本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片。

背景技術(shù)：

在芯片的設(shè)計(jì)過程中，會(huì)經(jīng)常對(duì)芯片的版圖進(jìn)行修改，最常見的芯片改版是在芯片的金屬層進(jìn)行部分區(qū)域的重新繞線，以達(dá)到更改邏輯或者優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的目的。

在實(shí)際應(yīng)用中，在每一次對(duì)芯片的版圖進(jìn)行修改時(shí)，都可以對(duì)芯片對(duì)應(yīng)的芯片標(biāo)識(shí)符(Chip ID)進(jìn)行相應(yīng)的修改，使得修改后的芯片標(biāo)識(shí)符能夠與當(dāng)前的芯片版圖對(duì)應(yīng)，以針對(duì)性的提供與當(dāng)前芯片對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)、固件或系統(tǒng)軟件。

現(xiàn)有的對(duì)芯片的芯片標(biāo)識(shí)符進(jìn)行修改的方法主要包括一次燒錄(One Time Program，OTP)以及E-Fuse等熔絲技術(shù)。然而，現(xiàn)有的對(duì)芯片標(biāo)識(shí)符進(jìn)行修改的方法較為復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例解決的問題是現(xiàn)有芯片的芯片標(biāo)識(shí)符修改流程較為復(fù)雜。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片，包括寄存器，所述芯片還包括：

多晶硅層以及依次疊置的至少兩層金屬層，所述多晶硅層和與其相鄰的金屬層耦接；

所述多晶硅層以及金屬層中均存在預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域，所述預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域包括：適于接收電平信號(hào)輸入的開關(guān)金屬走線；適于將所在層的開關(guān)金屬走線與相鄰層的開關(guān)金屬走線耦接的開關(guān)通孔；適于將所在層中的開關(guān)金屬走線與開關(guān)通孔耦接的開關(guān)；疊置在最上層的金屬層的開關(guān)金屬走線與預(yù)設(shè)的寄存器耦接；

其中，多晶硅層的開關(guān)金屬走線適于接收預(yù)設(shè)的電平信號(hào)生成器輸出的電平信號(hào)，所述電平信號(hào)依序通過所述疊置的金屬層的開關(guān)金屬走線傳輸至所述寄存器。

可選的，所述預(yù)設(shè)的電平信號(hào)生成器包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，其中：

所述第一PMOS管，源極與電壓源VDD耦接，漏極與柵極耦接，柵極與所述第二NMOS管的柵極耦接；

所述第二PMOS管，源極與電壓源VDD耦接，漏極與所述多晶硅層的開關(guān)金屬走線耦接，適于向所述多晶硅層的開關(guān)金屬走線輸出高電平信號(hào)，柵極與所述第一NMOS管的漏極以及柵極耦接；

所述第一NMOS管，源極與GND耦接；

所述第二NMOS管，源極與GND耦接，漏極與所述多晶硅層的開關(guān)金屬走線耦接，適于向所述多晶硅層的開關(guān)金屬走線輸出低電平信號(hào)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

