的負(fù)載的有效去耦。去耦性能可以是去耦電容器的電容(“去耦電容”)與要從供應(yīng)器去耦的負(fù)載晶體管的總柵極電容之比的函數(shù)。晶體管的柵極電容可以是在晶體管的柵極與晶體管中的其它點(diǎn)之間的凈電容。例如，柵極電容的第一級(jí)貢獻(xiàn)者可以是柵極到溝道電容，而第二級(jí)貢獻(xiàn)者可以是柵極到源極電容和柵極到漏極電容。在去耦電容與柵極電容之間的比的較高值可以對(duì)應(yīng)于提高的性能。

相對(duì)于常規(guī)晶體管結(jié)構(gòu)，三柵極晶體管可以具有明顯較高的柵極電容(例如由于充當(dāng)電容器板的“垂直壁”的表面積)。在一些情形中，三柵極晶體管的柵極電容可以高至常規(guī)平面晶體管的柵極電容的大約兩倍。因此，相對(duì)于適用于常規(guī)平面晶體管的去耦電容器，可能需要具有明顯較高的電容的去耦電容器來(lái)使三柵極晶體管有效地去耦。一些常規(guī)電容器結(jié)構(gòu)，例如通過(guò)耦合漏極和源極以形成一個(gè)端子并使用柵極作為另一端子來(lái)將常規(guī)的基于擴(kuò)散的晶體管用作電容器的那些電容器結(jié)構(gòu)，可以提供來(lái)充當(dāng)有效的去耦器的電荷存儲(chǔ)太少(例如少一個(gè)數(shù)量級(jí))。

在沒(méi)有適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙萜鞯那闆r下，供電電壓的下降(例如有時(shí)由切換事件引起的異常瞬時(shí)下降)可能到達(dá)供電線。下降越大，性能降級(jí)的風(fēng)險(xiǎn)就越大。性能降級(jí)的示例可以包括較慢的邏輯響應(yīng)和/或在IC器件的操作中的惡化。一些以前的方法簡(jiǎn)單地增加IC器件的操作電壓(例如由電壓供應(yīng)器提供的DC電壓)以減小下降降低到用于有效器件性能的最小閾值之下的可能性。然而，這樣的方法導(dǎo)致不必要的功率耗散且可能不是足夠有效的。

本文公開(kāi)的實(shí)施例中的各種實(shí)施例可以提供能夠以高密度存儲(chǔ)電荷(并從而具有高電容)以便實(shí)現(xiàn)足夠的去耦電容與柵極電容比的電容器。各種實(shí)施例還包括接近與電容器耦合的晶體管的這樣的電容器的布置，以實(shí)現(xiàn)電荷的快速輸送并從而使下降及其伴隨的性能降級(jí)最小化?？梢詫?shí)現(xiàn)這些益處而不必升高器件的操作電壓并引起額外的功率成本。

在下面的詳細(xì)描述中，參考形成其一部分的附圖，其中相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的部件，并且在附圖中通過(guò)例示的方式示出可被實(shí)踐的實(shí)施例。應(yīng)理解，可以利用其它實(shí)施例且可做出結(jié)構(gòu)或邏輯變化而不脫離本公開(kāi)的范圍。因此，下面的詳細(xì)描述不應(yīng)在限制性意義上被理解，且實(shí)施例的范圍由所附權(quán)利要求及其等效形式限定。

各種操作可以用對(duì)理解所主張的主題最有幫助的方式依次被描述為多個(gè)分立的行動(dòng)或操作。然而，描述的順序不應(yīng)被解釋為暗示這些操作必須是順序相關(guān)的。特別是，可以不以呈現(xiàn)的順序執(zhí)行這些操作?？梢砸耘c實(shí)施例描述的不同的順序執(zhí)行所描述的操作。在額外的實(shí)施例中可以執(zhí)行各種額外的操作和/或可以省略所描述的操作。

為了本公開(kāi)的目的，短語(yǔ)“A和/或B”意指(A)、(B)或(A和B)。為了本公開(kāi)的目的，短語(yǔ)“A、B和/或C”意指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。

本描述使用短語(yǔ)“在實(shí)施例中”或“在多個(gè)實(shí)施例中”，它們均可以指相同或不同的實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)。此外，如關(guān)于本公開(kāi)的實(shí)施例所使用的術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”、“具有”等是同義的。

