本發(fā)明的實(shí)施例屬于半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，并且具體而言，屬于非平面晶體管的領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

finfet是圍繞半導(dǎo)體材料的薄條帶(被稱為“鰭狀物”)構(gòu)建的晶體管。晶體管包括標(biāo)準(zhǔn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)節(jié)點(diǎn)/部件：柵極、柵極電介質(zhì)、源極區(qū)和漏極區(qū)。器件的導(dǎo)電溝道處于柵極電介質(zhì)之下、在鰭狀物的外側(cè)上。具體地，電流沿著鰭狀物的兩個(gè)“側(cè)壁”以及沿著鰭狀物的頂側(cè)流動(dòng)。由于導(dǎo)電溝道實(shí)質(zhì)上沿著鰭狀部的三個(gè)不同的外部平面區(qū)域存在，因此這種finfet通常被稱為“三柵極”finfet。存在其它類型的finfet(例如“雙柵極”finfet，在其中導(dǎo)電溝道主要僅沿著鰭狀物的兩個(gè)側(cè)壁而不沿鰭狀物的頂側(cè)存在)。

附圖說明

根據(jù)所附權(quán)利要求、一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的以下具體實(shí)施方式和對(duì)應(yīng)的附圖，本發(fā)明的實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。在認(rèn)為適當(dāng)?shù)那闆r下，在附圖中重復(fù)附圖標(biāo)記以指示對(duì)應(yīng)的或類似的元件。

圖1描繪了在本發(fā)明的實(shí)施例中的關(guān)于硅鰭狀物形成的處理步驟。

圖2描繪了在本發(fā)明的實(shí)施例中的關(guān)于溝槽形成的處理步驟。

圖3描繪了在本發(fā)明的實(shí)施例中的關(guān)于溝槽填充、阻擋層形成以及溝道形成的處理步驟。

圖4描繪了在本發(fā)明的實(shí)施例中的關(guān)于氧化物去除和鰭狀物暴露的處理步驟。

圖5包括本發(fā)明的實(shí)施例的截面視圖。

圖6包括本發(fā)明的實(shí)施例的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖，其中，類似的結(jié)構(gòu)可以被提供有類似的后綴附圖標(biāo)記。為了更清楚地顯示各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，被包括在本文中的附圖是半導(dǎo)體/電路結(jié)構(gòu)的圖解表示。因此，所制造的集成電路結(jié)構(gòu)的實(shí)際外觀(例如在顯微照片中)可能顯得不同，然而仍然包含所例示的實(shí)施例的所要求保護(hù)的結(jié)構(gòu)。此外，附圖可以僅示出對(duì)理解所例示的實(shí)施例有用的結(jié)構(gòu)。可能不包括現(xiàn)有技術(shù)中已知的額外結(jié)構(gòu)以保持附圖的清晰。例如，不一定要示出半導(dǎo)體器件的每一層?！皩?shí)施例”、“各種實(shí)施例”等指示這樣描述的(多個(gè))實(shí)施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但不是每個(gè)實(shí)施例都必須包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。一些實(shí)施例可以具有針對(duì)其他實(shí)施例描述的一些、全部特征或沒有任何特征?！暗谝弧?、“第二”、“第三”等描述了共同的對(duì)象，并指示正在引用的類似對(duì)象的不同實(shí)例。這樣的形容詞并不暗示這樣描述的對(duì)象必須在時(shí)間上、空間上、排名上或以任何其它方式處于給定順序?！斑B接”可以指示元件彼此直接物理接觸或電接觸，并且“耦合”可以指示元件彼此協(xié)作或交互作用，但它們可以或可以不直接物理接觸或電接觸。