通過調(diào)整所在層中的開關(guān)或開關(guān)金屬走線的走向，將所在層中的開關(guān)金屬走線與不同的開關(guān)通孔耦接，使得所在層中的開關(guān)金屬走線的電平極性發(fā)生變化。由于相鄰高層的開關(guān)金屬走線的輸入電平為所在層的開關(guān)金屬走線的輸出電平，因此，所在層的開關(guān)金屬走線的變化可以導(dǎo)致相鄰高層的開關(guān)金屬走線上的電平極性發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致最高層金屬層的開關(guān)金屬走線上的電平的極性發(fā)生改變，輸入到寄存器中的最高層金屬層的電平發(fā)生改變，也就是說，芯片標(biāo)識(shí)符相應(yīng)的發(fā)生改變。即：僅需要對(duì)所在層的通孔或者開關(guān)金屬走線的形狀進(jìn)行更改，即可實(shí)現(xiàn)芯片標(biāo)識(shí)符的更改，因此，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案能夠簡化芯片標(biāo)識(shí)符的修改流程。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的一種電平信號(hào)生成器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的一種芯片預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的剖面圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的一種預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域俯視圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域俯視圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域俯視圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例中的一種預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域俯視圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例中的一種芯片標(biāo)識(shí)符讀取電路結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在實(shí)際應(yīng)用中，在每一次對(duì)芯片的版圖進(jìn)行修改時(shí)，都可以對(duì)芯片對(duì)應(yīng)的芯片標(biāo)識(shí)符(Chip ID)進(jìn)行相應(yīng)的修改，使得修改后的芯片標(biāo)識(shí)符能夠與當(dāng)前的芯片版圖對(duì)應(yīng)，以針對(duì)性的提供與當(dāng)前芯片對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)、固件或系統(tǒng)軟件。現(xiàn)有的對(duì)芯片的芯片標(biāo)識(shí)符進(jìn)行修改的方法主要包括一次燒錄(One Time Program，OTP)以及E-Fuse等熔絲技術(shù)。然而，現(xiàn)有的對(duì)芯片標(biāo)識(shí)符進(jìn)行修改的方法較為復(fù)雜。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過調(diào)整所在層中的開關(guān)或開關(guān)金屬走線的走向，將所在層中的開關(guān)金屬走線與不同的開關(guān)通孔耦接，使得所在層中的開關(guān)金屬走線的電平極性發(fā)生變化。由于相鄰高層的開關(guān)金屬走線的輸入電平為所在層的開關(guān)金屬走線的輸出電平，因此，所在層的開關(guān)金屬走線的變化可以導(dǎo)致相鄰高層的開關(guān)金屬走線上的電平極性發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致最高層金屬層的開關(guān)金屬走線上的電平的極性發(fā)生改變，輸入到寄存器中的最高層金屬層的電平發(fā)生改變，也就是說，芯片標(biāo)識(shí)符相應(yīng)的發(fā)生改變。即：僅需要對(duì)所在層的通孔或者開關(guān)金屬走線的形狀進(jìn)行更改，即可實(shí)現(xiàn)芯片標(biāo)識(shí)符的更改，因此，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案能夠簡化芯片標(biāo)識(shí)符的修改流程。

為使本發(fā)明實(shí)施例的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片，包括：多晶硅層，以及依次疊置在所述多晶硅層的至少兩層金屬層，多晶硅層可以和與其相鄰的金屬層耦接。在本發(fā)明實(shí)施例中，多晶硅層可以通過通孔與相鄰的金屬層耦接。

在具體實(shí)施中，多晶硅層與至少兩層金屬層中均存在預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域。可以根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場景，在多晶硅層和金屬層中分別選擇其中的一塊區(qū)域作 為各自對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域。

在實(shí)際應(yīng)用中，不同層所對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域之間的面積可以相等，也可以不等。不同層所對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域之間的形狀可以相等，也可以不等。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)實(shí)際的芯片結(jié)構(gòu)以及每一層的電路架構(gòu)，來選擇對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的形狀以及面積大小。

在本發(fā)明實(shí)施例中，相鄰兩層之間各自對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域相互耦接。例如，可以通過開關(guān)通孔將相鄰兩層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域耦接。可以理解的是，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，相鄰兩層之間的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域還可以通過其他的連接方式耦接，此處不做贅述。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多晶硅層以及金屬層對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域均可以包括：接收電平信號(hào)輸入的開關(guān)金屬走線；將所在層的開關(guān)金屬走線與相鄰層的開關(guān)金屬走線耦接的開關(guān)通孔；以及將所在層的開關(guān)金屬走線與開關(guān)通孔耦接的開關(guān)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，多晶硅層以及金屬層對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域至少包括兩條互不耦接的開關(guān)金屬走線，其中一部分開關(guān)金屬走線接收高電平信號(hào)輸入，另一部分開關(guān)金屬走線接收低電平信號(hào)輸入。