圖1是根據(jù)各種實(shí)施例的具有晶體管組件102和電壓供應(yīng)器110的IC器件100的一部分的示意圖。晶體管組件102可以包括具有供電線106的晶體管104和耦合到晶體管104的供電線106的電容器108。在一些實(shí)施例中，晶體管104可以是驅(qū)動(dòng)器晶體管，并且負(fù)載112可以耦合在驅(qū)動(dòng)器晶體管104與地114之間。在各種實(shí)施例中，負(fù)載112可以包括一個(gè)或多個(gè)“接收”晶體管和/或其它器件。特別是，在一些實(shí)施例中，晶體管104可以耦合在供電線106與負(fù)載112中的晶體管的柵極之間。

電容器108也可以耦合到供電線110。特別是，電容器108可以耦合到晶體管104的供電線106和電壓供應(yīng)器110二者以便充當(dāng)在電壓供應(yīng)器110與晶體管104之間的電荷儲(chǔ)器。雖然在圖1中只示出單個(gè)電容器108，但這僅是為了便于說(shuō)明。在各種實(shí)施例中，IC器件100可以包括如本文中針對(duì)電容器108所討論的那樣進(jìn)行配置的多個(gè)電容器以充當(dāng)去耦電容器。除了本文提供的晶體管組件教導(dǎo)以外，圖1的IC器件100的部件的布置可以是常規(guī)的。此外，雖然在圖1中只示出單個(gè)晶體管104，但這僅是為了便于說(shuō)明。在各種實(shí)施例中，IC器件100可以包括如本文針對(duì)晶體管104所討論的那樣進(jìn)行配置的多個(gè)晶體管(例如以充當(dāng)各種負(fù)載的驅(qū)動(dòng)器晶體管)。在一些實(shí)施例中，晶體管104和/或負(fù)載112可以包括具有實(shí)質(zhì)上“垂直的”構(gòu)造的三柵極晶體管。

圖2是根據(jù)各種實(shí)施例的描繪電容器108在使電壓供應(yīng)器110和供電線106去耦時(shí)可能具有的效果的曲線圖200。曲線圖200示出由電壓供應(yīng)器110提供的電壓202可以波動(dòng)的情形。如所示，電壓202可以落在閾值電壓Vmin之下，閾值電壓Vmin代表IC器件100的操作可能出故障或受到破壞時(shí)的電壓(如果該電壓被提供到晶體管104的供電線106的話)。包括一個(gè)或多個(gè)電容器108、提供第一總?cè)ヱ铍娙菘梢允构╇娋€106與電壓202的變化隔離，使得供電線106被提供有電壓204。增加總?cè)ヱ铍娙?例如通過(guò)增加各個(gè)電容器108的電容和/或通過(guò)將額外的電容器108添加到IC器件100)可以提高去耦性能，使得供電線106被提供有電壓206。電容器108的效果可以是減小在供電線106處看到的電壓將落在閾值電壓Vmin之下的可能性，并因此提高IC器件100的性能和可靠性。

在本文公開(kāi)的各種實(shí)施例中，晶體管組件102可以包括其中設(shè)置晶體管104的基底層、第一金屬層和設(shè)置在基底層與第一金屬層之間的第二金屬層。晶體管組件102的電容器108可以包括導(dǎo)電材料的薄片，其中具有設(shè)置在基底層或第二金屬層中并耦合到晶體管104的供電線106的一個(gè)或多個(gè)溝道。

在圖3中示出這樣的晶體管組件102的示例。特別是，圖3是根據(jù)各種實(shí)施例的晶體管組件102的側(cè)橫截面視圖。如所示，晶體管組件102可以形成IC管芯的一部分。

晶體管組件102可以包括基底層116，其中設(shè)置一個(gè)或多個(gè)晶體管104。如所示，基底層116可以包括耦合到基底層116中的晶體管104中的一個(gè)或多個(gè)的一個(gè)或多個(gè)電容器108。在一些實(shí)施例中，被包括在基底層116中的電容器108可以位于為晶體管設(shè)計(jì)的但未被使用的區(qū)域中。例如在一些實(shí)施例中，基底層116可以包括未被晶體管占據(jù)的一個(gè)或多個(gè)晶體管位置。這樣的位置可以是一般使用高百分比的可用基底層位置但不完全利用所有可用位置的設(shè)計(jì)構(gòu)造的結(jié)果。按慣例，這樣的未占據(jù)位置可以用額外的單元來(lái)回填(用于以后有機(jī)會(huì)的設(shè)計(jì)修改)或“被虛擬填充”以提供各種層的平滑結(jié)構(gòu)。被包括在未占據(jù)位置中的結(jié)構(gòu)可以在設(shè)計(jì)階段(在將設(shè)計(jì)輸送到制造設(shè)施之前)被定義并被包括在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中作為設(shè)計(jì)多邊形。對(duì)于基底層常規(guī)的是，基底層可以在半導(dǎo)體襯底140(例如硅晶圓)上形成。