在高遷移率的溝道(例如，包括ⅲ-ⅴ族材料(例如gaas)或ⅳ族材料(例如ge或sige)的溝道)中可能需要對(duì)載流子(例如，電子和空穴)進(jìn)行限制。載流子限制可產(chǎn)生期望的器件特性，例如良好的靜電性。可以使用若干方法來獲得載流子限制。一個(gè)這種方法包括在溝道與“子鰭狀物”之間(位于鰭狀物正下方的諸如溝槽中的區(qū)域)使用異質(zhì)結(jié)能帶偏移。另一個(gè)這種方法使用對(duì)子鰭狀物材料的摻雜來獲得載流子限制。然而，這兩種方法都具有缺點(diǎn)?？梢韵拗茰系乐械妮d流子并與溝道晶格匹配的寬帶隙材料可能無法在具有高的高寬比(例如，高比寬大于或等于2：1)的溝槽中良好生長，這是由于這樣的材料傾向于具有與溝槽側(cè)壁的生長交互作用從而導(dǎo)致沿著溝槽側(cè)壁的缺陷形成(即，堆疊晶體中的缺陷)。此外，這樣的材料傾向于從溝槽的側(cè)壁生長，從而形成了接縫，在該接縫處從相對(duì)的溝槽側(cè)壁生長的材料與另一種材料相交。此外，不考慮在溝槽內(nèi)生長材料的能力，選擇與溝道材料晶格匹配的溝槽填充材料(以在溝道/溝槽或溝道/子鰭狀物材料界面處避免不期望的缺陷)限制了對(duì)寬帶隙材料的選擇，這可能對(duì)真正限制載流子的能力進(jìn)行限制。另外，高度摻雜可能導(dǎo)致?lián)诫s劑擴(kuò)散或遷移到溝道中并降低載流子的遷移率。

然而，實(shí)施例通過將薄的以及在一些實(shí)施例中寬的帶隙材料定位在溝道的正下方來避免或限制這些不足之處(例如，溝槽內(nèi)材料的不良生長、在溝槽內(nèi)生長的材料的有限選擇、不期望的摻雜劑遷移到溝道中)。材料的薄層可以位于溝道下方并且位于溝槽中其它材料上方。該薄的“阻擋”層由于其帶隙與溝道材料的差別而限制了溝道中的載流子。實(shí)施例解決了不足之處，因?yàn)槔缱钃鯇拥谋〗档土藢?duì)于溝道與阻擋層之間晶格匹配的需求(例如，如果薄層比薄層材料的臨界厚度薄并且薄層不填充整個(gè)溝槽)，從而增加了可以在阻擋層中使用的不同類型的材料以及填充阻擋層下方的溝槽的材料。實(shí)施例還解決了不足之處，因?yàn)槔缱钃鯇拥谋∪コ?減少了關(guān)于接縫形成的考慮，由于阻擋層不用于填充深溝槽。實(shí)施例還解決了不足之處，因?yàn)槔缫恍拵恫牧掀鸱乐箵诫s劑移動(dòng)到溝道中的摻雜劑擴(kuò)散阻擋部的作用。因此，實(shí)施例包括位于高遷移率溝道下方的寬帶隙材料的薄層以限制溝道中的載流子并防止摻雜劑擴(kuò)散到溝道中。這提高了晶體管靜電性并保留了高遷移率溝道性能。

作為附注，帶隙(還被稱為能隙或能帶隙)是固體中不存在電子態(tài)之處的能量范圍。在固體的電子帶結(jié)構(gòu)的圖中，帶隙通常指的是材料的價(jià)帶的頂部與導(dǎo)帶的底部之間的能量差(以電子伏或ev為單位)。帶隙能量等效于從原子核周圍的外層電子軌道釋放該外層電子以成為能夠在固體材料內(nèi)自由移動(dòng)的移動(dòng)電荷載流子所需的能量。

作為另一附注，特定材料在另一種材料上的生長呈現(xiàn)出許多挑戰(zhàn)。晶體缺陷是由兩層之間的晶格失配、極性-非極性(polar-on-nonpolar)失配以及熱失配產(chǎn)生的。當(dāng)例如層與襯底之間的晶格失配超過幾個(gè)百分比時(shí)，由失配引起的應(yīng)變變得太大，并且通過使上層/膜弛豫在上方的層中產(chǎn)生了缺陷。一旦膜厚度大于臨界厚度(即，膜在該厚度之下完全應(yīng)變并且在該厚度之上部分弛豫)，通過在膜和襯底界面處以及在上部膜中創(chuàng)建錯(cuò)配位錯(cuò)來使應(yīng)變弛豫。關(guān)于臨界層厚度，如果層的厚度保持足夠小以將彈性應(yīng)變能量維持在位錯(cuò)形成的能量以下，則應(yīng)變層結(jié)構(gòu)將在熱力學(xué)上相對(duì)位錯(cuò)形成是穩(wěn)定的，并且被認(rèn)為在其臨界層厚度以下。超過臨界層厚度導(dǎo)致由缺陷引起的弛豫。晶體缺陷可以是穿透位錯(cuò)、堆疊層錯(cuò)和孿晶的形式。許多缺陷(尤其是穿透位錯(cuò)和孿晶)趨向于傳播到制造半導(dǎo)體器件的“器件層”中。通常，缺陷產(chǎn)生的嚴(yán)重程度與層之間的晶格失配的量相關(guān)。

