本發(fā)明涉及一種用于制造有機(jī)電子組件的方法，其中借助氣相沉積獲得有機(jī)電子層。此外，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電子組件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電子裝置涉及將有機(jī)基體材料用于將光轉(zhuǎn)換成電流和相反過程的應(yīng)用并且用于借助有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)建電子組件。對于最先提到的類別的實例例如是：光電檢測器和有機(jī)太陽能電池，其示意地在圖1中示出，所述光電探測器和有機(jī)太陽能電池將光轉(zhuǎn)換成電信號或電流；以及有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)，所述有機(jī)發(fā)光二極管能夠借助有機(jī)電子材料產(chǎn)生光(見圖2)。例如有機(jī)場效應(yīng)晶體管或雙極性晶體管屬于第二
技術(shù)領(lǐng)域：
，在圖3中示意性示出所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管，在所述有機(jī)場效應(yīng)晶體管中摻雜降低電極和半導(dǎo)體材料之間的接觸電阻。全部應(yīng)用的共同點是：所述應(yīng)用包含電傳輸層作為重要的功能部件，所述電傳輸層根據(jù)其組分而具有不同的傳導(dǎo)機(jī)制。通常，在有機(jī)材料的本征p型(空穴)導(dǎo)電性或n型(電子)導(dǎo)電性之間進(jìn)行區(qū)分。因為該有機(jī)物質(zhì)類別的電荷傳輸通常是不足夠的，所以所述有機(jī)物質(zhì)類別被摻有附加的化合物，所述化合物應(yīng)當(dāng)改進(jìn)層的電荷傳輸特性。通常，這通過摻雜有金屬化合物或其他有機(jī)化合物進(jìn)行。用于實現(xiàn)顯著改進(jìn)導(dǎo)電性的方案是添加金屬絡(luò)合物。因此，例如，在wo2013/182389a2和wo2011/033023a1中由本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)描述鉍絡(luò)合物和銅絡(luò)合物用作有機(jī)電子組件的p型摻雜質(zhì)。在此，所描述的器件的有機(jī)層例如經(jīng)由溶劑工藝、即濕法工藝技術(shù)獲得，其中所述器件包含基體材料連同相應(yīng)的金屬絡(luò)合物作為p型摻雜質(zhì)。此外，在所提及的專利文獻(xiàn)中也借助利用點源進(jìn)行氣相沉積來產(chǎn)生有機(jī)層。濕法工藝技術(shù)的實例尤其是印刷技術(shù)、如噴墨、凹印和平板印刷。此外，旋轉(zhuǎn)涂布或狹縫涂布也是典型的溶劑工藝。相反，借助升華、即通過熱蒸發(fā)進(jìn)行經(jīng)由真空工藝產(chǎn)生有機(jī)電子器件的層。在此，有機(jī)層從氣相中沉積在襯底或已經(jīng)產(chǎn)生的層上。現(xiàn)在，通過最后提到的工藝制造最有效率的有機(jī)器件，所述有機(jī)器件在這同時也能通過試生產(chǎn)來商業(yè)購得。此外，有機(jī)電子器件的效率也通過以下方式實現(xiàn)：器件由非常多單個層構(gòu)成。每個層具有也與組件中的位置相關(guān)的特定物理電學(xué)的功能。在通過氣相沉積制造有機(jī)層的情況下，基體材料和摻雜材料例如通過優(yōu)選從不同的源中共蒸鍍來沉積到襯底或已經(jīng)存在的層上。為此，常規(guī)方式使用點源。例如在wo2011/033023a1和wo2013/182389a2中由本發(fā)明的發(fā)明人分別借助點源進(jìn)行摻雜的有機(jī)層的氣相沉積。在從點源中沉積時，在坩堝中在真空條件下蒸發(fā)要沉積的材料。在材料蒸發(fā)之后，由于真空中(10-5mbar至10-6mbar)的高的平均自由行程，分子無其他碰撞地?fù)糁械揭r底上。這表示：材料必須在僅略超過升華溫度上是熱穩(wěn)定的，以便能夠未分解地沉積在襯底上。兩種技術(shù)、即濕法工藝技術(shù)和從氣相中經(jīng)由點源進(jìn)行的沉積是相對經(jīng)濟(jì)的技術(shù)。因此，所述技術(shù)能用于多種不同的金屬絡(luò)合物。雖然濕法工藝技術(shù)和借助點源進(jìn)行的氣相沉積在工業(yè)條件下也允許制造有機(jī)電子組件，而所提及的技術(shù)卻僅有條件地尤其適合于對大面積的襯底覆層。技術(shù)實現(xiàn)要素：因此，本發(fā)明的目的是提供用于制造有機(jī)電子組件的方法，尤其也適合用于對大面積襯底進(jìn)行覆層的方法。通過根據(jù)權(quán)利要求1的方法實現(xiàn)該目的。因此，提出一種用于制造有機(jī)電子組件的方法，其中組件包括至少一個有機(jī)電子層。在此，有機(jī)電子層具有基體，其中基體包含金屬絡(luò)合物作為摻雜質(zhì)。例如，上述摻雜質(zhì)能夠是p型摻雜質(zhì)。所述金屬絡(luò)合物包括至少一個金屬原子m和至少一個結(jié)合到金屬原子m上的配體l，其中配體l彼此獨立地具有下列一般結(jié)構(gòu)：在此，e1和e2彼此獨立地是氧、硫、硒、nh或nr’，其中r’能夠選自：烷基或芳基，并且能夠與配體l的取代的苯環(huán)連接。取代基r1彼此獨立地選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，其中n＝1至5。因此例如可行的是：能夠存在一至五個取代基r1，所述取代基能夠分別彼此獨立地選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴。在此，例如能夠存在多個相同的取代基r1，但也能夠存在多個不同的取代基r1。取代基r2彼此獨立地選自：-cn，具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴、芳基和雜芳基，其中m＝0至最大5-n。因此例如可行的是：存在一個或多個取代基r2，所述取代基r2彼此獨立地選自：-cn，具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，芳基和雜芳基。但例如也可行的是：配體l不具有取代基r2。配體l在任何情況下具有至少一個取代基r1，而所述配體不必須一定具有取代基r2。配體l的苯環(huán)的全部未取代的位用氫或重氫占據(jù)。金屬m例如能夠是主族金屬或過渡金屬。至少一個有機(jī)電子層的摻雜質(zhì)的沉積借助用于氣相沉積的源進(jìn)行，其中源構(gòu)成為，使得摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁的碰撞。與如在本發(fā)明中使用的源相反，在點源的情況下，源的蒸發(fā)摻雜質(zhì)的區(qū)域、源的排出開口，以及襯底全部設(shè)置在一條直線中，使得摻雜質(zhì)具有至襯底的直接的通道并且能夠避免與源的壁的碰撞，其中摻雜質(zhì)沉積在所述襯底上。在如在根據(jù)本發(fā)明的方法中使用的源的情況下，源的蒸發(fā)摻雜質(zhì)的區(qū)域以及源的排出開口和襯底不設(shè)置在一條直線中。更確切地說，源的特征在于：在摻雜質(zhì)在源的區(qū)域中蒸發(fā)之后，在所述摻雜質(zhì)離開源并且射到襯底上之前，該摻雜質(zhì)還在源內(nèi)部經(jīng)歷偏轉(zhuǎn)。例如，在此，摻雜質(zhì)能夠經(jīng)歷與源的多個壁碰撞。例如具有摻雜質(zhì)的氣流能夠經(jīng)由例如呈管形式的源的區(qū)域引導(dǎo)，其中摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的壁的大量碰撞。例如，源的壁能夠被加熱，使得所述壁具有如下溫度，所述溫度是至少與摻雜質(zhì)的升華溫度一樣高。相對于用于氣相沉積的常規(guī)的源，這類源具有的優(yōu)點是：所述源允許更好地引導(dǎo)氣流。這尤其對于在待覆層的大面積的襯底中進(jìn)行氣相沉積是有利的。在根據(jù)本發(fā)明的方法中，在摻雜質(zhì)離開源之前，所述摻雜質(zhì)例如能夠經(jīng)歷與源的壁進(jìn)行幾千次碰撞，然而在此不會分解。在許多源中，待沉積的摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的壁的幾千次碰撞，直至所述摻雜質(zhì)經(jīng)由例如呈縫隙或多個孔形式的排出開口進(jìn)入自由真空中。為了防止材料沉積在源的壁上，所述壁通常加熱到比待沉積的摻雜質(zhì)的固有升華點高20開爾文至80開爾文的溫度或甚至明顯更高的溫度上。