本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。
背景技術(shù)：
：隨著太陽(yáng)能行業(yè)的發(fā)展及競(jìng)爭(zhēng)加劇，客戶對(duì)太陽(yáng)能電池的效率要求越來(lái)越高，行業(yè)準(zhǔn)入門(mén)檻也在提高，因此需要探索更多產(chǎn)業(yè)化技術(shù)實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的提升。目前太陽(yáng)能電池向光面技術(shù)已經(jīng)很成熟，提升轉(zhuǎn)換效率的關(guān)注點(diǎn)逐漸轉(zhuǎn)向?yàn)榫哂泻艽鬂摿Φ谋趁?。借助原子層沉積(ALD)技術(shù)背面沉積氧化鋁鈍化層的背鈍化電池成為目前一個(gè)亮點(diǎn)。鈍化發(fā)射區(qū)和背表面鈍化電池(PERC)主要基于氧化鋁對(duì)于P型硅片良好的鈍化效果，可以顯著提升太陽(yáng)能電池的Isc和Voc，從而提升效率。目前背鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池片的工藝流程一般如下，在刻蝕工序(包括該工序)前與普通晶體硅太陽(yáng)能電池片的制備方法相同，刻蝕后，采用原子層沉積技術(shù)在硅硅基體的背光面沉積氧化鋁膜鈍化層，然后進(jìn)行退火，再在正反面均采用普通低頻誘導(dǎo)等離子化學(xué)氣相沉積方法(LP-PECVD)各沉積一層一定厚度的氮化硅層，正面層作為減反射膜，背面層作為氧化鋁的保護(hù)層，而后采用激光燒蝕背面的氧化鋁及氮化硅層，使其形成具有一定寬度與間隔的槽，刻槽后，再按普通電池工藝印刷導(dǎo)電漿料，燒結(jié)后即得到背鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池。采用目前氧化鋁鈍化工藝制備的背鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池，其背面需要沉積兩層薄膜，即氧化鋁鈍化層和氮化硅保護(hù)層，氧化鋁層需采用原子層沉積工藝，該工藝的設(shè)備價(jià)格昂貴，工藝復(fù)雜，此外，采用普通低頻誘導(dǎo)等離子化學(xué)氣相沉積(LP-PECVD)沉積氮化硅保護(hù)層，則氮化硅層的厚度需達(dá)到150nm以上，否則在其上面印刷鋁導(dǎo)電漿料并燒結(jié)時(shí)，鋁漿中的玻璃粉在熔融狀態(tài)下可熔蝕并穿過(guò)氮化硅層，造成其對(duì)氧化鋁鈍化層的破壞，從而削弱鈍化層對(duì)電池光電性能的提升，但是，由于氮化硅層不導(dǎo)電，鋁漿通過(guò)激光燒蝕形成的槽形成鋁背場(chǎng)，因?yàn)椴鄣拿娣e很小，并且氮化硅層的具有較大的厚度，導(dǎo)致電池 的串聯(lián)電阻增加，填充因子下降。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提升晶體硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池片。本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案如下：提供一種晶體硅太陽(yáng)能電池片，包括硅基體，所述硅基體的背光面依次設(shè)有鈍化層、鋁背場(chǎng)和背光面電極柵線；所述鈍化層材質(zhì)為碳化硼或立方氮化硼。同時(shí)，本發(fā)明還提供了上述晶體硅太陽(yáng)能電池片的制備方法，包括如下步驟：S1、提供向光面上具有擴(kuò)散層的硅基體，在硅基體的背光面沉積碳化硼或立方氮化硼，形成鈍化層；S2、在所述鈍化層上制備鋁背場(chǎng)，所述鋁背場(chǎng)貫穿所述鈍化層，并與硅基體接觸；S3、在所述鋁背場(chǎng)上制備與背光面電極柵線，在硅基體向光面上制備與擴(kuò)散層接觸的向光面電極柵線。本發(fā)明提供的晶體硅太陽(yáng)能電池片中，硅基體的背面只沉積有一層鈍化層，并且不需要退火工藝，相比目前相對(duì)成熟的氧化鋁鈍化層加氮化硅保護(hù)層工藝，其制備工藝得到一定程度減化。同時(shí)，本發(fā)明采用DB-PECVD方法制備碳化硼或立方氮化硼鈍化層，沉積速度快，硅基體溫度低，得到的鈍化層結(jié)構(gòu)致密，鈍化效果好，厚度小，電池的短路電流Isc及開(kāi)路電壓Voc都得到一定程度的提高，光電轉(zhuǎn)換效率也因此得到顯著提升。