作為又一附注，實(shí)施例可以使用提供高寬比捕獲(art)的溝槽。art基于以特定角度向上傳播的穿透位錯(cuò)。art溝槽將所引起的材料缺陷(例如，位錯(cuò))限制到溝道區(qū)下方的層和溝槽內(nèi)，從而產(chǎn)生比如果溝道包括缺陷的情況下更有效地操作的相對(duì)無缺陷的溝道。

圖1包括硅襯底105和位于絕緣材料(例如，層間電介質(zhì)(ild))141內(nèi)的硅鰭狀物105’，絕緣材料141也被稱為淺溝槽隔離(sti)。圖2描繪了關(guān)于在ild141和襯底105內(nèi)形成溝槽109的處理步驟。圖3描繪了關(guān)于溝槽填充的處理步驟，由此在溝槽109內(nèi)形成了溝槽填充材料108以相對(duì)溝槽109的側(cè)壁捕獲位錯(cuò)/缺陷106。缺陷由于襯底105(例如si)與填充材料108(例如，ⅲ-ⅴ材料)之間的晶格失配而產(chǎn)生。位于填充材料108頂部的是阻擋層112和溝道107。以下針對(duì)圖5更加充分地涵蓋了關(guān)于圖3的大多數(shù)細(xì)節(jié)。圖4描繪了關(guān)于去除氧化物141和暴露鰭狀物(以暴露溝道107)的處理步驟。

圖5包括具有形成在ild141內(nèi)和襯底105的頂部上的art溝槽109的器件100。襯底105可以包括例如si。在art中，在第一半導(dǎo)體(105)中制造具有足夠高的高寬比的溝槽，以使得位于溝槽中的第二半導(dǎo)體(108)中的缺陷106終止于溝槽的側(cè)壁，并且終止點(diǎn)上方的任何層(例如，層107)是相對(duì)無缺陷的。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解“大體上無缺陷”或“相對(duì)無缺陷”不是絕對(duì)性術(shù)語，而相反是例如由用于使層成像的成像源(例如，透射電子顯微鏡(tem))的分辨率決定的相對(duì)性術(shù)語。例如，“大體上無缺陷”可以被解釋為小于百萬分之(ppm)1。

寬帶隙材料(例如，alas)使摻雜劑的擴(kuò)散變慢。在薄的阻擋層112中包含這樣的材料允許ⅲ-ⅴ材料體系108(以及在一些實(shí)施例中的ⅳ材料體系)的寬泛選擇被選取，以填充位于溝道107下方的溝槽109的大部分。溝槽填充材料108可以被高度摻雜以消除寄生子鰭狀物泄漏。此外，位于溝道107正下方的寬帶隙材料112限制了溝道中的載流子，并被用作針對(duì)摻雜材料108的摻雜劑擴(kuò)散阻擋部，而不必利用摻雜劑擴(kuò)散阻擋部112填充整個(gè)溝槽109或使阻擋層112與溝道107精確地晶格匹配。

