1.一種半導體退火裝置，其具有：
腔室；
管，其設置于所述腔室的內側；
晶舟，其以能夠進退的方式設置在所述管的內側；
裝載區(qū)域，其是在所述晶舟退出至所述管之外時所述晶舟所處的區(qū)域；
碳氫化合物供給單元，其將碳氫化合物氣體供給至所述管的內側；
加熱單元，其對所述管的內側進行加熱；以及
氧供給單元，其將氧供給至所述管的內側，
所述管是藍寶石制、或者通過All－CVD形成的SiC制，
所述晶舟是藍寶石制、或者通過All－CVD形成的SiC制。
2.根據權利要求1所述的半導體退火裝置，其中，
還具有氮導入單元，該氮導入單元將所述裝載區(qū)域的內側置換為氮。
3.根據權利要求1所述的半導體退火裝置，其中，
具有氮噴淋器，該氮噴淋器使氮氣以與所述晶舟從所述裝載區(qū)域朝向所述管的行進方向相交叉的方式流動。
4.根據權利要求3所述的半導體退火裝置，其中，
所述氮噴淋器設置于所述裝載區(qū)域和所述管的邊界。
5.根據權利要求1所述的半導體退火裝置，其具有：
配管，其與所述裝載區(qū)域連接；以及
真空泵，其與所述配管連接。
6.根據權利要求1所述的半導體退火裝置，其中，
具有底座，該底座設置于所述裝載區(qū)域，在與所述管的相反側對所述晶舟進行支撐，
所述底座由石英形成。
7.根據權利要求1所述的半導體退火裝置，其中，
在將所述晶舟插入至所述腔室的內側時，對所述加熱單元進行控制，以將所述腔室的內側的溫度設為400℃～600℃的范圍內。