金屬層M_1 118可以設(shè)置在基底層116上，并且可以包括被布置成在基底層116與晶體管組件102中的其它層之間耦合電信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電部分130。金屬層M_1 118可以是最接近基底層116的金屬層。如所示，金屬層M_1 118可以包括耦合到基底層116中的晶體管104中的一個(gè)或多個(gè)的一個(gè)或多個(gè)電容器108。金屬層M_2 120可以設(shè)置在金屬層M_1 118上，并可以包括布置成在晶體管組件102的各種層之間耦合電信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電部分130。如所示，金屬層M_2 120可以包括耦合到基底層116中的晶體管104中的一個(gè)或多個(gè)的一個(gè)或多個(gè)電容器108。

任何期望數(shù)量的金屬層可以被包括在晶體管組件102中。在圖3中示出數(shù)量為N的金屬層，包括金屬層M_N-1 122和金屬層M_N 124。金屬層M_N 124可以是包括晶體管組件102的管芯的最外面的金屬層。晶體管組件102還可以包括設(shè)置在金屬層M_N 124上的各種IC部件126。IC部件126可以包括太大而不能設(shè)置在疊置體中的“更下方位置”的部件。例如，金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器可以設(shè)置在金屬層M_N 124上，并且一般大幾個(gè)數(shù)量級(jí)而實(shí)際上不能位于疊置體中的更下方的位置(其中“晶圓面積”是非常珍貴的，并且不能容納大的結(jié)構(gòu))。IC部件126可以包括封裝部件，例如封裝電容器。

雖然圖3示出設(shè)置在基底層116、金屬層M_1 118和金屬層M_2 120中的電容器108，本文公開(kāi)的晶體管組件的各種實(shí)施例可以在這些層中的一些、全部層中包括電容器108或這些層中都不包括電容器108。例如在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電容器108可以被包括在基底層116中，并且可以或可以不被包括在任何其它層中。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電容器108可以被包括在金屬層M_1 118中，且可以或可以不被包括在任何其它層中。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電容器108可以被包括在金屬層M_2 120中，且可以或可以不被包括在任何其它層中。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電容器108可以被包括在金屬層M_2 120與金屬層M_N 124之間的其它層中。

在一些實(shí)施例中，使電容器108位于盡可能接近與其耦合的晶體管104的位置可能是有利的。因此，盡可能在疊置體的“最低”層級(jí)中包括電容器108可能是有利的。在一些實(shí)施例中，電容器108可以更接近基底層116而不是金屬層M_N 124。與由使用在集成的高得多的層級(jí)處添加的部件的電容器(例如封裝電容器或MIM電容器)所實(shí)現(xiàn)的相比，這可以使電容器108能夠更快地將電荷供應(yīng)到晶體管104。在一些實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置在基底層116中的電容器108供應(yīng)電荷的速度可以比通過(guò)設(shè)置在金屬層M_N124上的封裝或MIM電容器供應(yīng)電荷的速度快大約10倍。