圖5的實(shí)施例具有許多益處。例如，在不考慮與溝道107的晶格匹配的情況下，子鰭狀物填充材料108可被選取為最佳的填充或摻雜特性。在寬帶隙材料112內(nèi)包含al的實(shí)施例是有效的摻雜劑擴(kuò)散阻擋部(例如，alas、inalas)。另外，在實(shí)施例中，如果這樣的材料不超過其臨界層厚度，則擴(kuò)散阻擋部112是薄的并且實(shí)現(xiàn)了非晶格匹配材料(即，材料112不與溝道材料107晶格匹配)。在實(shí)施例中，氧化物去除的凹槽不必像針對(duì)載流子限制必須單獨(dú)使用摻雜一樣來精確控制子鰭狀物泄漏。結(jié)果，這實(shí)現(xiàn)了鰭狀物處理的可重復(fù)性，從而提供了更好的產(chǎn)品產(chǎn)量。另外，圖1的實(shí)施例包括未摻雜的寬帶隙材料112(或至少?zèng)]有像材料108那樣重?fù)诫s)，結(jié)電容將減小，從而產(chǎn)生器件100更好的靜電性。此外，寬帶隙材料112不僅限制了溝道中的載流子，這樣的材料還減慢了摻雜劑從材料108向上到溝道107的擴(kuò)散。

因此，實(shí)施例提供了良好的靜電性，這產(chǎn)生了更好的晶體管控制(例如，接通/關(guān)斷狀態(tài))，同時(shí)全部保留了溝道的高遷移率特性以及進(jìn)一步同時(shí)允許溝槽材料108的大范圍的可行ⅲ-ⅴ和/或ⅳ材料(其有助于限制溝道107中的載流子)。

盡管圖5公開了三柵極，但其它實(shí)施例可以包括雙柵極(bigate)(雙重柵極)晶體管結(jié)構(gòu)。例如，可以沿著溝道層107的側(cè)壁但不沿著溝道層107的頂部形成雙柵極。

在實(shí)施例中，柵極電介質(zhì)110的材料包括例如絕緣材料，該絕緣材料例如是二氧化硅(sio2)、氮氧化硅、氮化硅、和/或高k電介質(zhì)材料。通常，高k電介質(zhì)是介電常數(shù)大于sio2的介電常數(shù)的電介質(zhì)材料。示例性的高k電介質(zhì)材料包括二氧化鉿(hfo2)、鉿硅氧化物、氧化鑭、鑭鋁氧化物、二氧化鋯(zro2)、鋯硅氧化物、二氧化鈦(tio2)、五氧化鉭(ta2o5)、鋇鍶鈦氧化物、鋇鈦氧化物、鍶鈦氧化物、氧化釔、氧化鋁、鉛鈧鉭氧化物、鈮鋅酸鉛、以及半導(dǎo)體領(lǐng)域中已知的其它材料。

在實(shí)施例中，柵極電極111的材料包括例如以下材料，例如：ti、w、ta、al、及其合金、和與稀土元素(例如，er、dy)或貴金屬(例如，pt)的合金、以及氮化物(例如，tan和tin)。

在實(shí)施例中，源極和/或漏極的材料包括例如：用于nmos的si、碳摻雜的si、以及磷摻雜的si；以及用于pmos應(yīng)用的硼摻雜的sixge1-x、硼摻雜的ge、硼摻雜的gexsn1-x、以及p摻雜的ⅲ-ⅴ化合物。

圖6包括實(shí)施例的側(cè)視圖，該實(shí)施例包括凹起的源極150、漏極151以及接觸部152、153。阻擋層112位于溝道107下方。金屬柵極111和柵極氧化物110位于溝道107上。填充材料108位于襯底105上。

用于電介質(zhì)層141、特征、和/或ild的典型電介質(zhì)材料包括二氧化硅和低k電介質(zhì)材料?？梢允褂玫母郊与娊橘|(zhì)材料包括：碳摻雜的氧化物(cdo)、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、有機(jī)聚合物(例如，全氟環(huán)丁烷或聚四氟乙烯、氟硅酸鹽玻璃(fsg))、和/或有機(jī)硅酸鹽(例如，倍半硅氧烷、硅氧烷或有機(jī)硅酸鹽玻璃)。電介質(zhì)層可以包括用于進(jìn)一步減小介電常數(shù)的毛孔。

本文中所示的器件可以包括附加的結(jié)構(gòu)，例如圍繞器件的絕緣層、附加的襯底層、金屬溝槽以及將源極和漏極連接到ic器件的其它部件的通孔、以及其它附加的層和/或器件。例如，根據(jù)在構(gòu)造器件和器件的期望特性時(shí)所采用的制造工藝，為簡(jiǎn)單起見而被示為一層的部件可以包括相同或不同材料的多層。