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備的晶體硅太陽(yáng)能電池片的向光面正視圖；圖2是圖1中A-A向剖視圖。說(shuō)明書(shū)附圖中的附圖標(biāo)記如下：1、向光面電極主柵線；2、向光面電極副柵線；3、減反射膜；4、擴(kuò)散層；5、硅基體；6、鈍化層；7、鋁背場(chǎng)。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明提供的晶體硅太陽(yáng)能電池片，包括硅基體，所述硅基體的背光面依次設(shè)有鈍化層、鋁背場(chǎng)和背光面電極柵線；所述鈍化層材質(zhì)為碳化硼或立方氮化硼。本發(fā)明中，硅基體及硅基體向光面上的結(jié)構(gòu)可采用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，例如，所述硅基體的向光面上依次具有擴(kuò)散層和向光面電極柵線。如現(xiàn)有的，向光面電極柵線通常包括相互垂直的向光面電極主柵線和向光面電極副柵線。其中，向光面電極主柵線較粗，數(shù)量較少。向光面電極副柵線較細(xì)，數(shù)量較多。并且多個(gè)向光面電極主柵線之間相互平行，多個(gè)向光面電極副柵線之間相互平行。通常，所述擴(kuò)散層上還具有減反射層。常規(guī)的減反射層的厚度為70-90nm，其材質(zhì)通常為氮化硅。此時(shí)，向光面電極柵線位于所述減反射層上。本發(fā)明重點(diǎn)在于對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池片背光面結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。具體的，所述硅基體的背光面上具有鈍化層。本發(fā)明中，該鈍化層材質(zhì)為碳化硼或立方氮化硼。根據(jù)本發(fā)明，該晶體硅太陽(yáng)能電池片中，硅基體的背面只沉積有一層鈍化層，并且不需要退火工藝，相比目前相對(duì)成熟的氧化鋁鈍化層加氮化硅保護(hù)層工藝，其制備工藝得到一定程度減化。同時(shí)，該鈍化層結(jié)構(gòu)致密，鈍化效果好，厚度小，電池的短路電流Isc及開(kāi)路電壓Voc都得到一定程度的提高，光電轉(zhuǎn)換效率也因此得到顯著提升。對(duì)于上述鈍化層，為進(jìn)一步利于提高晶體硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，優(yōu)選情況下，所述鈍化層的厚度為20-200nm；更優(yōu)選為50-100nm。本發(fā)明提供的晶體硅太陽(yáng)能電池片中，與常規(guī)背鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池片不同，該鈍化層上無(wú)保護(hù)層，鋁背場(chǎng)直接設(shè)置于鈍化層上。具體的，所述鈍化層上設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽穿過(guò)鈍化層并延伸至硅基體上；所述鋁背場(chǎng)覆蓋于所述鈍化層上，并填充所述第一凹槽，與所述硅基體相接觸。此時(shí)，鋁背場(chǎng)穿過(guò)上述第一凹槽與硅基體接觸，即可實(shí)現(xiàn)鈍化層兩側(cè)的結(jié) 構(gòu)相互導(dǎo)通。根據(jù)本發(fā)明，優(yōu)選情況下，所述鈍化層上設(shè)有多個(gè)相互平行的所述第一凹槽。本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，所述第一凹槽的寬度為20-100μm，相鄰兩個(gè)第一凹槽的長(zhǎng)度方向的中心線之間的距離為500-2000μm。通過(guò)上述第一凹槽即可有效地形成鋁背場(chǎng)。如現(xiàn)有的，在鋁背場(chǎng)基礎(chǔ)上，硅基體背光面上還需具有背光面電極柵線。本發(fā)明中，上述背光面電極柵線結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的背鈍化晶體硅太陽(yáng)能電池片的結(jié)構(gòu)類似。