如上面提到的，電容器108的一些實(shí)施例可以提供具有適合于包括在器件疊置體中的下部層級(jí)處的小形狀因子的高密度電荷存儲(chǔ)。圖4描繪根據(jù)各種實(shí)施例的電容器108的示例性實(shí)質(zhì)上平面構(gòu)造的頂視圖。如所示，電容器108可以包括由溝道410間隔開(kāi)的第一導(dǎo)電部分402和第二導(dǎo)電部分404。如在本文使用的，導(dǎo)電材料中的“溝道”可以指在導(dǎo)電材料中的間隙或其它開(kāi)口，其將導(dǎo)電材料分成兩個(gè)或更多部分，以允許每個(gè)部分維持不同的電位并因此使電場(chǎng)能夠形成在這些部分之間。第一導(dǎo)電部分402可以通過(guò)溝道410與第二導(dǎo)電材料404間隔開(kāi)以使得在部分402和404經(jīng)歷電壓差時(shí)能夠在部分402與404之間形成電場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，溝道410可以被填充有電介質(zhì)或常規(guī)上在電容器的板之間使用的其它材料。部分402和404中的每個(gè)部分可以包括多個(gè)指狀物408，并且第一導(dǎo)電部分402的指狀物408可以與第二導(dǎo)電部分404的指狀物408交錯(cuò)。指狀物408的數(shù)量、部分402和404的相對(duì)尺寸以及溝道410的寬度和形狀僅僅是例示性的，并可以根據(jù)電容器108的可用占用面積、電容器108的可用厚度、電容器108的期望電容以及任何其它常規(guī)設(shè)計(jì)參數(shù)或約束來(lái)進(jìn)行選擇。例如，電容器108的各種實(shí)施例可以具有在大約1微米與大約10微米之間的厚度。在一些實(shí)施例中，電容器108的占用面積可以在大約1微米乘1微米與大約10微米乘10微米之間。在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)用在相鄰電容器之間提供間隙的溝道包圍每個(gè)電容器來(lái)由導(dǎo)電材料的薄片形成多個(gè)電容器，如圖4的電容器108。

圖5-11描繪根據(jù)各種實(shí)施例的在晶體管組件102中的電容器108的制造中的操作之后的各種組件的側(cè)橫截面視圖。特別是，圖5-11示出在圖4中的頂視圖中所示的電容器108的實(shí)施例的制造中的各種組件。沿著圖4的電容器108的截面400截取圖5-11的橫截面視圖。使用圖4的特定構(gòu)造示出各種制造操作僅僅是例示性的，并且下面參考圖5-11討論的制造操作可以用于形成電容器108的任何期望構(gòu)造。

圖5描繪在提供其上要設(shè)置電容器108的層502之后的組件500。在一些實(shí)施例中，層502可以是半導(dǎo)體襯底(例如，其上可以形成基底層116的襯底)、基底層116或適當(dāng)?shù)匚挥诳拷讓?16處以提供有利的去耦性能的任何金屬層。

圖6描繪在將導(dǎo)電薄片602沉積在組件500的層502上之后的組件600。任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，例如物理氣相沉積、原子層沉積、電子束沉積可以用于導(dǎo)電材料沉積以形成導(dǎo)電薄片602。用于導(dǎo)電薄片602的導(dǎo)電材料可以是任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料。例如，導(dǎo)電薄片602可以是金屬薄片。在一些這樣的實(shí)施例中，例如，金屬可以是與常規(guī)上用于形成晶體管柵極的金屬相同的金屬。

圖7描繪在將未暴露的光致抗蝕劑材料702沉積在組件600的導(dǎo)電薄片602上之后的組件700。任何適合的光致抗蝕劑可以用于提供未暴露的光致抗蝕劑材料702，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或任何其它常規(guī)光致抗蝕劑(例如，用于電子束光刻法、極紫外線光刻法或光學(xué)光刻法的那些光致抗蝕劑)。

圖8描繪在選擇性地暴露組件700的未暴露的光致抗蝕劑材料702之后的組件800。暴露的光致抗蝕劑層802可以包括未暴露的光致抗蝕劑材料702和暴露的光致抗蝕劑材料804。在一些實(shí)施例中，常規(guī)光刻法可以用于形成暴露的光致抗蝕劑層802。在一些實(shí)施例中，電子束直接寫(xiě)入技術(shù)可以用于形成暴露的光致抗蝕劑層802。特別是，電子束直接寫(xiě)入技術(shù)可以用于形成交錯(cuò)的非接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以形成精確的緊密間距的電容器，如在本文進(jìn)一步討論的。在一些實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)可以用于形成暴露的光致抗蝕劑層802(例如，可以施加掩模，后面是激光，后面是掩模的移除)。

圖9描繪在從組件800移除暴露的光致抗蝕劑材料804以形成圖案化的光致抗蝕劑層902之后的組件900。

圖10描繪在根據(jù)圖案化的光致抗蝕劑層902的圖案來(lái)使組件900的導(dǎo)電薄片602圖案化以形成圖案化的導(dǎo)電薄片1002之后的組件1000。導(dǎo)電薄片602的圖案化可以在導(dǎo)電薄片602中形成溝道1004。圖案化的導(dǎo)電薄片1002可以采取電容器108的形式，并因此可以用適合于形成電容器108的期望構(gòu)造的任何方式來(lái)進(jìn)行圖案化。特別是，溝道1004可以具有任何適合的形狀或?qū)挾?，并且可以是在?dǎo)電薄片602內(nèi)形成的多個(gè)溝道之一，以提供一個(gè)或多個(gè)電容器。

