本發(fā)明關(guān)于一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制造方法，尤指一種利用n型非晶半導(dǎo)體層與p型非晶半導(dǎo)體層以及本征非晶半導(dǎo)體層的組合做為緩沖層的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制造方法。

背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，一異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PA100包含一半導(dǎo)體基板PA1、一第一本征非晶硅半導(dǎo)體層PA2、一第二本征非晶硅半導(dǎo)體層PA3、一第二n型非晶硅半導(dǎo)體層PA4、一第二p型非晶硅半導(dǎo)體層PA5、一第一透明導(dǎo)電層PA6、一第二透明導(dǎo)電層PA7、一第一導(dǎo)電線PA8、一第二導(dǎo)電線PA9。半導(dǎo)體基板PA1摻雜有一第一型半導(dǎo)體，例如為n型半導(dǎo)體，且半導(dǎo)體基板PA1為一結(jié)晶硅半導(dǎo)體基板。第一本征非晶硅半導(dǎo)體層PA2與第二本征非晶硅半導(dǎo)體層PA3分別形成在半導(dǎo)體基板PA1的兩側(cè)。第二n型非晶硅半導(dǎo)體層PA4形成在第一本征非晶硅半導(dǎo)體層PA2上，且第二n型非晶硅半導(dǎo)體層PA4摻雜有第一型半導(dǎo)體；而第二p型非晶硅半導(dǎo)體層PA5形成在第二本征非晶硅半導(dǎo)體層PA3上，且第二p型非晶硅半導(dǎo)體層PA5摻雜有一第二型半導(dǎo)體，而第二型半導(dǎo)體例如為p型半導(dǎo)體。其中，通過(guò)在結(jié)晶硅半導(dǎo)體基板的兩側(cè)分別形成本征非晶硅半導(dǎo)體層與摻雜有第一型半導(dǎo)體或第二型半導(dǎo)體的非晶硅半導(dǎo)體層，可形成雙層的異質(zhì)結(jié)層，有效的增加太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。然而，在實(shí)務(wù)運(yùn)用上，由于第一本征非晶硅半導(dǎo)體層PA2與第二本征非晶硅半導(dǎo)體層PA3本身就會(huì)布滿許多缺陷，因此會(huì)影響到電子與空穴的移動(dòng)。為了解決本征非晶半導(dǎo)體層的缺陷問(wèn)題，現(xiàn)有的技術(shù)更研發(fā)出利用氫離子改質(zhì)的方式，在沉積形成本征層時(shí)通入高濃度的氫氣去使本征非晶硅的懸空鍵與氫離子結(jié)合，進(jìn)而減少缺陷的存在。此外，也有在本征層形成時(shí)進(jìn)行摻雜微量的n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體，以降低異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池整體的阻值，其中，雖然微摻雜的方式可以降低阻值，但卻會(huì)使界面缺陷的濃度增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
有鑒在在現(xiàn)有技術(shù)中，通常是在結(jié)晶硅的半導(dǎo)體基板的兩側(cè)皆形成本征層與非晶半導(dǎo)體層以構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)，其中本征層的功用在在鈍化基板的懸空鍵(danglingbond)，并因其本體缺陷較少，因此能形成有效的異質(zhì)結(jié)，進(jìn)而顯著提升電池的開(kāi)路電壓，然而，也因?yàn)楸菊鲗游磽诫s有任何p型半導(dǎo)體或n型半導(dǎo)體，使得本征層本身的電阻較高。此外，由于本征層所帶的界面固定電荷較小，因此場(chǎng)效應(yīng)鈍化的效果較差，影響電池的填充因子，導(dǎo)致異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的效能會(huì)受到限制。而為了改善上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)利用微摻雜的方式去降低阻值并增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)的效果，但卻會(huì)使界面缺陷濃度增加。緣此，本發(fā)明的主要目的是提供一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制造方法，通過(guò)n型非晶半導(dǎo)體層與p型非晶半導(dǎo)體層的微摻雜配合摻雜氣體等離子體處理來(lái)降低界面缺陷濃度、降低阻值與增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)的鈍化效果。