如本領(lǐng)域所公知的，上述鋁背場(chǎng)材質(zhì)通常為鋁，可由鋁漿經(jīng)燒結(jié)制備得到，而上述背光面電極柵線以及硅基體向光面的向光面電極柵線(向光面電極主柵線和向光面電極副柵線)材質(zhì)通常為銀，可通過(guò)銀漿經(jīng)燒結(jié)制備得到。本發(fā)明中還提供了上述晶體硅太陽(yáng)能電池片的制備方法，具體包括如下步驟：S1、提供向光面上具有擴(kuò)散層的硅基體，在硅基體的背光面沉積碳化硼或立方氮化硼，形成鈍化層；S2、在所述鈍化層上制備鋁背場(chǎng)，所述鋁背場(chǎng)貫穿所述鈍化層，并與硅基體接觸；S3、在所述鋁背場(chǎng)上制備背光面電極柵線，在硅基體向光面上制備與擴(kuò)散層接觸的向光面電極柵線。本發(fā)明提供的方法基于向光面上具有擴(kuò)散層的硅基體進(jìn)行制備。其中，向光面上具有擴(kuò)散層的硅基體可采用P型多晶硅片經(jīng)常規(guī)的制絨、擴(kuò)散、刻蝕、拋光后獲得。上述制絨、擴(kuò)散、刻蝕、拋光可采用現(xiàn)有的方法，本發(fā)明中對(duì)于上述制絨、擴(kuò)散、刻蝕、拋光的具體工藝步驟沒(méi)有特殊限制，在此不再贅述。根據(jù)本發(fā)明，上述步驟S1中，在硅基體的背光面沉積碳化硼或立方氮化硼的方法可以為雙源等離子化學(xué)氣相沉積法(DB-PECVD)。具體的，當(dāng)沉積碳化硼時(shí)，碳源為甲烷，硼源為硼烷，載氣為高純氮?dú)?，碳源與硼源的流量比為5-20:1。在等離子狀態(tài)下，碳化硼的沉積過(guò)程可示意性表示如下：2BH3→BH2-+BH2-+3H+3CH4→CH3-+CH22-+CH3-+6H+BH2-+xCH3-+(2+3x)H+→BCx+(3+4x)H而沉積立方氮化硼時(shí)，氮源為氨氣，硼源為硼烷，載氣為高純氮?dú)?，氮源與硼源的流量比為10-30:1。立方氮化硼的沉積過(guò)程可示意性表示如下：2BH3→BH2-+BH2-+3H+2NH3→NH2-+NH2-+3H+BH2-+xNH2-+(2+2x)H+→BNx+(3+3x)H本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，在硅基體的背光面上制備所述鈍化層時(shí)，所述硅基體的溫度為50-100℃，真空腔中的氣壓為10-100Pa。根據(jù)本發(fā)明提供的方法制備上述鈍化層時(shí)，在硅基體溫度較低的情況下即可順利完成反應(yīng)。更優(yōu)選情況下，在硅基體的背光面上制備所述鈍化層時(shí)，薄膜的沉積速率為5-25nm/min。本發(fā)明提供的碳化硼或立方氮化硼鈍化層中，晶粒尺寸小，通常只有幾十納米，因此其形成的鈍化層結(jié)構(gòu)致密，在其上印刷鋁漿，燒結(jié)后不容易被滲透。本發(fā)明中，在硅基體背光面所沉積的碳化硼或立方氮化硼鈍化層，其厚度優(yōu)選為20-200nm，更優(yōu)選為50-100nm。在硅基體背光面形成上述鈍化層后，如步驟S2，需在所述鈍化層上制備鋁背場(chǎng)，所述鋁背場(chǎng)貫穿所述鈍化層，并與硅基體接觸。本發(fā)明中，在上述鈍化層上制備鋁背場(chǎng)的方法，可以與現(xiàn)有的以氧化鋁膜作為鈍化層的晶體硅太陽(yáng)能電池片，在其氮化硅保護(hù)層上制備鋁背場(chǎng)的方法類似。具體的，所述步驟S2中，形成鈍化層后，采用激光燒蝕鈍化層表面，形成貫穿所述鈍化層的第一凹槽，然后在鈍化層上印刷鋁漿，使鋁漿填充所述第一凹槽，經(jīng)燒結(jié)后得到鋁背場(chǎng)。如現(xiàn)有的，通常通過(guò)激光燒蝕，在本發(fā)明所述鈍化層上形成多個(gè)相互平行的所述第一凹槽。本發(fā)明中，上述第一凹槽的寬度優(yōu)選為20-100μm，相鄰兩個(gè)第一凹槽的長(zhǎng)度方向的中心線之間的距離優(yōu)選為500-2000μm。印刷上述鋁漿后，將其烘干。然后在鈍化層表面制備背光面電極柵線。背光面電極柵線的制備方法可以采用現(xiàn)有的各種方法。例如，在印刷并烘干第一凹槽中的鋁漿后，在與第一凹槽長(zhǎng)度方向相垂直的方向上，即與硅基體向光面需形成的向光面電極主柵線相同的方向，再印刷數(shù)條連續(xù)的背光面銀漿帶，印刷的漿料帶條數(shù)，一般與硅基體向光面需形成的向光面電極主柵線數(shù)目相同，如2-4條，優(yōu)選為3條。