在襯底105(例如，半導(dǎo)體晶片)上安置本發(fā)明的實(shí)施方式。襯底表面(根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，晶體管結(jié)構(gòu)可以形成在該襯底表面上)包括例如：h封端的硅、二氧化硅、硅、硅鍺、ⅲ-ⅴ族(或在附加的周期表列編號(hào)方案中的13-14族)化合物半導(dǎo)體、主族氧化物、金屬、和/或二元或混合金屬氧化物。層和包括器件的層也可以被描述為在其上制造本發(fā)明的實(shí)施例的襯底或襯底的部分。在其上構(gòu)建半導(dǎo)體器件的襯底基部典型地是被切割開以產(chǎn)生單個(gè)ic芯片的半導(dǎo)體晶片。在其上構(gòu)建芯片的基部襯底典型地是硅晶片，雖然本發(fā)明的實(shí)施例不取決于所使用的襯底的類型。襯底也可以包括單獨(dú)或與硅或二氧化硅或其它絕緣材料組合的鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、銻化鎵、和/或其它ⅲ-ⅴ族材料。襯底可以是作為晶片的部分的體半導(dǎo)體材料。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是作為已從晶片分割下來的芯片的部分的體半導(dǎo)體材料。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是在絕緣體上方形成的半導(dǎo)體材料，例如絕緣體上半導(dǎo)體(soi)襯底。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是突出結(jié)構(gòu)，例如在體半導(dǎo)體材料上方延伸的鰭狀物。

以下的示例涉及進(jìn)一步的實(shí)施例。

示例1包括一種器件，該器件包括：具有溝槽的硅襯底，所述溝槽包括具有第一體晶格常數(shù)和ⅲ-ⅴ族材料的摻雜溝槽材料；鰭狀物結(jié)構(gòu)，其直接位于溝槽之上，所述鰭狀物結(jié)構(gòu)包括具有ⅲ-ⅴ族材料和ⅳ族材料中的至少一種以及第二體晶格常數(shù)的鰭狀物材料；阻擋層，其位于所述溝槽內(nèi)并直接接觸所述鰭狀物的底表面，所述阻擋層包括具有第三體晶格常數(shù)的阻擋層材料；其中，(a)所述溝槽具有至少2：1的高寬比(深度比寬度)，并且(b)所述阻擋層具有的高度不大于阻擋層材料的臨界厚度。

例如，如圖1中所示，溝槽109可以形成在襯底105中。襯底105本身可以形成在其它層上，例如絕緣層或襯底基部。另外，關(guān)于“體晶格常數(shù)”，如果“晶格常數(shù)”是立方晶胞晶體中的原子之間的距離，則“體晶格常數(shù)”涉及處于體狀態(tài)(bulkstate)而不受周圍層的影響的材料。因此，當(dāng)層112受到層108和/或107的影響時(shí)，層112的材料可具有不等于層112的晶格常數(shù)的體晶格常數(shù)。

實(shí)施例包括溝槽109，該溝槽109包括摻雜溝槽材料。該摻雜溝槽材料具有第一體晶格常數(shù)并且包括ⅲ-ⅴ族材料，例如gaas、inp、gap和gan等。實(shí)施例包括鰭狀物材料，該鰭狀物材料具有ⅲ-ⅴ族材料和ⅳ族材料中的至少一種以及第二體晶格常數(shù)。因此，鰭狀物材料可以包括gaas、inp、gap、gan、sige、ge等。

在實(shí)施例中，溝槽具有至少2：1的高寬比，但在其它實(shí)施例中，比為1.3:1、1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1、1.8:1、1.9:1、2.1:1、2.2:1以及更大。

在示例2中，示例1的主題可以任選地包括：其中，所述襯底具有的襯底體晶格常數(shù)不等于第一體晶格常數(shù)，并且第一體晶格常數(shù)總體上等于第三體晶格常數(shù)。

例如，si襯底將具有與材料108中的gaas的體晶格常數(shù)不等的體晶格常數(shù)。例如，通過總體上相等，第一和第三體晶格常數(shù)可以彼此在1％以內(nèi)。因此，部分107、108可以包括相同的材料，例如：gaas、inp、gap、gan、sige、ge等。

