1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
襯底；
襯底上的第一支撐層和第二支撐層；
第一支撐層的一側(cè)壁上的第一納米線，以及第二支撐層的一側(cè)壁上的第二納米線，其中，第一納米線和第二納米線具有不同的溝道材料，第一納米線和第二納米線沿與襯底垂直方向依次交替設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第一支撐層和第二支撐層為第一介質(zhì)層，第一納米線和第二納米線分別形成在第一介質(zhì)層的兩個相對的側(cè)面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一支撐層為第一背柵絕緣層，第二支撐層為第二背柵絕緣層，第一背柵絕緣層和第二背柵絕緣層之間形成有公共背柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括形成于襯底中的第一摻雜區(qū)，公共背柵形成在第一摻雜區(qū)之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一支撐層為第一背柵絕緣層，第二支撐層為第二背柵絕緣層，還包括：第一背柵絕緣層的另一側(cè)壁上的第一背柵，第二背柵絕緣層的另一側(cè)壁上的第二背柵，第一背柵和第二背柵之間的第一隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括形成于襯底中的第一阱區(qū)和第二阱區(qū)，第一背柵形成在第一阱區(qū)之上，第二背柵形成在第二阱區(qū)之上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第一納米線的材料包括：Si、Ge、SiGe或三五族化合物半導(dǎo)體材料，第二納米線的材料包括：SiGe、Ge或三五族化合物半導(dǎo)體材料。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在襯底上形成第一溝道材料和第二溝道材料依次層疊的交替疊層；
在所述交替疊成中形成溝槽，溝槽兩側(cè)分別為第一堆疊和第二堆疊；
在溝槽的相對的側(cè)壁上分別形成第一支撐層和第二支撐層；
在第一堆疊中形成僅包括第一溝道材料的第一納米線，以及在第二堆疊中形成僅包括第二溝道材料的第二納米線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，在溝槽的相對的側(cè)壁上分別形成第一支撐層和第二支撐層的步驟包括：在溝槽中填充第一介質(zhì)材料層，形成一體的第一支撐層和第二支撐層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，還包括：
形成覆蓋第一納米線和第二納米線的偽柵堆疊；
覆蓋偽柵堆疊兩側(cè)，以形成層間介質(zhì)層；
去除偽柵堆疊以及第一介質(zhì)層；
形成替代柵極。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，在溝槽的相對的側(cè)壁上分別形成第一支撐層和第二支撐層的步驟包括：
分別在溝槽的相對的側(cè)壁上形成第一背柵絕緣層和第二背柵絕緣層，第一背柵絕緣層和第二背柵絕緣層分別為第一支撐層和第二支撐層；
還包括：進(jìn)行填充，以在溝槽中形成公共背柵。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，在溝槽的相對的側(cè)壁上分別形成第一支撐層和第二支撐層的步驟包括：
分別在溝槽的相對的側(cè)壁上形成第一背柵絕緣層和第二背柵絕緣層，第一背柵絕緣層和第二背柵絕緣層分別為第一支撐層和第二支撐層；
還包括：在第一支撐層的側(cè)壁上形成第一背柵，在第二支撐層的側(cè)壁上形成第二背柵；
進(jìn)行填充，以在溝槽中形成第一隔離。
13.根據(jù)權(quán)利要求8-12中任一項所述的制造方法，其特征在于，在所述交替堆疊中形成溝槽的步驟包括：
在所述交替堆疊上形成第一掩膜層；
在第一掩膜層的側(cè)壁上形成掩膜側(cè)墻；
以第一掩膜層和掩膜側(cè)墻為掩蔽，刻蝕所述交替堆疊，以形成溝槽以 及第一堆疊和第二堆疊；
形成第一納米線和第二納米線的步驟包括：
去除第一掩膜層；
以側(cè)墻掩膜為掩蔽，刻蝕第一堆疊和第二堆疊，以分別形成第一納米線堆疊和第二納米線堆疊；
分別去除第一納米線堆疊中的第二溝道材料以及第二納米線堆疊中的第一溝道材料，以分別形成第一納米線和第二納米線。
14.根據(jù)權(quán)利要求8-12中任一項所述的制造方法，其特征在于，形成第一納米線和第二納米線的步驟包括：
圖案化第一堆疊和第二堆疊，以分別形成第一納米線堆疊和第二納米線堆疊；
去除第一納米線堆疊一側(cè)及其下的部分厚度的半導(dǎo)體襯底，以及去除第二納米線堆疊一側(cè)及其下的部分厚度的半導(dǎo)體襯底；
填充第二隔離材料；
去除第一納米線堆疊一側(cè)部分厚度的第二隔離材料，同時去除第一納米線堆疊中的第二溝道材料，以及去除第二納米線堆疊一側(cè)部分厚度的第二隔離材料，同時去除第二納米線堆疊中的第一溝道材料，以分別形成第一納米線、第二納米線以及第二隔離。