圖11描繪在從組件1000移除圖案化的光致抗蝕劑層902之后的組件1100。如上面討論的，圖案化的導(dǎo)電薄片1002可以采取電容器108的形式。

如上面提到的，在一些實(shí)施例中，電子束直接寫(xiě)入技術(shù)可以用于使設(shè)置在導(dǎo)電薄片上的未暴露的光致抗蝕劑材料圖案化，以便最終使導(dǎo)電薄片本身圖案化。可能不需要掩模；替代地，圖案可以直接形成在光致抗蝕劑材料中。電子束直接寫(xiě)入技術(shù)也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)分開(kāi)小于22納米的線的圖案化，該性能不容易由標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)。減小電容器結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電部分的間隔使電容器“板”之間的距離最小化，并從而增加了電容。在常規(guī)電容器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)的板間隔可能對(duì)使高電容晶體管(例如三柵極晶體管)從電壓供應(yīng)器有效地去耦而言非常不適當(dāng)。因此，利用實(shí)現(xiàn)小的板間隔的技術(shù)可能對(duì)實(shí)現(xiàn)有效去耦所需的高電容很重要。

圖12-14描繪根據(jù)各種實(shí)施例的在使用電子束直接寫(xiě)入技術(shù)形成暴露的光致抗蝕劑層中的各種階段之后的各種組件的頂視圖。圖12描繪在使未暴露的光致抗蝕劑材料(例如，圖7的組件700的未暴露的光致抗蝕劑材料702)的第一部分1202暴露以形成暴露的光致抗蝕劑材料804之后的組件1200。圖13描繪在使組件1200的未暴露的光致抗蝕劑材料的第二部分1302暴露以形成暴露的光致抗蝕劑材料804之后的組件1300。圖14描繪在使組件1300的未暴露的光致抗蝕劑材料的第三部分1402暴露以形成暴露的光致抗蝕劑材料804之后的組件1400。部分1202、1302和1402中的每一個(gè)可以對(duì)應(yīng)于在導(dǎo)電薄片602中的溝道的位置，以形成電容器108?？梢园葱枰貜?fù)、重新布置和調(diào)節(jié)圖12-14所示的操作以形成圖案化的光致抗蝕劑層，其可以用于圖案化出具有溝道的金屬層以形成電容器108。

圖15是根據(jù)各種實(shí)施例的形成晶體管組件的方法1500的流程圖。可以在下面參考晶體管組件102來(lái)討論方法1500的操作，但這僅僅為了便于說(shuō)明并且可以應(yīng)用方法1500以便形成任何適合的晶體管組件。在一些實(shí)施例中，可以執(zhí)行方法1500以制造被包括在下面關(guān)于圖16討論的計(jì)算設(shè)備1600中的IC器件。可在適當(dāng)時(shí)重復(fù)、重新布置或省略方法1500的各種操作。

在1502，可以在襯底上的基底層中形成晶體管。晶體管可以具有供電線。例如，晶體管104可以形成在襯底140上的基底層116中并且可以具有供電線106。在一些實(shí)施例中，1502的晶體管可以是三柵極晶體管。

在1504，可以在基底層中或在金屬層中形成電容器。金屬層可以是并非最外面的金屬層的金屬層。例如，可以在基底層116、金屬層M_1 118、金屬層M_2 120或在疊置體中位于遠(yuǎn)離最外面的金屬層M_N 124的“更下方位置”處的任何其它適合的層中形成電容器108。在一些實(shí)施例中，在1504形成電容器可以包括在導(dǎo)電薄片中圖案化出溝道(例如，如上面參考圖5-11所討論的)。在一些實(shí)施例中，在導(dǎo)電薄片中圖案化出溝道可以包括使用電子束直接寫(xiě)入技術(shù)(例如，如上面參考圖12-14討論的)。在一些實(shí)施例中，在1504形成多個(gè)電容器。多個(gè)電容器可以位于基底層和/或并非最外面的金屬層的任何其它金屬層中。