承上所述，本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題所采用的必要技術(shù)手段是提供一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包含一半導(dǎo)體基板、一第一緩沖層、一第二緩沖層、一第二n型非晶半導(dǎo)體層、一第二p型非晶半導(dǎo)體層、一第一透明導(dǎo)電層以及一第二透明導(dǎo)電層。半導(dǎo)體基板具有相對(duì)設(shè)置的一第一表面與一第二表面，且半導(dǎo)體基板摻雜有一第一型半導(dǎo)體。第一緩沖層設(shè)置在第一表面上，并且包含一第一n型非晶半導(dǎo)體層以及一第一本征非晶半導(dǎo)體層。第一n型非晶半導(dǎo)體層設(shè)置在第一表面上，且第一n型非晶半導(dǎo)體層的n型半導(dǎo)體摻雜濃度介于1×1014至1×1016原子/立方厘米。第一本征非晶半導(dǎo)體層設(shè)置在第一n型非晶半導(dǎo)體層上。第二緩沖層設(shè)置在第二表面上，并且包含一第一p型非晶半導(dǎo)體層以及一第二本征非晶半導(dǎo)體層。第一p型非晶半導(dǎo)體層設(shè)置在第二表面上，且第一p型非晶半導(dǎo)體層第一p型非晶半導(dǎo)體層的p型半導(dǎo)體摻雜濃度介于1×1014至1×1016原子/立方厘米。第二本征非晶半導(dǎo)體層設(shè)置在第一p型非晶半導(dǎo)體層上。第二n型非晶半導(dǎo)體層設(shè)置在第一緩沖層上，并摻雜有一第二型半導(dǎo)體。第二p型非晶半導(dǎo)體層設(shè)置在第二緩沖層上，并摻雜有第一型半導(dǎo)體。第一透明導(dǎo)電層設(shè)置在第二n型非晶半導(dǎo)體層上。第二透明導(dǎo)電層設(shè)置在第二p型非晶半導(dǎo)體層上。如上所述，由于本發(fā)明是利用第一緩沖層的第一n型非晶半導(dǎo)體層與第二緩沖層的第一p型非晶半導(dǎo)體層的摻雜，以及對(duì)第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子體處理，以使整體的電阻降低，并能有效的提升場(chǎng)效應(yīng)的效果，且能減少界面缺陷濃度。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層由非晶硅、非晶氮化硅、非晶氧化硅或非晶氧化鋁所組成。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，第一本征非晶半導(dǎo)體層與第二本征非晶半導(dǎo)體層由非晶硅、非晶氮化硅、非晶氧化硅或非晶氧化鋁所組成。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，半導(dǎo)體基板為一結(jié)晶硅基板。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，第一型半導(dǎo)體為n型半導(dǎo)體。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層的厚度皆為0.1-10nm。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，第一本征非晶半導(dǎo)體層與第二本征非晶半導(dǎo)體層厚度皆為1-10nm。本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，還提供一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制造方法，包含以下步驟：(a)提供一摻雜有一第一型半導(dǎo)體的半導(dǎo)體基板；(b)在半導(dǎo)體基板的一第一表面上形成一第一緩沖層的一第一n型非晶半導(dǎo)體層，第一n型非晶半導(dǎo)體層的n型半導(dǎo)體摻雜濃度介于1×1014至1×1016原子/立方厘米；(c)在第一n型非晶半導(dǎo)體層上形成第一緩沖層的一第一本征非晶半導(dǎo)體層；(d)在半導(dǎo)體基板的一第二表面上形成一第二緩沖層的一第一p型非晶半導(dǎo)體層，第一p型非晶半導(dǎo)體層的p型半導(dǎo)體摻雜濃度介于在1×1014至1×1016原子/立方厘米；(e)在第一p型非晶半導(dǎo)體層上形成第二緩沖層的一第二本征非晶半導(dǎo)體層；(f)在第一緩沖層上形成一第二n型非晶半導(dǎo)體層；(g)在第二緩沖層上形成一第二p型非晶半導(dǎo)體層。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，在步驟(b)之后還包含一步驟(b1)，以摻雜氣體處理第一n型非晶半導(dǎo)體層。較佳者，摻雜氣體包含磷化氫氣體、砷化氫氣體、氮?dú)馀c氫氣其中的至少一種。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，在步驟(c)之后還包含一步驟(c1)，以摻雜氣體處理第一p型非晶半導(dǎo)體層。較佳者，摻雜氣體包含磷化氫氣體、砷化氫氣體、氮?dú)馀c氫氣其中的至少一種。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，步驟(h)先形成第一透明導(dǎo)電層后，再形成第二透明導(dǎo)電層。