通過(guò)后續(xù)的燒結(jié)處理，上述背光面銀漿帶即形成背光面 電極柵線。在印刷背光面銀漿帶后，烘干，然后在硅基體的向光面印刷向光面銀漿帶，再過(guò)燒結(jié)爐中烘干，燒結(jié)，即可得到晶體硅太陽(yáng)能電池片。向光面銀漿帶的印刷工藝、在燒結(jié)爐中的燒結(jié)工藝，均與目前常規(guī)的晶體硅太陽(yáng)能電池片的工藝相同。例如，所述步驟S3之前還包括，在所述硅基體的擴(kuò)散層上采用常規(guī)的PECVD工藝，鍍70-90nm厚的氮化硅膜作為減反射膜，形成減反射層；在所述減反射層上印刷銀漿，經(jīng)燒結(jié)后得到相互垂直的向光面電極主柵線和向光面電極副柵線。所述燒結(jié)方法為：在燒結(jié)爐中，在預(yù)熱溫度為200-400℃、峰值溫度為900-950℃的條件下進(jìn)行燒結(jié)。采用本發(fā)明工藝制備得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片中，硅基體的背面只需沉積一層鈍化層，并且不需要退火工藝，相比目前相對(duì)成熟的氧化鋁鈍化層加氮化硅保護(hù)層工藝，其制備工藝得到大大減化，設(shè)備成本也得到降低，本發(fā)明采用雙源等離子化學(xué)氣相沉積法(DB-PECVD)方法制備碳化硼或立方氮化硼鈍化層，沉積速度快，硅基體溫度低，得到的鈍化層結(jié)構(gòu)致密，所印刷的鋁漿在燒結(jié)后對(duì)鈍化層的損傷少，背面鈍化效果好，電池的短路電流Isc及開(kāi)路電壓Voc都得到顯著提高?？傮w而言，本發(fā)明提供的晶體硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率相比于現(xiàn)有的得到顯著的提升。以下通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明。實(shí)施例1本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。1、鍍鈍化層前硅片的制備采用的多晶硅片規(guī)格為：156mm×156mm，厚度為200μm，將硅片制絨、擴(kuò)散、刻蝕后，將硅片背面進(jìn)行拋光處理，得到表面具有擴(kuò)散層的硅基體。2、向光面氮化硅減反射膜的制備采用普通低頻誘導(dǎo)等離子化學(xué)氣相沉積(LP-PECVD)鍍氮化硅減反射膜，其中的氮源為氨氣，硅源為硅烷，工作頻率為380kHz，硅基體工作溫度為440℃，氨氣與硅烷的流量比為12：1，射頻功率為2900W，沉積時(shí)間為9.5min，在硅基體的擴(kuò)散層上形成厚度為75-80nm的氮化硅減反射膜。3、鈍化層的制備采用DB-PECVD鍍碳化硼鈍化層，真空腔中的氣壓為10-20Pa，硅基體溫度保持在80℃，其中，碳源采用甲烷，硼源采用硼烷，載氣采用高純氮?dú)猓淄榕c硼烷的流量比為10:1。沉積時(shí)間為10min，得到厚度為90-95nm的碳化硼鈍化層。4、第一凹槽的制備采用頻率為200KHz激光開(kāi)槽打穿鈍化層，露出硅基體，第一凹槽的寬度為50μm，相鄰第一凹槽長(zhǎng)度方向的中心線之間的距離為1000μm。5、印刷漿料并燒結(jié)采用250目的網(wǎng)版在背光面的鈍化層上印刷背場(chǎng)鋁漿(臺(tái)灣碩禾科技公司L210鋁漿)，印刷濕重為1.40-1.60g，烘干；而后硅基體采用280目、帶寬為2.5mm的網(wǎng)版，在鋁漿上再印刷背光面銀漿(美國(guó)Dupont公司PV505銀漿)，印刷濕重為40-60mg，烘干；采用400目、線寬為60μm的網(wǎng)版在硅基體的向光面印刷向光面銀漿(美國(guó)Dupont公司17F銀漿)，主柵線設(shè)定為三條，而后入隧道爐中烘干，在預(yù)熱溫度為200-400℃、峰值溫度為920℃的條件下進(jìn)行燒結(jié)。燒結(jié)后開(kāi)口槽中的鋁漿與硅片形成鋁背場(chǎng)，背光面銀漿與向光面銀漿分別形成背光面電極柵線與向光面電極柵線。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S1。其結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖1和圖2，其中，硅基體5向光面依次具有擴(kuò)散層4、減反射層3，擴(kuò)散層4與硅基體5接觸。