技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件，包括：具有第一區(qū)和第二區(qū)的襯底；位于第一區(qū)中的n型晶體管，n型晶體管包括第一組源極/漏極部件；以及位于第二區(qū)中的p型晶體管，p型晶體管包括第二組源極/漏極部件。第二組源極/漏極部件比第一組源極/漏極部件延伸得更深。本發(fā)明涉及非對稱源極/漏極深度。

技術(shù)研發(fā)人員：彭成毅;楊玉麟;何嘉政;邱榮標(biāo);李宗霖;葉致鍇;張智勝;楊育佳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510187697
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.20
技術(shù)公布日：2016.11.23