對(duì)應(yīng)于多晶硅層中的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域，可以包括：至少兩條分別用于接收不同電平信號(hào)輸入的開關(guān)金屬走線，不同電平信號(hào)輸入的開關(guān)金屬走線之間互不耦接；將多晶硅層的開關(guān)金屬走線與相鄰金屬層的開關(guān)金屬走線耦接的開關(guān)通孔；將多晶硅層的開關(guān)金屬走線與多晶硅層的開關(guān)通孔耦接的開關(guān)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，多晶硅層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域包括兩條開關(guān)金屬走線，兩條開關(guān)金屬走線接收預(yù)設(shè)的電平信號(hào)生成器輸出的電平信號(hào)，其中，一條開關(guān)金屬走線接收電平信號(hào)生成器輸出的高電平信號(hào)，另一條開關(guān)金屬走線接收電平信號(hào)生成器輸出的低電平信號(hào)。

參照?qǐng)D1，給出了本發(fā)明實(shí)施中的一種電平信號(hào)生成器的結(jié)構(gòu)示意圖，電平信號(hào)生成器包括：第一PMOS管A1、第二PMOS管A2、第一NMOS管A3以及第二NMOS管A4，其中：

第一PMOS管A1的源極與預(yù)設(shè)的電壓源VDD耦接，柵極和漏極耦接之 后與第二NMOS管A4的柵極耦接。

第二PMOS管A2的源極與預(yù)設(shè)的電壓源VDD耦接，柵極與第一NMOS管A3的柵極耦接，漏極輸出高電平信號(hào)“1”，高電平信號(hào)輸入到多晶硅層的其中一條開關(guān)金屬走線中，該開關(guān)金屬走線輸出高電平信號(hào)。

第一NMOS管A3的漏極與柵極耦接之后與第二PMOS管A2的柵極耦接，源極與GND耦接。

第二NMOS管A4的柵極與第一PMOS管A1的柵極耦接，源極與GND耦接，漏極輸出低電平信號(hào)“0”，低電平信號(hào)輸入到多晶硅層的另一條開關(guān)金屬走線中，該開關(guān)金屬走線輸出低電平信號(hào)。

在本發(fā)明其他實(shí)施例中，多晶硅層的開關(guān)金屬走線接收的電平信號(hào)還可以通過其他裝置產(chǎn)生，此處不做贅述。

對(duì)應(yīng)于金屬層中的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域，與多晶硅層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域類似，可以包括：至少兩條用于接收不同電平信號(hào)輸入的開關(guān)金屬走線，且不同電平信號(hào)輸入的開關(guān)金屬走線之間互不耦接；將所在金屬層的開關(guān)金屬走線與相鄰層的開關(guān)金屬走線耦接的開關(guān)通孔；以及將所在金屬層的開關(guān)金屬走線與開關(guān)通孔耦接的開關(guān)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，金屬層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域包括：兩條開關(guān)金屬走線；與相鄰層的開關(guān)金屬走線耦接的開關(guān)通孔；以及將所在層開關(guān)金屬走線與開關(guān)通孔耦接的開關(guān)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，多晶硅層疊置在金屬層的下端，多晶硅層的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔與最低層金屬層的開關(guān)金屬走線耦接，多晶硅層的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)作為最低層金屬層的開關(guān)金屬走線的電平信號(hào)輸入。

次低層金屬層疊置在最低層金屬層的上方，最低層金屬層的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔與次低層的開關(guān)金屬走線耦接。最低層的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)作為次低層金屬層的開關(guān)金屬走線的電平信號(hào)輸入。

最高層金屬層疊置在金屬層的最上層，最上層金屬層的開關(guān)金屬走線與 預(yù)設(shè)的寄存器耦接，寄存器可以用于存儲(chǔ)最上層金屬層的開關(guān)金屬走線的輸出電平。