在從氣相中沉積時，摻雜質(zhì)必須能夠承受住所述溫度，而不會分解。本發(fā)明的發(fā)明人確定：雖然用作為有機(jī)層中的摻雜質(zhì)的常規(guī)的金屬絡(luò)合物對于借助濕法工藝技術(shù)或經(jīng)由點源進(jìn)行氣相沉積進(jìn)行加工是足夠穩(wěn)定的，然而，對于借助于摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞的源進(jìn)行沉積是不足夠穩(wěn)定的。例如，當(dāng)前方法的發(fā)明人觀察到：一般而言，雖然wo2013/182389a2和wo2011/033023a1的p型摻雜質(zhì)能夠借助溶劑工藝和通過從點源中氣相沉積而連同呈有機(jī)層形式的適合的基體材料一起沉積，然而，許多其中提到的化合物對于借助如下源進(jìn)行沉積是不足夠溫度穩(wěn)定的，在所述源中摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的壁的碰撞。例如，本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：例如銅或鉍的金屬絡(luò)合物當(dāng)其不具有r1形式的取代基時，對于沉積是不足夠穩(wěn)定的。例如，具有氟化的苯環(huán)的、但沒有r1形式的取代基的苯甲酸衍生物對于在根據(jù)本發(fā)明的方法中應(yīng)用是不足夠穩(wěn)定的。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：如在根據(jù)權(quán)利要求1的根據(jù)本發(fā)明的方法中使用的金屬絡(luò)合物以令人驚訝的方式具有足夠的熱穩(wěn)定性，以便借助源蒸發(fā)并且沉積，其中該源構(gòu)成為，使得摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁的碰撞。因此，發(fā)明人尤其確定：引入至少一個取代基r1能夠?qū)崿F(xiàn)顯著地改進(jìn)整個絡(luò)合物的熱穩(wěn)定性，其中所述取代基r1是具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，由此才實現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1的經(jīng)由源進(jìn)行沉積。同時，除高的溫度穩(wěn)定性之外，如在根據(jù)本發(fā)明的方法中使用的金屬絡(luò)合物的特征同時在于足夠良好的摻雜強(qiáng)度。此外，借助根據(jù)本發(fā)明的方法產(chǎn)生的、有機(jī)電子組件的層的特征在于：在可見范圍中的高的光學(xué)透明度。在根據(jù)本發(fā)明的方法中使用的金屬絡(luò)合物以與常規(guī)的金屬絡(luò)合物類似的價格購得，并且此外能夠在沒有大的技術(shù)耗費的情況下制造。使用其中摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞的源整體上允許更低耗費地、節(jié)省時間地并且成本更適宜地制造有機(jī)電子組件。根據(jù)本發(fā)明的方法因此尤其良好地適合應(yīng)用于工業(yè)規(guī)模中。根據(jù)本發(fā)明的方法比常規(guī)的方法明顯更好地尤其適合于較大面積襯底的覆層，在所述常規(guī)的方法中例如使用點源。根據(jù)本發(fā)明的方法因此是大面積的覆層方法。在下文中簡要地參考若干術(shù)語定義：就本發(fā)明而言，術(shù)語“有機(jī)電子組件”通常表示和/或包括尤其有機(jī)晶體管、有機(jī)發(fā)光二極管、發(fā)光電化學(xué)電池、有機(jī)太陽能電池、光電二極管以及有機(jī)光伏裝置。就本發(fā)明而言，術(shù)語“p型摻雜質(zhì)”表示或包括尤其如下材料，所述材料具有路易斯酸性和/或所述材料能夠與基體材料構(gòu)成絡(luò)合物，在所述絡(luò)合物中，這些材料(即使僅形式上)起路易斯酸作用。在下文中探討根據(jù)本發(fā)明的方法的一系列優(yōu)選的實施方式：根據(jù)一個尤其優(yōu)選的實施方式，在根據(jù)本發(fā)明的方法中，在氣相沉積中使用線性源。在線性源中，從氣相中經(jīng)由間隙進(jìn)行沉積，所述間隙作為例如呈孔排形式的排出開口。在此，分子經(jīng)常經(jīng)歷與源的壁的幾千次碰撞，直至其最后通過間隙或多個孔進(jìn)入到自由真空中。為了防止材料沉積在線性源的壁上，所述壁經(jīng)常加熱到比固有的升華點高20開爾文至80開爾文的溫度上。加熱到還更高的溫度也是可行的。常規(guī)的摻雜質(zhì)大多在與源的壁碰撞時分解。例如，發(fā)明人認(rèn)識到：wo2013/182389a2和wo2011/033023a1的許多金屬絡(luò)合物雖然對于借助點源來沉積是足夠穩(wěn)定的，然而，如實驗示出的那樣，所述絡(luò)合物不能夠借助線性源沉積，在所述線性源中絡(luò)合物經(jīng)受與源的壁碰撞。在schmid等著的“fluorinatedcopper(i)carboxylatesasadvancedtunablep-dopantsfororganiclight-emittingdiodes”(advancedmaterials2014,vol.26,6,878-885)的文章中描述的化合物也是p型摻雜材料。雖然在那描述的化合物能夠由本發(fā)明的發(fā)明人未分解地在點源中蒸發(fā)并且描述其特征，然而，轉(zhuǎn)移到線性源上是不可行的。根據(jù)一個優(yōu)選的實施方式，在根據(jù)本發(fā)明的方法中使用所描述形式的金屬絡(luò)合物，所述金屬絡(luò)合物是路易斯酸，即所述金屬絡(luò)合物用作電子對受體。這對于與基體材料的相互作用被證實為是尤其優(yōu)選的。本發(fā)明的一個實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物具有多個相同的配體l。這種絡(luò)合物通常比具有不同類型的配體l的金屬絡(luò)合物能夠更簡單地制備。本發(fā)明的一個實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物具有至少兩個不同類型的配體l。這種絡(luò)合物也能夠在如下源中沉積，所述源構(gòu)成為，使得引起摻雜質(zhì)與源的至少一個壁碰撞。本發(fā)明的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中除配體l之外，金屬絡(luò)合物還具有不同于l的其他式的其他配體。這種絡(luò)合物的特征也在于高的熱穩(wěn)定性。根據(jù)本發(fā)明的另一改進(jìn)方案，在根據(jù)本發(fā)明的方法中使用金屬絡(luò)合物，所述金屬絡(luò)合物具有至少一個開環(huán)的或部分可用的配位位置。這同樣對于與基體材料的相互作用被證實為是尤其優(yōu)選的。本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的金屬m選自：主族金屬和過渡金屬。尤其地，金屬m能夠是元素周期表的第13至第15族的主族金屬和金屬cu、cr、mo、rh和ru。這些絡(luò)合物作為在有機(jī)電子組件的有機(jī)層中的p型摻雜質(zhì)被證實是適合的。由于其路易斯酸性，借助所述金屬的絡(luò)合物實現(xiàn)良好的p型摻雜材料作用。此外，所描述的金屬絡(luò)合物能容易地導(dǎo)電性能夠簡單地經(jīng)由所述金屬的摻雜材料的濃度匹配于相應(yīng)的需要。本發(fā)明的另一改進(jìn)方案涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的金屬m是鉍或銅。例如其能夠是具有iii或v氧化態(tài)的鉍的金屬絡(luò)合物。在此，尤其優(yōu)選的是iii氧化態(tài)的鉍絡(luò)合物。例如，金屬絡(luò)合物是銅(i)或銅(ii)絡(luò)合物。在此，尤其優(yōu)選的是i氧化態(tài)的銅絡(luò)合物。銅和鉍的金屬絡(luò)合物作為尤其有效的p型摻雜材料被證實為是適合的，所述p型摻雜材料能夠簡單地制備。例如，包括具有所述摻雜材料的空穴傳輸層的有機(jī)電子組件的特征在于特別良好的導(dǎo)電性。此外，相應(yīng)的絡(luò)合物是尤其熱穩(wěn)定的。在一個尤其優(yōu)選的實施方式中，取代基r1是至少雙重氟化的取代基，也就是說，r1具有至少兩個氟原子。更優(yōu)選的是：取代基r1是全氟化的取代基。