在1506，1504的電容器可以耦合到1502的晶體管的供電線。例如，電容器108可以耦合到晶體管104的供電線106。

在1508，可以形成另一金屬層，使得1504的電容器可以設(shè)置在1502的襯底與另一金屬層之間。在一些實(shí)施例中，另一金屬層可以是最外面的金屬層(例如，金屬層M_N 124)。在一些實(shí)施例中，另一金屬層可以是“中間”金屬層(例如，金屬層M_1 118到M_N-1 122中的任一個(gè))。在一些實(shí)施例中，1504的電容器可以在1508的另一金屬層形成之前形成。

圖16示意性示出根據(jù)各種實(shí)施例的可以包括本文公開(kāi)的晶體管組件102中的一個(gè)或多個(gè)晶體管組件的計(jì)算設(shè)備1600。特別是，包括計(jì)算設(shè)備1600的部件中的任何適合部件的各種管芯可以包括如本文公開(kāi)的晶體管組件(例如，晶體管組件102)。

計(jì)算設(shè)備1600可以容納板，例如母板1602。母板1602可以包括多個(gè)部件，包括但不限于處理器1604和至少一個(gè)通信芯片1606。處理器1604可以物理和電耦合到母板1602。在一些實(shí)施方式中，至少一個(gè)通信芯片1606也可以物理和電耦合到母板1602。在其它實(shí)施方式中，通信芯片1606可以是處理器1604的部分。術(shù)語(yǔ)“處理器”可以指處理來(lái)自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的部分。

根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備1600可以包括可以或可以不物理和電耦合到母板1602的其它部件。這些其它部件可以包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、非易失性存儲(chǔ)器(例如只讀存儲(chǔ)器)、閃存存儲(chǔ)器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤(pán)、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)和大容量存儲(chǔ)設(shè)備(例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、光盤(pán)(CD)、數(shù)字通用盤(pán)(DVD)等)。

通信芯片1606可以實(shí)現(xiàn)用于往返于計(jì)算設(shè)備1600傳輸數(shù)據(jù)的無(wú)線通信。術(shù)語(yǔ)“無(wú)線”及其派生詞可以用于描述可以通過(guò)使用經(jīng)調(diào)制的電磁輻射經(jīng)由非固體介質(zhì)來(lái)傳遞數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信通道等。該術(shù)語(yǔ)并不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何電線，雖然在一些實(shí)施例中它們可以不包含電線。通信芯片1606可以實(shí)現(xiàn)多種無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一個(gè)，包括但不限于電氣與電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)標(biāo)準(zhǔn)，包括Wi-Fi(IEEE 802.11族)、IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如IEEE 802.16-2005修正)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)計(jì)劃連同任何修正、更新和/或修訂(例如高級(jí)LTE計(jì)劃、超移動(dòng)寬帶(UMB)計(jì)劃(也被稱為3GPP2等)。IEEE 802.16兼容的寬帶無(wú)線接入(BWA)網(wǎng)絡(luò)通常被稱為WiMAX網(wǎng)絡(luò)，其是代表全球微波接入互操作性的首字母簡(jiǎn)略詞，其為通過(guò)IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)的符合度和互操作性測(cè)試的產(chǎn)品的證明標(biāo)記。通信芯片1606可以根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、通用分組無(wú)線服務(wù)(GPRS)、通用移動(dòng)電信系統(tǒng)(UMTS)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)的HSPA(E-HSPA)或LTE網(wǎng)絡(luò)來(lái)操作。通信芯片1606可以根據(jù)增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM演進(jìn)(EDGE)、GSM EDGE無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)(GERAN)、通用陸地?zé)o線接入網(wǎng)絡(luò)(UTRAN)或演進(jìn)的UTRAN(E-UTRAN)來(lái)操作。通信芯片1606可以根據(jù)碼分多址接入(CDMA)、時(shí)分多址接入(TDMA)、數(shù)字增強(qiáng)型無(wú)繩電信(DECT)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、其衍生物以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無(wú)線協(xié)議來(lái)操作。在其它實(shí)施例中，通信芯片1606可以根據(jù)其它無(wú)線協(xié)議來(lái)操作。

計(jì)算設(shè)備1600可以包括多個(gè)通信芯片1606。例如，第一通信芯片1606可以專用于較短距離無(wú)線通信，例如Wi-Fi和藍(lán)牙，并且第二通信芯片1606可以專用于較長(zhǎng)距離無(wú)線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。

