技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底表面形成鰭部；在所述鰭部側(cè)壁表面以及半導(dǎo)體襯底表面形成第一半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體襯底上形成隔離層，所述隔離層的表面低于鰭部的頂部表面且覆蓋部分鰭部側(cè)壁的第一半導(dǎo)體層；在高于隔離層的部分鰭部上形成第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層覆蓋鰭部的頂部表面以及部分第一半導(dǎo)體層；在所述第二半導(dǎo)體層表面形成第三半導(dǎo)體層，所述第三半導(dǎo)體層的載流子遷移率大于鰭部的載流子遷移率，且所述第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)介于鰭部與第三半導(dǎo)體層之間。上述方法可以提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張海洋;王彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510136674
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.26
技術(shù)公布日：2016.11.23