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，步驟(h)先形成第二透明導(dǎo)電層后，再形成第一透明導(dǎo)電層。由上述的必要技術(shù)手段所衍生的一附屬技術(shù)手段為，步驟(h)同時(shí)形成第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層。本發(fā)明所采用的具體實(shí)施例，將通過(guò)以下的實(shí)施例及附圖作進(jìn)一步的說(shuō)明。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有技術(shù)的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖3A與圖3B為本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制造方法步驟流程圖。【符號(hào)說(shuō)明】PA100異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池PA1半導(dǎo)體基板PA2第一本征非晶硅半導(dǎo)體層PA3第二本征非晶硅半導(dǎo)體層PA4第二n型非晶硅半導(dǎo)體層PA5第二p型非晶硅半導(dǎo)體層PA6第一透明導(dǎo)電層PA7第二透明導(dǎo)電層PA8第一導(dǎo)電線PA9第二導(dǎo)電線100異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池1半導(dǎo)體基板11第一表面12第二表面2第一緩沖層2a第一n型非晶半導(dǎo)體層2b第一本征非晶半導(dǎo)體層3第二緩沖層3a第一p型非晶半導(dǎo)體層3b第二本征非晶半導(dǎo)體層4第二n型非晶半導(dǎo)體層5第二p型非晶半導(dǎo)體層6第一透明導(dǎo)電層7第二透明導(dǎo)電層8第一導(dǎo)線9第二導(dǎo)線具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖2，圖2顯示本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池100包含一半導(dǎo)體基板1、一第一緩沖層2、一第二緩沖層3、一第二n型非晶半導(dǎo)體層4、一第二p型非晶半導(dǎo)體層5、一第一透明導(dǎo)電層6、一第二透明導(dǎo)電層7、多個(gè)第一導(dǎo)線8(圖中僅顯示兩個(gè))以及多個(gè)第二導(dǎo)線9(圖中僅顯示兩個(gè))。半導(dǎo)體基板1具有相對(duì)設(shè)置的一第一表面11與一第二表面12，且半導(dǎo)體基板1摻雜有一第一型半導(dǎo)體。其中，半導(dǎo)體基板1為一結(jié)晶硅基板，第一型半導(dǎo)體為n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體，而在本實(shí)施例中，第一型半導(dǎo)體為n型半導(dǎo)體。第一緩沖層2設(shè)置在第一表面11上，并且包含一第一n型非晶半導(dǎo)體層2a以及一第一本征非晶半導(dǎo)體層2b。第一n型非晶半導(dǎo)體層2a是設(shè)置在第一表面11上，且第一n型非晶半導(dǎo)體層2a中的n型半導(dǎo)體為微摻雜，并通過(guò)摻雜氣體等離子體處理(DopingGasPlasmaTreatment)制程處理第一n型非晶半導(dǎo)體層2a中的懸空鍵。其中第一n型非晶半導(dǎo)體層2a與第一本征非晶半導(dǎo)體層2b由非晶硅、非晶氮化硅、非晶氧化硅或非晶氧化鋁所組成，且第一n型非晶半導(dǎo)體層2a的厚度為0.1-10nm，而第一本征非晶半導(dǎo)體層2b的厚度為1-10nm。此外在本實(shí)施例中，第一n型非晶半導(dǎo)體層2a與第一本征非晶半導(dǎo)體層2b由非晶硅所構(gòu)成，且第一n型非晶半導(dǎo)體層2a的厚度為2nm，而第一本征非晶半導(dǎo)體層2b的厚度為3nm。實(shí)務(wù)上，第一n型非晶半導(dǎo)體層2a是將磷化氫(PH3)氣體與硅烷(SiH4)氣體利用一等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)將第一n型非晶半導(dǎo)體層2a沉積形成在第一表面11上，并利用磷化氫氣體與硅烷氣體的比例與流量控制，使第一n型非晶半導(dǎo)體層2a內(nèi)含有微量摻雜的n型半導(dǎo)體(磷)，其摻雜濃度例如是1×1014至1×1016原子/立方厘米，然后再以摻雜氣體等離子體處理制程處理第一n型非晶半導(dǎo)體層2a，使第一n型非晶半導(dǎo)體層2a其中因?yàn)榉墙Y(jié)晶結(jié)構(gòu)所具有的懸空鍵鈍化而失去活性。其中，摻雜氣體等離子體處理制程為一氫氣等離子體處理制程、一磷化氫等離子體處理制程、一硼乙烷等離子體處理制程或一氮?dú)獾入x子體處理制程，而在本實(shí)施例中為氫氣等離子體處理制程。