通信芯片1606還可以包括IC封裝組件，其可以包括如本文所述的晶體管組件(例如晶體管組件102)。在其它實(shí)施方式中，容納在計(jì)算設(shè)備1600內(nèi)的另一部件(例如存儲(chǔ)器器件、處理器或其它集成電路器件)可以包含如在本文所述的晶體管組件(例如晶體管組件1002)。

在各種實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備1600可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、超級(jí)本、智能電話、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、桌上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂(lè)控制單元、數(shù)字照相機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器或數(shù)字視頻記錄器。在其它實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備1600可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。在一些實(shí)施例中，在高性能計(jì)算設(shè)備中實(shí)現(xiàn)本文所述的技術(shù)。在一些實(shí)施例中，在手持式計(jì)算設(shè)備中實(shí)現(xiàn)本文所述的技術(shù)。在一些實(shí)施例中，可以在可穿戴式計(jì)算設(shè)備中實(shí)現(xiàn)本文所述的技術(shù)。

下面的段落提供在本文公開(kāi)的實(shí)施例的若干示例。示例1是晶體管組件，其包括：基底層，晶體管設(shè)置在基底層中，其中晶體管具有供電線；第一金屬層；設(shè)置在基底層與第一金屬層之間的第二金屬層；以及電容器，其包括導(dǎo)電材料的薄片，在導(dǎo)電材料的薄片中具有設(shè)置在基底層或第二金屬層中并耦合到晶體管的供電線的溝道。

示例2可以包括示例1的主題并且還可以規(guī)定：第一金屬層是管芯的最外面的金屬層；以及電容器更接近基底層而不是第一金屬層。

示例3可以包括示例1-3中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：電容器耦合到IC組件的電壓供應(yīng)器。

示例4可以包括示例1-3中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：電容器設(shè)置在基底層中。

示例5可以包括示例1-4中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：晶體管是三柵極晶體管。

示例6可以包括示例1-5中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：第二金屬層是最接近基底層的金屬層。

示例7可以包括示例1-6中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：電容器實(shí)質(zhì)上是平面的并具有交錯(cuò)的指狀物。

示例8可以包括示例1-7中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：導(dǎo)電材料是金屬。

示例9是IC器件，其包括晶體管組件和電壓供應(yīng)器。晶體管組件包括：其中設(shè)置晶體管的基底層、第一金屬層、設(shè)置在基底層與第一金屬層之間的第二金屬層、以及設(shè)置在基底層或第二層中的電容器，電容器包括其中具有溝道的導(dǎo)電材料的薄片，其中，晶體管具有供電線。電容器耦合到電壓供應(yīng)器和晶體管供電線。

示例10可以包括示例9的主題并且還可以規(guī)定：電容器設(shè)置在基底層中。

示例11可以包括示例9-10中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：晶體管是三柵極晶體管。

示例12可以包括示例9-11中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：電容器實(shí)質(zhì)上是平面的并具有交錯(cuò)的指狀物。

示例13可以包括示例9-12中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：晶體管是驅(qū)動(dòng)器晶體管，并且其中，基底層還包括耦合到驅(qū)動(dòng)器晶體管的多個(gè)負(fù)載晶體管。

示例14是形成晶體管組件的方法，其包括：在襯底上的基底層中形成晶體管，其中晶體管具有供電線；通過(guò)選擇性地對(duì)導(dǎo)電材料的薄片進(jìn)行圖案化來(lái)在基底層或第二金屬層中形成電容器；將電容器耦合到晶體管供電線；以及形成第一金屬層，以使得電容器設(shè)置在襯底與第一金屬層之間。

示例15可以包括示例14的主題并且還可以規(guī)定：導(dǎo)電材料是金屬。

示例16可以包括示例14-15中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：選擇性地對(duì)導(dǎo)電薄片進(jìn)行圖案化包括使用電子束直接寫(xiě)入技術(shù)。

示例17可以包括示例14-15中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：選擇性地對(duì)導(dǎo)電薄片進(jìn)行圖案化包括使用極紫外線光刻技術(shù)。

示例18可以包括示例14-17中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：在形成第一金屬層之前執(zhí)行在基底層或第二金屬層中形成電容器。

示例19可以包括示例14-18中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：形成晶體管包括形成三柵極晶體管。

示例20可以包括示例14-19中的任一項(xiàng)的主題并且還可以規(guī)定：在基底層或第二金屬層中形成電容器包括在基底層或第二金屬層中形成多個(gè)電容器。