減反射層3上設(shè)有多條貫穿減反射層3并與擴(kuò)散層4接觸的向光面電極副柵線2。多條向光面電極副柵線2相互平行。減反射層3表面具有三條相互平行的向光面電極主柵線1。三條向光面電極主柵線1與向光面電極副柵線2垂直并接觸。硅基體5背光面依次具有鈍化層6和鋁背場(chǎng)7。鋁背場(chǎng)7覆蓋于鈍化層6表面并貫穿鈍化層6，與硅基體5接觸。實(shí)施例2本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟3鍍碳化硼鈍化層的沉積時(shí)間改為25min，使鈍化層的厚度變?yōu)?90-200nm，其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S2。實(shí)施例3本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟3鍍碳化硼鈍化層的沉積時(shí)間改為6min，使鈍化層的厚度變?yōu)?0-55nm，其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S3。實(shí)施例4本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟3鍍碳化硼鈍化層時(shí)的硅硅基體的溫度改為50℃，沉積時(shí)間改為25min，得到鈍化層厚度為90-95nm。其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S4。實(shí)施例5本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟3鍍碳化硼鈍化層時(shí)的硅硅基體的溫度改為100℃，沉積時(shí)間改為6min，得到鈍化層厚度為90-95nm。其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S5。實(shí)施例6本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟3改為鍍立方氮化硼鈍化層，真空腔中的氣壓為30-50Pa，硅片硅基體溫度保持在80℃，其中的氮源采用氨氣，硼源采用硼烷，載氣采用高純氮?dú)猓睔馀c硼烷的流量比為25:1。沉積時(shí)間為12min，得到鈍化層厚度為90-95nm。其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S6。實(shí)施例7本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟4的第一凹槽的寬度改為100μm，相鄰第一凹槽的長(zhǎng)度方向上的中心線之間的距離改為500μm。其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S7。實(shí)施例8本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。將實(shí)施例1中步驟4的第一凹槽的寬度改為20μm，相鄰第一凹槽的長(zhǎng)度方向上的中心線之間的距離改為2000μm。其余和實(shí)施例1相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為S8。對(duì)比例1本對(duì)比例用于對(duì)比說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。1、硅基體的制備采用的多晶硅片規(guī)格為：156mm×156mm，厚度為200μm，將硅片制絨、擴(kuò)散、刻蝕后，將硅片背面進(jìn)行拋光處理。得到表面具有擴(kuò)散層的硅基體。2、氧化鋁鈍化層的制備采用原子層沉積設(shè)備，以三甲基鋁、去離子水作為沉積所需的鋅源及氧源。此時(shí)，硅基體溫度為250℃，沉積時(shí)間為10秒，得到的氧化鋁鈍化層的沉積厚度為5-8nm，然后在氧氣氣氛下進(jìn)行退火處理，退火溫度為550℃，退火時(shí)間為10min。3、向光面氮化硅減反射膜的制備與實(shí)施例1中步驟2中的采用普通PECVD鍍氮化硅減反射膜的工藝相同。4、背光面氮化硅保護(hù)層的制備采用普通PECVD鍍氮化硅保護(hù)層作為氧化鋁鈍化層的保護(hù)層，其中的氮源為氨氣，硅源為硅烷，鍍膜厚度為140-150nm。