第一本征非晶半導(dǎo)體層2b設(shè)置在第一n型非晶半導(dǎo)體層2a上。實(shí)務(wù)上，第一本征非晶半導(dǎo)體層2b是將氫氣氣體與硅烷氣體利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法將第一本征非晶半導(dǎo)體層2b沉積形成在第一n型非晶半導(dǎo)體層2a上。第二緩沖層3設(shè)置在第二表面12上，并且包含一第一p型非晶半導(dǎo)體層3a以及一第二本征非晶半導(dǎo)體層3b。第一p型非晶半導(dǎo)體層3a是設(shè)置在第二表面12上，且第一p型非晶半導(dǎo)體層3a其中的p型半導(dǎo)體為微摻雜，并利用摻雜氣體等離子體處理制程處理第一p型非晶半導(dǎo)體層3a其中的懸空鍵。其中，第一p型非晶半導(dǎo)體層3a與第二本征非晶半導(dǎo)體層3b由非晶硅、非晶氮化硅、非晶氧化硅或非晶氧化鋁所組成，且第一p型非晶半導(dǎo)體層3a的厚度為0.1-10nm，而第二本征非晶半導(dǎo)體層3b的厚度為1-10nm。此外，在本實(shí)施例中，第一p型非晶半導(dǎo)體層3a與第二本征非晶半導(dǎo)體層3b由非晶所構(gòu)成，且第一p型非晶半導(dǎo)體層3a的厚度為2nm，而第二本征非晶半導(dǎo)體層3b的厚度為3nm。實(shí)務(wù)上，第一p型非晶半導(dǎo)體層3a是將乙硼烷(B2H6)氣體與硅烷(SiH4)氣體利用一等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)將第一p型非晶半導(dǎo)體層3a沉積形成在第二表面12上，并利用乙硼烷氣體與硅烷氣體的比例與流量控制，使第一p型非晶半導(dǎo)體層3a內(nèi)含有微量摻雜的p型半導(dǎo)體(硼)，其摻雜濃度例如是1×1014至1×1016原子/立方厘米，然后再以摻雜氣體等離子體處理制程處理第一p型非晶半導(dǎo)體層3a，使第一p型非晶半導(dǎo)體層3a其中因?yàn)榉墙Y(jié)晶結(jié)構(gòu)所具有的懸空鍵鈍化而失去活性。其中，本實(shí)施例的摻雜氣體等離子體處理制程為氫氣等離子體處理制程。第二本征非晶半導(dǎo)體層3b設(shè)置在第一p型非晶半導(dǎo)體層3a上。實(shí)務(wù)上，第一p型非晶半導(dǎo)體層3a是將氫氣氣體與硅烷氣體利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法將第二本征非晶半導(dǎo)體層3b沉積形成在第一p型非晶半導(dǎo)體層3a上。第二n型非晶半導(dǎo)體層4設(shè)置在第一緩沖層2的第一本征非晶半導(dǎo)體層2b。實(shí)務(wù)上，第二n型非晶半導(dǎo)體層4是將磷化氫氣體與硅烷氣體利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法將第二n型非晶半導(dǎo)體層4沉積形成在第一本征非晶半導(dǎo)體層2b上。其中，第二n型非晶半導(dǎo)體層4的n型半導(dǎo)體的摻雜濃度例如在1×1019至1×1021原子/立方厘米之間。第二p型非晶半導(dǎo)體層5設(shè)置在第二緩沖層3的第二本征非晶半導(dǎo)體層3b。實(shí)務(wù)上，第二p型非晶半導(dǎo)體層5是將乙硼烷氣體與硅烷氣體利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法將第二p型非晶半導(dǎo)體層5沉積形成在第二本征非晶半導(dǎo)體層3b上。其中，第二p型非晶半導(dǎo)體層5的p型半導(dǎo)體的摻雜濃度例如在1×1019至1×1021原子/立方厘米之間第一透明導(dǎo)電層6設(shè)置在第二n型非晶半導(dǎo)體層4上。實(shí)務(wù)上，第一透明導(dǎo)電層6是透過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積形成在第二n型非晶半導(dǎo)體層4上。第二透明導(dǎo)電層7設(shè)置在第二p型非晶半導(dǎo)體層5上。實(shí)務(wù)上，第二透明導(dǎo)電層7是透過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積形成在第二p型非晶半導(dǎo)體層5上。其中，第一透明導(dǎo)電層6與第二透明導(dǎo)電層7由透明導(dǎo)電金屬化合物所構(gòu)成，例如為氧化銦錫(ITO)、摻鎢氧化銦(IWO)、銦鈰氧化物(ICO)、摻鋁氧化鋅AZO或氧化鋅(ZnO)，但不限在此。第一導(dǎo)線8設(shè)置在第一透明導(dǎo)電層6上，而第二導(dǎo)線9設(shè)置在第二透明導(dǎo)電層7上。其中第一導(dǎo)線8與第二導(dǎo)線9例如為鎳、銀或銅等具有高導(dǎo)電率的金屬。請(qǐng)參閱圖2、圖3A與圖3B，圖3A與圖3B為本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制造方法步驟流程圖。