參照?qǐng)D2，給出了本發(fā)明一實(shí)施例中的一種芯片的開關(guān)區(qū)域的剖視圖。圖2中，芯片的開關(guān)區(qū)域包括5層金屬層以及多晶硅層P1，多晶硅P1疊置在5層金屬層的底部。5層金屬層分別為M1～M5，最低層金屬層為M1，最低層金屬層M1疊置在多晶硅層P1的上方，最低層金屬層M1的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔CON與多晶硅層P1的開關(guān)金屬走線耦接。

金屬層M2疊置在最低層金屬層M1的上方，金屬層M2的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔VIA1與最低層金屬層M1的開關(guān)金屬走線耦接。金屬層M3疊置在最低層金屬層M2的上方，金屬層M3的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔VIA2與最低層金屬層M2的開關(guān)金屬走線耦接。金屬層M4疊置在最低層金屬層M3的上方，金屬層M4的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔VIA3與最低層金屬層M3的開關(guān)金屬走線耦接。金屬層M5疊置在最低層金屬層M4的上方，金屬層M5的開關(guān)金屬走線通過開關(guān)通孔VIA4與最低層金屬層M4的開關(guān)金屬走線耦接。

金屬層M1～M5對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域以及多晶硅層P1的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，均存在與所在層開關(guān)金屬走線耦接的開關(guān)(圖2中未示出)，所在層的開關(guān)金屬走線與開關(guān)通孔通過所在層的開關(guān)耦接，通過控制開關(guān)的開啟或閉合，來控制開關(guān)金屬走線與開關(guān)通孔的連接。

最低層的多晶硅層P1的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)作為金屬層M1的開關(guān)金屬走線的輸入，金屬層M1的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)作為金屬層M2的開關(guān)金屬走線的輸入，依此類推，金屬層M4的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)作為金屬層M5的開關(guān)金屬走線的輸入。

也就是說，電平信號(hào)從最低層的多晶硅層P1的開關(guān)金屬走線依序通過疊置在其上的金屬層的開關(guān)金屬走線，最高層金屬層M5的電平信號(hào)輸入到預(yù)設(shè)的寄存器中。

參照?qǐng)D3～圖6，給出了本發(fā)明一實(shí)施例中的幾種芯片預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的俯視圖。

在本發(fā)明實(shí)施例中，可以預(yù)先設(shè)定開關(guān)通孔2031、2041，也可以預(yù)先設(shè)定開關(guān)通孔2032、2042，還可以預(yù)先設(shè)定開關(guān)通孔2031、2032、2041以及2042。開關(guān)S1和開關(guān)S2設(shè)置在預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，用于控制不同的開關(guān)通孔閉合或斷開，其中：開關(guān)S1(圖中未示出)可以控制開關(guān)通孔2031、2032其中之一閉合，開關(guān)S2(圖中未示出)可以控制開關(guān)通孔2041、2042其中之一閉合。

圖3中，H1表示為所在層預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，與高電平信號(hào)耦接的開關(guān)金屬走線。L1表示為所在層預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，與低電平信號(hào)耦接的開關(guān)金屬走線，H1與L1不存在連接關(guān)系。

開關(guān)金屬走線201表示為疊置在所在層上方相鄰金屬層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，與H1耦接的開關(guān)金屬走線，H1與開關(guān)金屬走線201通過開關(guān)通孔2031耦接。開關(guān)金屬走線202表示為疊置在所在層上方相鄰的金屬層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，與L1耦接的開關(guān)金屬走線，L1與開關(guān)金屬走線202通過開關(guān)通孔2041耦接。

由于H1的輸出信號(hào)為高電平信號(hào)，且H1與開關(guān)金屬走線201耦接，即開關(guān)金屬走線201的輸入信號(hào)為H1的輸出信號(hào)，因此開關(guān)金屬走線201上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)。相應(yīng)地，開關(guān)金屬走線202上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)。