氟化程度越高，取代基對金屬絡(luò)合物的穩(wěn)定效果就越強(qiáng)。本發(fā)明的一個尤其優(yōu)選的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物中的配體l的取代基r1中的至少一個取代基是-cf3基團(tuán)。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：借助這類金屬絡(luò)合物的根據(jù)本發(fā)明的方法是尤其優(yōu)選的，因為這類金屬絡(luò)合物具有尤其高的熱穩(wěn)定性，進(jìn)而也在在引起金屬絡(luò)合物與源的至少一個壁碰撞的源中使用時不分解。發(fā)明人觀察到：作為配體l的取代基r1的-cf3基團(tuán)的電子特性和空間特性引起尤其穩(wěn)定的金屬絡(luò)合物。尤其地，實現(xiàn)非常高的熱穩(wěn)定性，使得具有作為配體l的取代基r1的-cf3基團(tuán)的金屬絡(luò)合物在遠(yuǎn)超過升華點的溫度的情況下才分解。-cf3基團(tuán)也有助于金屬絡(luò)合物的較高的路易斯酸性并且引起尤其良好的摻雜材料強(qiáng)度，這有助于在所制造的有機(jī)電子器件的有機(jī)層中的導(dǎo)電性。此外，與在用于制備配體l的初始材料中的其他氟化的脂肪烴對比，具有-cf3取代基的配體更盛行，使得取代基r1是-cf3基團(tuán)的配體比具有其他取代基r1的配體通常更容易獲得并且更便宜。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中配體l具有剛好兩個取代基r1，所述取代基r1分別形成-cf3基團(tuán)。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：以令人驚訝的方式，與使用例如僅一個-cf3基團(tuán)相反，通過使用兩個-cf3基團(tuán)能夠?qū)崿F(xiàn)金屬絡(luò)合物的溫度穩(wěn)定性的進(jìn)一步改進(jìn)。這在借助源施加包含所述金屬絡(luò)合物作為摻雜材料的有機(jī)層時得到尤其好的結(jié)果，其中在所述源中摻雜材料、即摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中配體l具有剛好兩個取代基r1，所述取代基r1分別形成-cf3基團(tuán)并且設(shè)置在配體l的苯環(huán)上的3、5位上。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：具有所述連接度的配體l的絡(luò)合物允許尤其高的熱穩(wěn)定性。發(fā)明人確定：通過處于苯環(huán)上3、5位中的基團(tuán)的空間要求，金屬絡(luò)合物的尤其良好的穩(wěn)定性是可行的。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中取代基r2彼此獨立地選自：-cn、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基和取代的或未取代的苯基。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：這類絡(luò)合物借助如下源蒸發(fā)而沒有絡(luò)合物的分解是可行的，在所述源中摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞。因此，具有配體l的絡(luò)合物也能夠使用在線性源中，其中不是全部的取代基都是氟化的烴。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的配體l不具有取代基r2，也就是說，m＝0。因為未氟化的烴取代基比氟化的烴取代基具有更高的反應(yīng)性，所以棄用取代基r2引起來進(jìn)一步改進(jìn)穩(wěn)定性進(jìn)而引起借助如下源從氣相中更好的可沉積性，在所述源中金屬絡(luò)合物與源的至少一個壁碰撞。在本發(fā)明的另一優(yōu)選的改進(jìn)方案中，金屬絡(luò)合物具有剛好兩個取代基r1或還更多個取代基r1。兩個或更多個取代基r1引起尤其良好地向外屏蔽絡(luò)合物，進(jìn)而允許金屬絡(luò)合物的尤其良好的穩(wěn)定。本發(fā)明的另一優(yōu)選的改進(jìn)方案涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的配體l的e1和e2是氧。在這種情況下，配體l是苯甲酸的用氟化的烴取代的衍生物。本發(fā)明的發(fā)明人確定：這類金屬絡(luò)合物尤其良好地適合用于借助經(jīng)由如下源沉積來制造有機(jī)電子器件，在所述源中摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的壁中的至少一個壁碰撞，因為所述金屬絡(luò)合物能夠容易地制備，所以得到良好摻雜強(qiáng)度的金屬絡(luò)合物并且滿足對熱穩(wěn)定性方面尤其高的要求。尤其地，苯甲酸的衍生物通常是易于商購的或無需高的技術(shù)耗費地制備。本發(fā)明的一個尤其優(yōu)選的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的配體l彼此獨立地選自：如果存在多個配體l，那么在此，能夠彼此獨立地選擇金屬絡(luò)合物的全部配體l。例如，金屬絡(luò)合物中能夠存在多個不同的所述配體l或全部配體l也能夠是相同的。本發(fā)明的發(fā)明人確定：具有出自該組的配體l的金屬絡(luò)合物具有尤其良好的耐熱性，并且此外具有尤其良好的摻雜材料特性。以令人驚訝的方式發(fā)現(xiàn)：這些金屬絡(luò)合物以特殊的方式適合借助如下源沉積，其中金屬絡(luò)合物經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞并且盡管如此在源中不分解。本發(fā)明的另一優(yōu)選的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的配體l彼此獨立地選自：配體l的所述實例能以可接受的價格商業(yè)購得進(jìn)而不必須以自產(chǎn)方式制備。所述實例因此也尤其適合在工業(yè)規(guī)模中應(yīng)用。本發(fā)明的還更優(yōu)選的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物的配體l是通過應(yīng)用具有在3、5位中的兩個-cf3取代基的苯甲酸的衍生物獲得金屬絡(luò)合物，所述金屬絡(luò)合物仍遠(yuǎn)在升華溫度之上是熱穩(wěn)定的。該絡(luò)合物尤其良好地適合用于借助經(jīng)由如下源、例如線性源進(jìn)行沉積的方法，在所述源中出現(xiàn)與源的壁中的至少一個碰撞。此外，其得到具有出色的電子特性的有機(jī)電子器件。在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一實施形式中，所使用的金屬絡(luò)合物是單原子核的金屬絡(luò)合物、即具有僅一個中心原子的金屬絡(luò)合物。在根據(jù)本發(fā)明的方法的與之不同的實施方式中，使用多核的金屬絡(luò)合物。以該方式，通常通過多個路易斯酸中心的可用性能夠還更好地調(diào)節(jié)待沉積的有機(jī)層的導(dǎo)電性。本發(fā)明的另一構(gòu)成方案涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中使用均配的金屬絡(luò)合物。這類絡(luò)合物可經(jīng)常不太耗費地制備，因為所述絡(luò)合物僅包括配體l的式的配體的類型。因此，也沒有導(dǎo)入其他配體，所述配體能夠潛在地降低整個絡(luò)合物的穩(wěn)定性。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中配體l彼此獨立地通過下列式之一的配位物結(jié)合到金屬絡(luò)合物的金屬原子m上：發(fā)明人的實驗發(fā)現(xiàn)指出：與金屬原子m的結(jié)合能夠是多種多樣的。配體能夠以單齒的、雙齒的或橋接方式結(jié)合，以便引起溫度穩(wěn)定性的提高。本發(fā)明的一個尤其優(yōu)選的實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物是鉍絡(luò)合物，并且其中配體l能夠彼此獨立地具有下列一般結(jié)構(gòu)：其中取代基r1選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，并且其中取代基r3選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的或未氟化的脂肪烴，芳基和雜芳基，其中a能夠等于0或1。