在示例3中，示例1-2的主題可以任選地包括：其中，第一體晶格常數(shù)、第二體晶格常數(shù)和第三體晶格常數(shù)全部互不相等。

例如，部分107可以包括sige或ge，部分108可以包括gaas、inp、gap和/或gan，并且部分112可以包括alas、inalas等。

在示例4中，示例1-3的主題可以任選地包括：其中，第二體晶格常數(shù)和第三體晶格常數(shù)互不相等。

例如，部分107可以包括sige或ge，并且部分112可以包括alas、inalas等。這提供了優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)椴糠?12具有的高度不大于阻擋層材料的臨界厚度，在112/107界面處將沒有或很少導(dǎo)致溝道107的問題的缺陷。

在示例5中，示例1-4的主題可以任選地包括：其中，摻雜溝槽材料比阻擋層材料更重?fù)诫s。

例如，阻擋層112可由于摻雜劑從部分108的遷移而具有一些摻雜。

在示例6中，示例1-5的主題可以任選地包括：其中，阻擋層材料未被摻雜。

在示例7中，示例1-6的主題可以任選地包括：其中(a)鰭狀物包括溝道、源極和漏極，(b)溝道包括溝道材料，所述溝道材料包括鰭狀物材料，并且(c)阻擋層材料具有的帶隙大于溝道材料的帶隙。

因此，實(shí)施例使用材料112來防止摻雜劑從部分108遷移到溝道107中并且還為溝道107中的載流子提供牽制作用。

在示例8中，示例1-7的主題可以任選地包括：其中，阻擋層材料相對(duì)于所述溝道的導(dǎo)帶對(duì)于所述溝道中的電子具有大于0.3ev的導(dǎo)帶偏移，并且對(duì)于所述溝道中的空穴具有大于0.3ev的價(jià)帶偏移。

在示例9中，示例1-8的主題可以任選地包括：其中，溝道直接位于溝槽之上，垂直軸與溝道和溝槽相交，并且與襯底共平面的水平軸正交于垂直軸。

例如，軸120與溝道107和溝槽109相交。軸120正交于軸121。

在示例10中，示例1-9的主題可以任選地包括：其中，鰭狀物與襯底不是一體的。

例如，考慮到材料108是替代了被去除的并與襯底105一體的原始鰭狀物部分的溝槽填充材料，所以材料108與襯底105不是一體的。

在示例11中，示例1-10的主題可以任選地包括：其中，阻擋層材料包括鋁。

在各種實(shí)施例中，材料112可以包括例如：inp、gaas、aias、inaias、gasb、aigasb、gap等(其中，al：as、in：al：as等的比例是變化的)。

在示例12中，示例1-11的主題可以任選地包括：其中，鰭狀物包括溝道、源極和漏極，并且溝道是外延的。

在示例13中，示例1-12的主題可以任選地包括：其中，阻擋層材料位于溝槽的上半部分而不位于溝槽的下半部分。

例如，溝槽109具有上半部分130和下半部分131，并且層112處于上半部分130。

在示例14中，示例1-13的主題可以任選地包括：其中，溝槽的上半部分具有的缺陷少于溝槽的下半部分具有的缺陷。

例如，相比于下半部分131，在上半部分130中少到不存在缺陷106。

在示例15中，示例1-14的主題可以任選地包括：其中，阻擋層直接接觸溝槽材料的頂表面。

在示例16中，示例1-15的主題可以任選地包括：其中，溝道直接位于溝槽之上，第一垂直軸與溝道和阻擋層相交，第二垂直軸與阻擋層和對(duì)應(yīng)于溝道的源極相交，第三垂直軸與阻擋層和對(duì)應(yīng)于溝道的漏極相交，并且與襯底共平面的水平軸正交于第一垂直軸、第二垂直軸和第三垂直軸。

例如，軸120與溝道107、阻擋層112以及溝槽109(未示出)內(nèi)的溝槽填充材料108相交。軸120正交于軸121。垂直軸122與源極150和阻擋層112相交。垂直軸123與漏極151和阻擋層112相交。

