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檢測(cè)裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):11836237閱讀:來源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種檢測(cè)裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備。該檢測(cè)裝置包括發(fā)射部、接收部和反射部,發(fā)射部用于朝向反射部發(fā)送光;反射部用于將發(fā)射部發(fā)送的光反射至少一次且反射至接收部;接收部用于接收反射部反射回來的光;發(fā)射部和反射部對(duì)應(yīng)設(shè)置在位于檢測(cè)位置的晶片的上下兩側(cè),接收部與發(fā)射部設(shè)置在同一側(cè),光傳輸路徑經(jīng)過位于檢測(cè)位置的晶片所在位置,通過判斷接收部是否接收到光來判斷檢測(cè)位置是否存在晶片。本發(fā)明提供的檢測(cè)裝置,可以降低晶片反射的光對(duì)檢測(cè)造成的影響,從而可以實(shí)現(xiàn)檢測(cè)表面具有凹槽等結(jié)構(gòu)、表面如鏡面般和反光度與腔室底壁相近的特殊晶片,進(jìn)而可以提高檢測(cè)裝置的適用性和檢測(cè)精度,提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員:王肅珂
受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼:201510169435
技術(shù)研發(fā)日:2015.04.10
技術(shù)公布日:2016.11.23

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