本發(fā)明的發(fā)明人認(rèn)識到：具有所述配體的鉍絡(luò)合物具有尤其高的耐熱性。因此，所述絡(luò)合物能夠借助如下源尤其良好地沉積，在所述源中出現(xiàn)與源的壁中的至少一個碰撞，因此，所述方法允許以尤其少量的技術(shù)耗費制造有機(jī)電子組件進(jìn)而是尤其成本低的。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物具有下述分解溫度，所述分解溫度比金屬絡(luò)合物的升華溫度高于10開爾文，還高20開爾文并且尤其高超過40開爾文。最優(yōu)選地，分解溫度比金屬絡(luò)合物的升華溫度高超過70開爾文。分解溫度越高于金屬絡(luò)合物的升華溫度，金屬絡(luò)合物相對與源的壁的碰撞就越穩(wěn)定。本發(fā)明的另一實施方式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中有機(jī)電子層的例如借助共蒸鍍與金屬絡(luò)合物共同沉積的基體材料選自如下組，所述組包括例如能夠應(yīng)用于空穴傳輸層中的材料的一種或多種或由其構(gòu)成，所述材料是：npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)，β-npbn,n′-雙(萘-2-基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)tpd(n-n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)螺-tpd(n,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺)螺-npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-螺)dmfl-tpdn,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二甲基-芴)n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-2,2-二甲基聯(lián)苯胺n,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-螺芴n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-螺芴dmfl-npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二甲基-芴)dpfl-tpd(n,n′-雙(3-甲基苯基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二苯基-芴)dpel-npb(n,n′-雙(萘-1-基)-n,n′-雙(苯基)-9,9-二苯基-芴)螺-tad(2,2′,7,7′-四(n,n-二苯基氨基)-9,9′-螺二芴)9,9-雙[4-(n,n-雙-聯(lián)苯-4-基-氨基)苯基]-9h-芴9,9-雙[4-(n,n-雙-萘-2-基-氨基)苯基]-9h-芴9,9-雙[4-(n,n′-雙-萘-2-基-n,n′-雙-苯基-氨基)-苯基]-9h-芴n,n′-雙(菲-9-基)-n,n′-雙(苯基)-聯(lián)苯胺2,7-雙[n,n-雙(9,9-螺二芴-2-基)氨基]-9,9-螺二芴2,2′-雙[n,n-雙(聯(lián)苯-4-基)氨基]9,9-螺二芴2,2′-雙[n,n-雙-苯基-氨基]9,9-螺二芴雙-[4-(n,n-聯(lián)甲苯-氨基)-苯基]環(huán)己胺2,2′,7,7′-四(n,n-雙-甲苯基)氨基-螺二芴n,n,n′,n′-四-萘-2-基-聯(lián)苯胺2,2′,7,7′-四[n-萘基(苯基)氨基]-9,9-螺二芴螺-ttb(2,2′,7,7′-四-(n,n′-二對甲苯氨基)-9,9′-螺二芴)氧鈦酞菁銅酞菁2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-醌二甲烷4,4′,4″-三(n-3-甲基苯基-n-苯基-氨基)三苯胺4,4′,4″-三(n-(2-萘基)-n-苯基-氨基)三苯胺4,4′,4″-三(n-(1-萘基)-n-苯基-氨基)三苯胺4,4′,4″-三(n,n-二苯基-氨基)三苯胺吡嗪并[2,3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二腈n,n,n′,n′-四(4-甲氧基苯基)聯(lián)苯胺這些材料作為有機(jī)電子組件中的基體材料被證實為是適合的。本發(fā)明的另一實施形式涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中可借助該方法制造的有機(jī)電子器件的至少一個有機(jī)電子層是電子阻擋層。在此，借助其中出現(xiàn)與源的至少一個壁碰撞的、具有至少部分地引導(dǎo)電子的基體材料的源、例如線性源進(jìn)行共蒸鍍。在此，典型的引導(dǎo)電子的材料是：2,2′,2″-(1,3,5-次苯基)三(1-苯基-1-h-苯并咪唑)2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉8-羥基喹啉-鋰4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑1,3-雙[2-(2,2′-聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯4,7-二苯基-1,10-菲咯啉3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁6,6′-雙[5-(聯(lián)苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2′聯(lián)吡啶2-苯基-9,10-雙(萘-2-基)-蒽2,7-雙[2-(2,2'聯(lián)吡啶-6-基)-1,3,4-惡二唑-5-基]-9,9-二甲基芴1,3-雙[2-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑-5-基]苯2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉2,9–雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)甲硼烷1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1h-咪唑并[4,5-f][1,10]菲咯啉電子流的阻擋和限界例如對于高效的有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)有重要意義，進(jìn)而根據(jù)本發(fā)明的方法在工業(yè)制造的范圍內(nèi)是高度有用的。除根據(jù)本發(fā)明的方法之外，本發(fā)明還涉及有機(jī)電子組件，所述有機(jī)電子組件包括至少一個有機(jī)電子層。有機(jī)電子層包括基體，其中基體包含鉍絡(luò)合物作為摻雜質(zhì)，例如p型摻雜質(zhì)。鉍絡(luò)合物包括至少一個結(jié)合到鉍原子上的配體l，其中配體l能夠彼此獨立地具有下列一般結(jié)構(gòu)：其中取代基r1選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烴，并且其中取代基r3選自：具有1個至10個碳原子的分枝或未分枝的、氟化或未氟化的脂肪烴、芳基和雜芳基，其中a能夠等于0或1。本發(fā)明的發(fā)明人確定：該形式的有機(jī)電子器件與常規(guī)的有機(jī)電子器件相比能夠以明顯更低的技術(shù)耗費制成。這是可行的，因為根據(jù)本發(fā)明的器件具有剛剛描述的形式的鉍絡(luò)合物，所述鉍絡(luò)合物的特征在于尤其高的耐熱性。因此，使用如下制造方法也是可行的，所述制造方法需要金屬絡(luò)合物的較高的耐熱性，即為如下制造方法，其中在用于氣相沉積的源中出現(xiàn)絡(luò)合物與源的至少一個壁的碰撞或絡(luò)合物彼此間的碰撞。例如，借助線性源執(zhí)行制造是可行的，所述線性源需要尤其高的耐熱性。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電子組件的另一實施方式的特征在于：配體l獨立地選自：除尤其簡單的制造之外，由于鉍絡(luò)合物的耐熱性，所述組件還是尤其低成本的，因為所提到的配體能夠以可接受的價格商業(yè)購得進(jìn)而不需要自產(chǎn)。