在示例17中，示例1-16的主題可以任選地包括：其中，阻擋層包括從阻擋層的底表面延伸到阻擋層的頂表面的不超過30nm的最大深度。

然而，在各種實(shí)施例中，該層可以薄至2nm并且厚至30nm。例如，層112可以包括深度132。

在示例18中，示例1-17的主題可以任選地包括：其中，溝槽的最底部包括1：1：1平面，并且溝槽的中間部分包括1：0：0平面。

例如，溝槽109的底部可以包括1：1：1平面136、1：0：0平面135或由多個(gè)平面組成的圓形底部。

在示例19中，示例1-18的主題可以任選地包括：其中，第二體晶格常數(shù)與第三體晶格常數(shù)互不相等，第一體晶格常數(shù)總體上等于第三體晶格常數(shù)，并且溝道是應(yīng)變的。

因此，在實(shí)施例中，材料112可以不同于材料108、107，并且材料107、108可以是相同的。

示例20包括一種器件，該器件包括溝槽，該溝槽包括摻雜溝槽材料，所述摻雜溝槽材料具有：(a)(ⅰ)第一體晶格常數(shù)以及(a)(ⅱ)ⅲ-ⅴ族材料和ⅳ族材料中的至少一種；鰭狀物結(jié)構(gòu)，其直接位于溝槽之上，所述鰭狀物結(jié)構(gòu)包括鰭狀物材料，所述鰭狀物材料具有：(b)(ⅱ)第二體晶格常數(shù)以及(b)(ⅱ)ⅲ-ⅴ族材料和ⅳ族材料中的至少一種；阻擋層，其位于溝槽內(nèi)并直接接觸鰭狀物的底表面，所述阻擋層包括具有第三體晶格常數(shù)的阻擋層材料；其中，(a)溝槽具有至少1.5：1的高寬比(深度比寬度)，并且(b)阻擋層具有的高度不大于阻擋層材料的臨界厚度。

無論是否超過了臨界厚度，都可以在成像(例如，tem)中由應(yīng)變示出。對(duì)于不同種類的結(jié)構(gòu)和鰭狀物寬度，臨界厚度可顯著變化。

因此，并非具有si襯底和材料108的所有實(shí)施例都局限于ⅲ-ⅴ材料。

在示例21中，示例20的主題可以任選地包括：其中，第二體晶格常數(shù)與第三體晶格常數(shù)互不相等。

在示例22中，示例20-21的主題可以任選地包括：其中，摻雜溝槽材料比阻擋層材料被更重?fù)诫s。

在示例23中，示例20-22的主題可以任選地包括：其中(a)鰭狀物包括溝道、源極和漏極，(b)溝道包括溝道材料，所述溝道材料包括鰭狀物材料，并且(c)阻擋層材料具有的帶隙大于溝道材料的帶隙。

在示例24中，示例20-23的主題可以任選地包括：其中，阻擋層材料包括鋁。

在示例25中，示例20-24的主題可以任選地包括：其中，阻擋層直接接觸溝槽材料的頂表面。

已經(jīng)出于說明和描述的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的實(shí)施例的前述描述。其并非旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制于所公開的精確形式。該說明書和所附權(quán)利要求包括術(shù)語，例如左、右、頂部、底部、之上、之下、上層、下層、第一、第二等，它們僅用于描述的目的并且不能被解釋為進(jìn)行限制。例如，指定相對(duì)垂直位置的術(shù)語指的是如下情況：襯底或集成電路的器件側(cè)(或有源表面)是該襯底的“頂”表面；襯底實(shí)際上可以采用任何取向，以使得在標(biāo)準(zhǔn)地面參照系中襯底的“頂部”側(cè)可以低于“底部”側(cè)，并且仍然落在術(shù)語“頂部”的含義內(nèi)。本文中(包括在權(quán)利要求中)使用的術(shù)語“在……上”不指示“在”第二層“上”的第一層直接位于第二層上并且與第二層直接接觸，除非特別說明；第一層與第一層上的第二層之間可以存在第三層或其它結(jié)構(gòu)?？梢圆捎枚鄠€(gè)位置和取向來制造、使用或運(yùn)送本文中描述的器件或物品的實(shí)施例。相關(guān)領(lǐng)域中的技術(shù)人員可以意識(shí)到，根據(jù)以上教導(dǎo)，許多修改和變型都是可行的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到對(duì)圖中所示的各種部件的各種等同組合和替換。因此，本發(fā)明的范圍不由該具體實(shí)施方式限制，而是由所附權(quán)利要求限制。