如圖所示，異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池100的制造方法，包含以下步驟：首先步驟(S101)是提供摻雜有第一型半導(dǎo)體的半導(dǎo)體基板1。步驟(S102)是在半導(dǎo)體基板1的第一表面11上形成第一n型非晶半導(dǎo)體層2a；其中，第一n型非晶半導(dǎo)體層2a的n型半導(dǎo)體摻雜濃度介于1×1014至1×1016原子/立方厘米。步驟(S103)是以摻雜氣體處理第一n型非晶半導(dǎo)體層2a。實(shí)務(wù)上，摻雜氣體是以等離子體的方式鈍化處理第一n型非晶半導(dǎo)體層2a的懸空鍵。步驟(S104)是在第一n型非晶半導(dǎo)體層2a上形成第一本征非晶半導(dǎo)體層2b。步驟(S105)是在半導(dǎo)體基板1的第二表面12上形成第一p型非晶半導(dǎo)體層3a；其中，第一p型非晶半導(dǎo)體層3a的p型半導(dǎo)體摻雜濃度介于1×1014至1×1016原子/立方厘米。步驟(S106)是以摻雜氣體處理第一p型非晶半導(dǎo)體層3a。實(shí)務(wù)上，摻雜氣體是以等離子體的方式鈍化處理第一p型非晶半導(dǎo)體層3a的懸空鍵。步驟(S107)是在第一p型非晶半導(dǎo)體層3a上形成第二本征非晶半導(dǎo)體層3b。步驟(S108)是在第一本征非晶半導(dǎo)體層2b上形成第二n型非晶半導(dǎo)體層4。步驟(S109)是在第二本征非晶半導(dǎo)體層3b上形成第二p型非晶半導(dǎo)體層5。步驟(S110)是在第二n型非晶半導(dǎo)體層4與第二非晶半導(dǎo)體層3b上分別形成第一透明導(dǎo)電層6與第二透明導(dǎo)電層7第二n型非晶半導(dǎo)體層4上形成第一透明導(dǎo)電層6。步驟(S109)是在第二p型非晶半導(dǎo)體層5上形成第二透明導(dǎo)電層7。其中，步驟(S110)可以是先形成第一透明導(dǎo)電層6后，再形成第二透明導(dǎo)電層7，或者先形成第二透明導(dǎo)電層7后，再形成第一透明導(dǎo)電層6，甚至可以同時(shí)形成第一透明導(dǎo)電層6與第二透明導(dǎo)電層7。步驟(S111)是在第一透明導(dǎo)電層6與第二透明導(dǎo)電層7上分別設(shè)置第一導(dǎo)線8與第二導(dǎo)線9。如上所述，步驟(S102)與步驟(S105)的順序可以依據(jù)實(shí)際需求而對(duì)調(diào)，同樣的，步驟(S104)與步驟(S107)的順序可以依據(jù)實(shí)際需求而對(duì)調(diào)，但步驟(S103)與步驟(S104)一定要在步驟(S102)之后，而步驟(S106)與步驟(S107)則一定要在步驟(S105)之后。此外，步驟(S108)與步驟(S109)的順序也可互相對(duì)調(diào)。然而在實(shí)際操作上，主要的步驟是以半導(dǎo)體基板1同一面且工作站相同的順序?yàn)橹?，例如步驟(S102)、步驟(S104)與步驟(S108)在半導(dǎo)體基板1的同一面，且制程方式皆是利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行沉積。綜上所述，相較于現(xiàn)有技術(shù)是利用氫離子改質(zhì)的方式去減少本征層的界面缺陷濃度，或者利用微量摻雜的方式去減少阻值；由于本發(fā)明是利用第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層的設(shè)置，通過(guò)微量摻雜的n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體來(lái)降低阻值并達(dá)到增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)的鈍化的功效，并在形成第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層后，利用摻雜氣體等離子體處理制程處理第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層的懸空鍵，以降低界面缺陷濃度，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明不僅能透過(guò)微量摻雜的第一n型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層來(lái)使整體的電阻降低并提升場(chǎng)效應(yīng)的鈍化能力，更因?yàn)榈谝籲型非晶半導(dǎo)體層與第一p型非晶半導(dǎo)體層受到摻雜氣體等離子體處理制程的處理，因此更能使第一緩沖層與第二緩沖層的界面缺陷濃度減少，進(jìn)而提升異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池整體的轉(zhuǎn)換效率。通過(guò)以上較佳具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所公開(kāi)的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。