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)光電子組件的一個尤其優(yōu)選的實施方式涉及組件，其中鉍絡(luò)合物的配體l在苯環(huán)的3和5位中被取代。這種絡(luò)合物是尤其穩(wěn)定的。根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)光電子組件的一個尤其優(yōu)選的實施方式涉及組件，其中鉍絡(luò)合物的配體l是根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)光電子組件的一個尤其優(yōu)選的實施方式涉及組件，其中鉍絡(luò)合物是如下絡(luò)合物本發(fā)明的發(fā)明人觀察到：該絡(luò)合物顯示出良好的摻雜材料特性和尤其高的耐熱性。絡(luò)合物在超過其升華溫度70℃的溫度下仍是穩(wěn)定的，進(jìn)而出色地適合用于如下制造方法，所述制造方法需要所使用的摻雜材料的高的耐熱性。絡(luò)合物突出地也適合用于在需要絡(luò)合物尤其穩(wěn)定的源、尤其其中出現(xiàn)與源的至少一個壁碰撞的源中進(jìn)行氣相沉積。例如絡(luò)合物能夠以低的耗費在借助線性源沉積期間與基體材料共同施加。出于這些原因，包括所述絡(luò)合物的有機(jī)光電子組件也能夠以大技術(shù)規(guī)模尤其簡單并且成本低地制造，并且所述有機(jī)光電子組件具有如下有機(jī)電子層，所述有機(jī)電子層具有例如在導(dǎo)電性方面非常良好的電學(xué)特性。上述的以及所要求保護(hù)的且在實施例中描述的可根據(jù)本發(fā)明應(yīng)用的組件的尺寸、形狀設(shè)計、材料選擇和技術(shù)設(shè)計不受特殊的例外條件影響，使得能夠不受限地應(yīng)用在應(yīng)用領(lǐng)域中已知的選擇標(biāo)準(zhǔn)。附圖說明從下面描述的附圖和所屬的實例以及參考實例中得出本發(fā)明的主題的其他細(xì)節(jié)、特征和優(yōu)點。在附圖中示出：圖1示意性示出有機(jī)發(fā)光二極管(10)的構(gòu)造。發(fā)光二極管由玻璃層(1)；透明導(dǎo)電氧化物(toc)或pedot：pps層或pani層(2)；空穴注入層(3)；空穴傳輸層(htl)(4)；發(fā)射體層(eml)(5)；空穴阻擋層(hbl)(6)；電子傳輸層(etl)(7)；電子注入層(8)和陰極層(9)；圖2示意性示出具有pin結(jié)構(gòu)(20)的有機(jī)太陽能電池的構(gòu)造，所述有機(jī)太陽能電池將光(21)轉(zhuǎn)換成電流。太陽能電池由用銦錫氧化物構(gòu)成的層(22)；p型摻雜的層(23)；吸收層(24)；n型摻雜的層(25)和金屬層(26)構(gòu)成；圖3示意性示出有機(jī)場效應(yīng)晶體管(30)的可行的橫截面。在襯底(31)上施加?xùn)艠O電極(32)、柵極電介質(zhì)(33)、源極和漏極接觸部(34+35)和有機(jī)半導(dǎo)體(36)。劃陰影的位置表示如下位置，在所述位置處接觸摻雜是有益的。圖4示出根據(jù)creaphys公司的點源的現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)造。點源具有坩堝(41)。待沉積的材料在坩堝中在真空條件下蒸發(fā)。在材料蒸發(fā)之后，分子經(jīng)由排出開口(42)離開點源。由于真空中(10-5mbar至10-6mbar)高的平均自由行程，例如金屬絡(luò)合物的分子無其他碰撞地射到襯底上，其中所述金屬絡(luò)合物起摻雜質(zhì)作用。這表示：材料必須在僅略超過升華溫度上是熱穩(wěn)定的，以便能夠未分解地沉積在襯底上。尤其，借助點源沉積的摻雜材料不射到源的壁上，而是能夠通過直接設(shè)置在源的開口處來直接沉積在待覆層的襯底上。坩堝的蒸發(fā)摻雜質(zhì)的區(qū)域以及排出開口和襯底因此處于直線布置中。尤其地，在所述摻雜質(zhì)射到襯底上之前，摻雜質(zhì)無需經(jīng)由管路系統(tǒng)或噴灑系統(tǒng)改道來沉積。圖5示例地以vecco公司的示意性示出的線性源來示出線性源的構(gòu)造。線性源具有坩堝(51)，所述坩堝能夠是可取下的。在坩堝中的待沉積的材料、例如摻雜質(zhì)蒸發(fā)之后，處于氣相中的摻雜質(zhì)經(jīng)由管路(53)引導(dǎo)至排出開口(52)。在此，排出開口(52)例如能夠是間隙狀的或由孔排構(gòu)成。線性源不允許摻雜質(zhì)直接地、直線地到達(dá)襯底，而是相反，摻雜質(zhì)在線性源中通常多次轉(zhuǎn)向。在此，出現(xiàn)摻雜質(zhì)與線性源的壁的大量碰撞。此外，線性源能夠包含可控制的閥(54)、流量調(diào)節(jié)器(56)以及用于例如加熱設(shè)備或閥的電子控制裝置的相應(yīng)的布線(55)。通過有針對性引導(dǎo)氣流能夠尤其良好地實現(xiàn)大面積的沉積。圖6針對實施i示出未摻雜的基體材料以及對于摻雜的基體材料的電流密度與電壓的關(guān)系。在此，空穴導(dǎo)體2,2′,7,7′-四(n,n′-二對甲苯)氨基)-9,9′-螺二芴)、簡稱螺-ttb用作基體材料。電流密度-電壓特性曲線表明：15％的cu(3,5-tfmb)在空穴導(dǎo)體螺-ttb中的足夠的摻雜性能。圖7關(guān)于實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的1-tnata示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量在借助點源產(chǎn)生的摻雜的基體材料處執(zhí)行，以便實現(xiàn)在相同條件下與對比實例將電學(xué)性能進(jìn)行比較。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。電壓特性曲線表明鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的良好的導(dǎo)電性并且證明鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的良好的摻雜材料強(qiáng)度。圖8關(guān)于實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基-苯甲酸的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖9關(guān)于參考實例i針對摻雜有鉍(iii)-三(2,6-二氟苯甲酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖10關(guān)于參考實例i針對摻雜有鉍(iii)-三(2,6-二氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖11關(guān)于參考實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-氟苯甲酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖12關(guān)于參考實例ii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖13關(guān)于參考實例iii針對摻雜有鉍(iii)-三(3-氟苯甲酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖14關(guān)于參考實例iii針對摻雜有鉍(iii)-三(3-氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖15關(guān)于參考實例iv針對摻雜有鉍(iii)-三(3,5-二氟苯甲酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖16關(guān)于參考實例iv針對摻雜有鉍(iii)-三(3,5-二氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖17關(guān)于參考實例v針對摻雜有鉍(iii)-三(3,4,5-三氟苯甲酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖18關(guān)于參考實例v針對摻雜有鉍(iii)-三(3,4,5-三氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖19關(guān)于參考實例vi針對摻雜有鉍(iii)-三(全氟苯甲酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖20關(guān)于參考實例vi針對摻雜有鉍(iii)-三(全氟苯甲酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖21關(guān)于參考實例vii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-全氟甲苯甲酸鹽/酯)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖22關(guān)于參考實例vii針對摻雜有鉍(iii)-三(4-全氟甲苯甲酸鹽/酯)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb的參考實例vii方面電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖23關(guān)于參考實例viii針對摻雜有鉍(iii)-三(三氟乙酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖24關(guān)于參考實例viii針對摻雜有鉍(iii)-三(三氟乙酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。圖25關(guān)于參考實例ix針對摻雜有鉍(iii)-三(三乙酸)的1-tnata示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。測量分別在三個不同的摻雜材料含量的情況下執(zhí)行。圖26關(guān)于參考實例ix針對摻雜有鉍(iii)-三(三乙酸)的基體材料1-tnata、螺-ttb和α-npb示出通過借助點源沉積獲得的摻雜的基體材料的電流密度相對于電壓以及電流密度相對于外部電場強(qiáng)度的關(guān)系。具體實施方式在下文中，介紹兩個實例i和實例ii。兩種金屬絡(luò)合物銅(i)雙-三氟-甲基苯甲酸(實例i)和鉍(iii)三-3,5-三氟甲基苯甲酸(實例ii)憑借明顯超過其升華溫度的分解溫度而是極其溫度穩(wěn)定的。兩種絡(luò)合物能夠借助如下源沉積，在所述源中絡(luò)合物經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞。例如，兩種絡(luò)合物具有對于經(jīng)由線性源進(jìn)行氣相沉積足夠高的穩(wěn)定性。這通過所謂的安瓿測試以實驗方式證實。全部其他參考實例、即參考實例i至參考實例ix在安瓿測試中沒有顯示出足夠的穩(wěn)定性。發(fā)明人實驗性確定：這些物質(zhì)不適合用于借助如下源沉積，在所述源中絡(luò)合物經(jīng)歷碰撞。在下文中，同樣研究相應(yīng)摻雜的層的電學(xué)性能。因為參考實例i至參考實例ix的金屬絡(luò)合物分別對于借助其中出現(xiàn)與源的至少一個壁碰撞的源進(jìn)行沉積是不足夠穩(wěn)定的，所以測量在經(jīng)由點源沉積的有機(jī)電子層處執(zhí)行并且相互比較。例如，參考實例i至ix的絡(luò)合物對于借助線性源沉積是不足夠穩(wěn)定的。實例i實例i涉及金屬絡(luò)合物銅(i)雙-三氟甲基苯甲酸(在下文中簡稱為cu(3,5-tfmb))。一般地，以如下途徑制備苯甲酸的多個銅(i)絡(luò)合物的氟化的衍生物：以類似方式能夠制備多種在根據(jù)本發(fā)明的方法中使用的金屬絡(luò)合物。因此，根據(jù)下列規(guī)則能夠從銅(i)-三氟乙酸中獲得例如金屬絡(luò)合物3,5-雙(三氟甲基苯甲酸)：5g(7.08mmol)的銅(i)-三氟乙酸連同7.5g(29.03mmol)的3,5-雙(三氟甲基苯甲酸)在250ml的雙頸燒瓶中在惰性氣體下(例如在手套箱中)稱重。混合物摻入有80ml的甲苯和70ml的苯，其中產(chǎn)生綠色的反應(yīng)溶液。在輕度回流條件下過夜加熱所述混合物(浴溫度大約90℃)，緊接著蒸餾出溶劑。保留奶油色-綠色的產(chǎn)物，所述產(chǎn)物在真空中干燥。在一次升華之后，產(chǎn)量為6.98g(76％)。在2×10-5mbar下，物質(zhì)的升華范圍在160℃-180℃。通過安瓿測試能夠證明：cu(3,5-tfmb)直至至少225℃是穩(wěn)定的。在安瓿測試中，在10-5mbar至10-6mbar的基礎(chǔ)壓力下熔化約100mg至500mg的待研究的物質(zhì)。緊接著，在爐中加熱安瓿，并且在相應(yīng)溫度下放置大約100小時。通過視覺檢查能夠識別：是否出現(xiàn)金屬絡(luò)合物的分解，因為分解導(dǎo)致變色，經(jīng)常導(dǎo)致變棕色。最后，在大約100小時之后，在第一測試溫度下以10開爾文至20開爾文的步距繼續(xù)加熱安瓿，并且在新的測試溫度下在爐中放置保持大約100小時。實驗繼續(xù)進(jìn)行，最后直至變色推斷出分解。在檢查實驗中，附加地，分別隨視覺確定之后，將具有相同的要測試的金屬絡(luò)合物的新的樣本的另一安瓿再次在爐中加熱大約100小時。在此，加熱到略低于視覺確定的分解溫度的溫度上。接著，借助元素分析研究如此處理的樣本，進(jìn)而經(jīng)由元素組分來證實絡(luò)合物的穩(wěn)定性。對于根據(jù)實例i的銅(i)雙-三氟甲基苯甲酸，在三個不同的溫度：210℃、230℃和240℃下執(zhí)行安瓿測試。測量證明：絡(luò)合物直至至少225℃是穩(wěn)定的。這借助元素分析證實。因此，cu(3,5-tfmb)適合用于從氣相中也借助從如下源中進(jìn)行沉積，在所述源中出現(xiàn)絡(luò)合物與源的壁中的至少一個碰撞。例如經(jīng)由線性源從氣相中沉積是可行的。摻雜有cu(3,5-tfmb)的層具有在可見范圍中非常好的光學(xué)透明度。此外，cu(3,5-tfmb)的特征在于足夠良好的摻雜材料強(qiáng)度。如還通過圖6示出，摻雜有cu(3,5-tfmb)的有機(jī)層具有良好的導(dǎo)電性。實例ii實例ii涉及根據(jù)本發(fā)明的方法，其中金屬絡(luò)合物是鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸(在下文中簡稱bi(3,5-tfmb)3)。根據(jù)實例ii的鉍絡(luò)合物以及參考實例i至參考實例vii的在下文中描述的金屬絡(luò)合物按照根據(jù)簡圖1的下列一般性的方法制備：簡圖1：在此，對于bi(3,5-tfmb)3，殘基rb和rd、即3、5位中的殘基分別是cf3取代基，并且殘基ra、rc和re分別是氫原子。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(3,5-tfmb)3(測量：碳33.5％；氫0.5％；計算：碳33.06％；氫0.92％)。借助安瓿測試確定鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸的熱穩(wěn)定性，如其已經(jīng)結(jié)合實例i描述。因此，在330℃下在144小時的時間片期間進(jìn)行熱處理時，金屬絡(luò)合物也是穩(wěn)定的。在低于330℃的溫度中，未觀察到安瓿變色。從330℃起才可見輕度變色。元素分析的數(shù)據(jù)也證實：絡(luò)合物在統(tǒng)計誤差范圍內(nèi)直至330℃是熱穩(wěn)定的。此外，如在表1中示出的那樣，類似的測試分別在260℃、280℃、315℃和330℃的溫度下執(zhí)行144小時。在此，熱處理過的物質(zhì)的樣本分別借助元素分析研究，其中確定碳含量。因此，根據(jù)如此確定的碳含量與未分解的絡(luò)合物的期望的碳含量的偏差，推斷出關(guān)于在相應(yīng)的熱處理之后的絡(luò)合物的分解程度是可行的。由發(fā)明人通過一系列測試能夠證明：根據(jù)實例ii的鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸具有尤其高的熱穩(wěn)定性，并且在考慮統(tǒng)計誤差的情況下，在高于330℃的溫度下才顯示出明顯的分解。表1：借助元素分析在安瓿的如下兩個不同位置(位置a，位置b)處確定碳含量，在安瓿測試之后物質(zhì)分別沉積在所述位置上。在不超過330℃的溫度下確定的碳含量與(為33.06％的)理論計算的含量的小的偏差證明：鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸的高的熱穩(wěn)定性。在超過330℃的溫度下才觀察到絡(luò)合物的明顯的分解。