開關(guān)金屬走線301表示為疊置在所在層上方第二層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，與開關(guān)金屬走線201耦接的開關(guān)金屬走線，開關(guān)金屬走線301通過開關(guān)通孔205與開關(guān)金屬走線201耦接。開關(guān)金屬走線302表示為疊置在所在層上方第二層的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域中，與開關(guān)金屬走線202耦接的開關(guān)金屬走線，開關(guān)金屬走線302通過開關(guān)通孔206與開關(guān)金屬走線202耦接。

以圖2中的芯片預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域圖為例，結(jié)合圖3，在所在層為M2時(shí)，疊置在所在層上方相鄰的金屬層為M3，疊置在所在層上方第二層為M4，即：H1、L1為金屬層M2對(duì)應(yīng)的開關(guān)金屬走線時(shí)，開關(guān)金屬走線202、開關(guān)金屬走線202為金屬層M3對(duì)應(yīng)的開關(guān)金屬走線，開關(guān)金屬走線301、開關(guān)金屬走線302為金屬層M4對(duì)應(yīng)的開關(guān)金屬走線。

結(jié)合圖2及圖3，可以看出，H1的輸出作為開關(guān)金屬走線201的輸入，開關(guān)金屬走線201的輸出作為開關(guān)金屬走線301的輸入。相應(yīng)地，L1的輸出作為開關(guān)金屬走線202的輸入，開關(guān)金屬走線202的輸出作為開關(guān)金屬走線302的輸入。即：疊置在低層的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)作為相鄰高層的開關(guān)金屬走線上的電平信號(hào)輸入，其中，最高層金屬層M5輸出的電平信號(hào)作為預(yù)設(shè)寄存器的輸入。

在實(shí)際應(yīng)用中，芯片的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域還可以存在多種不同的連接方式，參照?qǐng)D4～圖6。

圖4中，與圖3所不同的是，在圖3中，通過開關(guān)S1將H1與開關(guān)通孔2031耦接，通過開關(guān)S2將L1與開關(guān)通孔2041耦接(開關(guān)S1和S2在圖中未示出)，從而使得H1通過開關(guān)通孔2031與開關(guān)金屬走線201耦接，L1通過開關(guān)通孔2041與開關(guān)金屬走線202耦接，開關(guān)金屬走線201通過開關(guān)通孔205與開關(guān)金屬走線301耦接，開關(guān)金屬走線202通過開關(guān)通孔206與開關(guān)金屬走線302耦接。

而在圖4中，通過開關(guān)S1將H1與開關(guān)通孔2032耦接，通過開關(guān)S2將L1與開關(guān)通孔2042耦接，從而使得H1通過開關(guān)通孔2032與開關(guān)金屬走線202耦接，L1通過開關(guān)通孔2042與開關(guān)金屬走線201耦接。

從本發(fā)明上述實(shí)施例中可知，H1上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，L1上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)。因此，圖3中，開關(guān)金屬走線201上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線301上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線202上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)。

而在圖4中，由于開關(guān)金屬走線201通過開關(guān)通孔2042與L1耦接，開關(guān)金屬走線202通過開關(guān)通孔2032與H1耦接，因此，開關(guān)金屬走線201上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線202上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)。相應(yīng)地，開關(guān)金屬走線301上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)。

也就是說，開關(guān)金屬走線301與開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)的極性與疊置在低一層的開關(guān)S1以及開關(guān)S2所選擇連接的通孔相關(guān)。在開關(guān)S2與 開關(guān)S2所選擇的通孔發(fā)生改變時(shí)，開關(guān)金屬走線301與開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)的極性也可以發(fā)生相應(yīng)的改變。

在實(shí)際的應(yīng)用中，由于電平信號(hào)是通過開關(guān)金屬走線依序從多晶硅層P1傳輸至最高層金屬層M5，因此，控制其中一層的開關(guān)選擇不同的開關(guān)通孔時(shí)，最高層金屬層的開關(guān)金屬走線上的電平可以發(fā)生相應(yīng)的改變。相應(yīng)地，輸入到寄存器中的信號(hào)也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的改變。