5、第一凹槽的制備與實(shí)施例1中的步驟3相同。6、印刷漿料并燒結(jié)與實(shí)施例1中的步驟4相同。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為DS1。對(duì)比例2本對(duì)比例用于對(duì)比說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的晶體硅太陽(yáng)能電池片及其制備方法。1、鍍減反射膜的硅片的制備采用的P型多晶硅片規(guī)格為：156mm×156mm，厚度為200μm，將硅片制絨、擴(kuò)散、刻蝕后，得到表面具有擴(kuò)散層的硅基體。2、向光面氮化硅減反射膜的制備與實(shí)施例1中步驟2中的采用普通PECVD鍍氮化硅減反射膜的工藝相同。3、印刷漿料并燒結(jié)采用280目、帶寬為2.5mm的網(wǎng)版，采取三線四段制，在硅基體的背光面印刷背光面銀漿(美國(guó)Dupont公司PV505銀漿)，印刷濕重為35-50mg，烘干；采用250目的網(wǎng)版在背光面銀漿余下的部分印刷背場(chǎng)鋁漿(臺(tái)灣碩禾科技公司108C鋁漿)，印刷濕重為1.30-1.50g，烘干；采用400目、線寬為60μm的網(wǎng)版在硅基體的向光面印刷向光面銀漿(美國(guó)Dupont公司17F銀漿)，主柵線設(shè)定為三條，而后入隧道爐中烘干，在預(yù)熱溫度為200-400℃、峰值溫度為920℃的條件下進(jìn)行燒結(jié)，出爐后即得到晶體硅太陽(yáng)能電池片。得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片記為DS2。性能測(cè)試對(duì)上述制備得到的晶體硅太陽(yáng)能電池片S1-S18以及DS1-DS2進(jìn)行如下性能測(cè)試：表面狀況：觀察太陽(yáng)能電池片的背光面是否有鋁皰、鋁珠等現(xiàn)象，如無(wú)則記為OK，否則記為NG。短路電流(Isc，單位：A)、開(kāi)路電壓(Voc，單位：V)、峰值功率(Pmpp，單位W)、填充因子(FF)、光電轉(zhuǎn)化效率(Eta，單位：％)：電池片的上述電性能參數(shù)采用太陽(yáng)電池片專用測(cè)試儀器，如單次閃光模擬器進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試條件為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件(STC)：光強(qiáng)：1000W/m2；光譜：AM1.5；溫度：25℃。測(cè)試方法按照IEC904-1進(jìn)行。得到的測(cè)試結(jié)果填入表1。表1樣品表面狀況IscUocPmppFFEtaS1OK8.78410.63654.442979.6018.362S2OK8.68210.63534.397979.1218.151S3OK8.56190.62674.321979.8517.799S4OK8.78340.63574.437279.2318.255S5OK8.67250.63164.431979.1817.812S6OK8.72380.63424.386878.1717.913S7OK8.75870.63604.407679.1018.114S8OK8.75710.63404.355678.0417.803DS1OK8.74180.63184.312378.5017.765DS2OK8.51610.62474.268580.3417.519從上表中實(shí)施例1-8與對(duì)比例1-2的測(cè)試結(jié)果比較可以看出，采用雙源等離子化學(xué)氣相沉積法(DB-PECVD)制備碳化硼或立方氮化硼作為鈍化層，硅基體的背光面只需沉積一層鈍化層，不需要另加保護(hù)層，相比目前的氧化鋁鈍化層加氮化硅保護(hù)層工藝得到的背表面鈍化的晶體硅太陽(yáng)能電池片(對(duì)比例1)，其工藝過(guò)程得到一定程度的簡(jiǎn)化，電池的光電轉(zhuǎn)換效率也有所提升，而與普通晶體硅太陽(yáng)能電池片(對(duì)比例2)相比，晶體硅太陽(yáng)能電池片的短路電流Isc及開(kāi)路電壓Voc都得到較大程度的提高，電池的光電轉(zhuǎn)換效率得到顯著提升。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3