位置a位置b3×升華的材料沒有材料理論值+0.44％c在260℃下144h理論值+0.49％c理論值+0.05％c在280℃下144h理論值+0.63％c理論值+0.12％c在300℃下144h理論值+0.49％c沒有材料在315℃下144h理論值+0.47％c理論值+0.18％c在330℃下144h理論值+0.14％c分解因此，元素分析證實在不超過330℃下在考慮統(tǒng)計誤差的情況下絡(luò)合物的穩(wěn)定性。由于高的熱穩(wěn)定性，因此，如在鉍(iii)-三-3,5-三氟甲基苯甲酸的實例可見，具有氟化的烷基取代基r1的摻雜材料尤其適合用于借助如下源進(jìn)行氣相沉積，在所述源中金屬絡(luò)合物、即摻雜質(zhì)經(jīng)歷與源的至少一個壁碰撞。例如，金屬絡(luò)合物對于能夠無分解地經(jīng)由線性源從氣相中沉積是足夠穩(wěn)定的。摻雜有bi(3,5-tfmb)3的層具有在可見范圍中非常良好的光學(xué)透明度。此外，bi(3,5-tfmb)3的特征在于足夠良好的摻雜材料強(qiáng)度。這通過在下文中總結(jié)的實驗數(shù)據(jù)進(jìn)一步加以說明。在圖7、圖8和表2、表3中總結(jié)摻雜有bi(3,5-tfmb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表2：摻雜有bi(3,5-tfmb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。尤其研究在三個不同的摻雜材料含量(1:8、1:4和1:2)的情況下的電學(xué)性能的總結(jié)。在表2以及全部其他表中針對不同材料詳述的電學(xué)性能通過在承載在ito襯底上的200nm厚的有機(jī)層處測量來執(zhí)行，所述層通過經(jīng)由點源共蒸鍍獲得。在此，實驗?zāi)柋确謩e代表基體材料和金屬絡(luò)合物的摩爾比例。σ0代表測量到的有機(jī)電子層的導(dǎo)電性。ρc.；0代表接觸電阻。ebi代表半導(dǎo)體材料的內(nèi)部電場的電場強(qiáng)度(英文術(shù)語“built-inelectricfield內(nèi)建電場”；由在有機(jī)電子組件的陽極和陰極之間的輸出功的差得出該場強(qiáng)度)。εr說明通過共蒸鍍獲得的材料的介電常數(shù)。結(jié)合如在文獻(xiàn)中的不同的導(dǎo)電性理論中描述的有機(jī)電子層中載流子的傳輸基質(zhì)確定一系列參數(shù)。在此，r代表根據(jù)載流子傳輸模型(steiger等的“energetictrapdistributionsinorganicsemiconductors”syntheticmetals2002，129(1)，1-7；schwoerer等“organicmolecularsolids”，wiley-vch，2007)描述的指數(shù)分布的經(jīng)驗系數(shù)(英文術(shù)語“trapdistributionfactor”(陷阱分布系數(shù)))。μ0代表載流子遷移率并且γ代表場激活系數(shù)(英文術(shù)語：“field-activationfactor”)。例如，γ在根據(jù)murgatroyd公式：murgatroyd，p.n.“theoryofspace-charge-limitedcurrentenhancedbyfrenkeleffect”journalofphysicsd：appliedphysics1979，3(2)，151描述的載流子傳輸?shù)纳舷挛闹惺侵匾?。在?至表31中使用的術(shù)語“過于導(dǎo)電”、“彈道”、“非歐姆接觸”、“陷阱”、“老化”、“非tflc”、“限制(compliance)”在此分別具有下列意義：術(shù)語“過于導(dǎo)電”描述：由于層的過高的導(dǎo)電性，測量不具效力。術(shù)語“非歐姆接觸”表示：不存在電接觸。術(shù)語“限制”表達(dá)：達(dá)到測量儀器的預(yù)設(shè)的電流極限。術(shù)語“tflc”代表：根據(jù)steiger等和schwoerer等的論文為“陷阱填充限制基質(zhì)”并且參考有機(jī)電子層的載流子的傳輸基質(zhì)。術(shù)語“彈道”、“陷阱”、“老化”表示“ballistic彈道”、“trapping陷阱”、“aging老化”。在此，術(shù)語“彈道”、“陷阱”和“老化”涉及根據(jù)在所述文獻(xiàn)中描述的不同的導(dǎo)電性模型的其他傳輸機(jī)制。在此，不同的導(dǎo)電性機(jī)制能夠在電流-電壓相關(guān)性的指數(shù)處識別。各簡稱以類似方式也適用于表3至表21。表3：總結(jié)摻雜有(1:2)的bi(3,5-tfmb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能。對比在摻雜不同基體材料的情況下的電學(xué)性能。測量證實：摻雜有bi(3,5-tfmb)3的基體材料具有良好的電學(xué)性能、尤其足夠良好的導(dǎo)電性。在下文中，這通過與多種其他絡(luò)合物的電學(xué)性能對比加以說明，然而，所述絡(luò)合物與根據(jù)實例i的cu(3,5-tfmb)和根據(jù)實例ii的bi(3,5-tfmb)3相反，在安瓿測試中分別示出不足夠的耐熱性，進(jìn)而不適合借助如下源從氣相中沉積，在所述源中進(jìn)行與源的至少一個壁碰撞。參考實例i參考實例i涉及鉍(iii)-三(2,6-二氟苯甲酸)、簡稱bi(2,6-dfb)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。根據(jù)簡圖1執(zhí)行bi(2,6-dfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對于bi(2,6-dfb)3，殘基ra和re分別是氟原子并且剩余的取代基rb、rc和rd分別是氫原子。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(2,6-dfb)3(測量：碳36.2％；氫1.5％；計算：碳37.06％；氫1.32％)。在圖9、圖10和表4、表5中總結(jié)摻雜有bi(2,6-dfb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表4：摻雜有bi(2,6-dfb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表5：摻雜有(1:2)的bi(2,6-dfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。參考實例ii參考實例ii涉及鉍(iii)-三(4-氟苯甲酸)、簡稱bi(4-fb)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。根據(jù)簡圖1執(zhí)行bi(4-fb)3的合成。在此，在簡圖1中，對于bi(4-fb)3，殘基ra、rb、rd和re分別是氫原子并且僅rc是氟原子。在借助升華純化之后通過元素分析證實獲得bi(4-fb)3(測量：碳42.4％；氫2.3％；計算：碳40.26％；氫1.92％)。在圖11、圖12和表6、表7中總結(jié)摻雜有bi(4-fb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表6：摻雜有bi(4-fb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表7：摻雜有(1:2)的bi(4-fb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。參考實例iii參考實例iii涉及鉍(iii)-三(3-氟苯甲酸)、簡稱bi(3-fb)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。根據(jù)簡圖1執(zhí)行bi(3-fb)3的合成。在此，在簡圖1中，對于bi(3-fb)3，殘基ra、rc、rd和re分別是氫原子并且僅rb是氟原子。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(3-fb)3(測量：碳39.2％；氫2.3％；計算：碳40.26％；氫1.92％)。在圖13、圖14和表8、表9中總結(jié)摻雜有bi(3-fb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表8：摻雜有bi(3-fb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表9：摻雜有(1:2)的bi(3-fb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。參考實例iv參考實例iv涉及鉍(iii)-三(3,5-二氟苯甲酸)、簡稱bi(3,5-dfb)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。根據(jù)簡圖1執(zhí)行bi(3,5-dfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對于bi(3,5-dfb)3，殘基ra、rc和re分別是氫原子并且取代基rb和rd分別是氟原子。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(3,5-dfb)3(測量：碳36.3％；氫1.4％；計算：碳37.06％；氫1.32％)。在圖15、圖16和表10、表11中總結(jié)摻雜有bi(3,5-dfb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表10：摻雜有bi(3,5-dfb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表11：摻雜有(1:2)的bi(3,5-dfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。參考實例v參考實例v涉及鉍(iii)-三(3,4,5-三氟苯甲酸)、簡稱bi(3,4,5-tfb)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。根據(jù)簡圖1執(zhí)行bi(3,4,5-tfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對于bi(3,4,5-tfb)3，殘基ra和re分別是氫原子并且剩余的取代基rb、rc和rd分別是氟原子。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(3,4,5-tfb)3(測量：碳33.8％；氫1.2％；計算：碳34.33％；氫0.82％)。在圖17、圖18和表12、表13中總結(jié)摻雜有bi(3,4,5-tfb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表12：摻雜有bi(3,4,5-tfb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表13：摻雜有(1:2)的bi(3,4,5-tfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。參考實例vi參考實例vi涉及鉍(iii)-三(全氟苯甲酸)、簡稱bi(pfb)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。根據(jù)簡圖1執(zhí)行bi(pfb)3的合成。在此，在簡圖1中，對于bi(pfb)3，全部五個殘基ra至re分別是氟原子。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(pfb)3(測量：碳29.9(6)％；計算：碳29.93％)。在圖19、圖20和表14、表15中總結(jié)摻雜有bi(pfb)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表14：摻雜有bi(pfb)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表15：摻雜有(1:2)的bi(pfb)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。參考實例vii參考實例vii涉及鉍(iii)-三(4-全氟甲苯甲酸鹽/酯)、簡稱bi(4-pftl)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。在此，在簡圖1中，對于bi(4-pftl)3，殘基ra、rb、rd和re分別是氟原子并且rc是cf3-基團(tuán)。在借助升華純化之后，通過元素分析證實獲得bi(4-pftl)3(測量：碳30.0％；計算：碳29.03％)。在圖21、圖22和表16、表17中總結(jié)摻雜有bi(4-pftl)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表16：摻雜有bi(4-pftl)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表17：摻雜有(1:2)的bi(4-pftl)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。發(fā)明人考慮具有基于乙酸和三氟乙酸的配體的其他常規(guī)的金屬絡(luò)合物用于與在根據(jù)本發(fā)明的方法中應(yīng)用的絡(luò)合物對比：參考實例viii參考實例viii涉及鉍(iii)-三(三氟乙酸)、簡稱bi(tfa)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。在文獻(xiàn)(例如suzuki,h.；matano，y.in在organobismutchemistry，elsevier2001)中描述制備。在圖23、圖24和表18、表19中總結(jié)摻雜有bi(tfa)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表18：摻雜有bi(tfa)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。對于“在tflc之后，斜率減小到3/2附近的極限值(彈道)”和“剛好在指數(shù)性增長之前(老化)”參閱從一種電荷傳輸機(jī)制到另一種電荷傳輸機(jī)制的過渡。表19：摻雜有(1:2)的bi(tfa)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。從數(shù)據(jù)中顯而易見的是：也摻雜具有未氟化的配體的絡(luò)合物，然而，與具有氟化的配體的絡(luò)合物相比明顯更差。這些絡(luò)合物也同樣如其他參考實例那樣不適合用于如下源，在所述源中進(jìn)行與源的至少一個壁碰撞。參考實例ix參考實例ix涉及鉍(iii)-三(三乙酸)、簡稱bi(ac)3用作用于氣相沉積的金屬絡(luò)合物。該絡(luò)合物是可商購的。在圖25、圖26和表20、表21中總結(jié)摻雜有bi(ac)3的有機(jī)層的電學(xué)性能。表20：摻雜有bi(ac)3的1-tnata的電學(xué)性能的總結(jié)。表21：摻雜有(1:2)的bi(ac)3的基體材料1-tnata、α-npb和螺-ttb的電學(xué)性能的總結(jié)。多個所提出的實例，即實例i、實例ii以及大多數(shù)參考實例具有足夠良好的摻雜材料強(qiáng)度。在實例i和實例ii的情況下以及也在多個參考實例中，摻雜有這些絡(luò)合物的基體材料顯示出足夠良好的導(dǎo)電性。然而，在絡(luò)合物穩(wěn)定性、尤其熱穩(wěn)定性方面，僅實例i和實例ii的金屬絡(luò)合物滿足對于借助如下源進(jìn)行沉積的高的要求，在所述源中絡(luò)合物與源的至少一個壁發(fā)生碰撞。相反，參考實例的絡(luò)合物顯示出：沒有絡(luò)合物足夠穩(wěn)定來借助如下源從氣相中沉積，在所述源中發(fā)生與源的壁碰撞。例如，僅實例i和實例ii的絡(luò)合物能夠借助線性源沉積，但參考實例的絡(luò)合物都不能。全部絡(luò)合物對于借助點源沉積是足夠穩(wěn)定的，而因此僅具有至少一個取代基r1的絡(luò)合物滿足高的穩(wěn)定性要求。已經(jīng)提及的實施方案的特征和組成部分的各個組合是示例性的；同樣明確地考慮該教導(dǎo)與其他的教導(dǎo)的交換和代替，所述其他的教導(dǎo)包含在所述文獻(xiàn)中與所引用的參考文獻(xiàn)中。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到：同樣能夠出現(xiàn)在此描述的變型形式、修改形式和其他實施方案，而不會偏離本發(fā)明的發(fā)明思想和本發(fā)明的保護(hù)范圍。相應(yīng)地，上面的描述是示例性的并且不能夠視作為是限制性的。在權(quán)利要求中應(yīng)用的表述“包括”不排除其他的組成部分或步驟。不定冠詞“一個”不排除復(fù)數(shù)含義。在彼此不同的權(quán)利要求中陳述特定的計量單位的單純的事實不表示：不能夠有利地使用這些計量單位的組合。本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求和其所屬的等價形式中限定。本專利申請要求德國專利申請102014114231.4的優(yōu)先權(quán)，其公開的內(nèi)容通過參引并入本文。當(dāng)前第1頁12