參照?qǐng)D5，與圖3及圖4所不同的是，圖5中，H1與L1的形狀發(fā)生改變，H1通過開關(guān)通孔2041與開關(guān)金屬走線202耦接，L1通過開關(guān)通孔2031與開關(guān)金屬走線201耦接。從本發(fā)明上述實(shí)施例中可知，H1上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，L1上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，因此，開關(guān)金屬走線201上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線202上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)。相應(yīng)地，開關(guān)金屬走線301上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)。

參照?qǐng)D6，與圖5所不同的是，圖6中，H1通過開關(guān)通孔2042與開關(guān)金屬走線201耦接，L1通過開關(guān)通孔2032與開關(guān)金屬走線202耦接。開關(guān)金屬走線201上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線202上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)。相應(yīng)地，開關(guān)金屬走線301上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)。

從本發(fā)明上述實(shí)施例中可知，通過開關(guān)S1和S2選擇不同的開關(guān)通孔，可以改變最高層金屬層M5的開關(guān)金屬走線輸出電平的極性。通過改變開關(guān)金屬走線H1與L1的形狀，并通過開關(guān)S1和S2選擇不同的開關(guān)通孔，也可以改變最高層金屬層M5的開關(guān)金屬走線輸出電平的極性。由于最高層金屬層M5的開關(guān)金屬走線與寄存器耦接，因此，寄存器中存儲(chǔ)的最高層金屬層的開關(guān)金屬走線的電平信號(hào)發(fā)生相應(yīng)的變化。

例如，設(shè)定芯片中預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的俯視圖如圖3所示，以圖3為例，設(shè)定開關(guān)金屬走線301與302為最高層金屬層的開關(guān)金屬走線，從上述內(nèi)容中可知，開關(guān)金屬走線301上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，此時(shí)，寄存器中存儲(chǔ)的開關(guān)金屬走線的電平信號(hào) 為10。

在對(duì)芯片進(jìn)行改版之后，可以對(duì)芯片標(biāo)識(shí)符進(jìn)行修改，以使得修改后的芯片標(biāo)識(shí)符能夠與當(dāng)前的芯片版圖對(duì)應(yīng)。在實(shí)際應(yīng)用中，芯片標(biāo)識(shí)符電路可以包括多個(gè)預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域，多個(gè)預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域分別存在一一對(duì)應(yīng)的寄存器。通過寄存器讀取總線即可讀取所有寄存器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，也即寄存器各自存儲(chǔ)的電平信號(hào)，獲取到的一串二進(jìn)制字符即可作為芯片的當(dāng)前版本號(hào)，即芯片標(biāo)識(shí)符。

例如，參照?qǐng)D7，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種芯片標(biāo)識(shí)符讀取電路結(jié)構(gòu)示意圖。預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的個(gè)數(shù)為4個(gè)，分別為預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域1、預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域2、預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域3以及預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域4，預(yù)設(shè)開關(guān)1～4與寄存器1～4一一對(duì)應(yīng)，寄存器1中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為10，寄存器2中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為01，寄存器3中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為01，寄存器4中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為10。讀取裝置702通過寄存器讀取總線701從寄存器1～4中讀取到的芯片標(biāo)識(shí)符為10010110。

在本發(fā)明實(shí)施例中，在對(duì)芯片進(jìn)行改版之后，在修改芯片標(biāo)識(shí)符時(shí)，只需要選擇其中一個(gè)預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域進(jìn)行修改即可。

選定預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域4作為修改的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域，通過開關(guān)S1將開關(guān)通孔2032與H1耦接，通過開關(guān)S2將開關(guān)通孔2042與L1耦接，此時(shí)，開關(guān)金屬走線301上的電平信號(hào)為低電平信號(hào)，開關(guān)金屬走線302上的電平信號(hào)為高電平信號(hào)，即：寄存器中存儲(chǔ)的開關(guān)金屬走線的電平信號(hào)更新為01。

此時(shí)，芯片標(biāo)識(shí)符更新為10010101，即芯片的標(biāo)識(shí)符發(fā)生了更改，實(shí)現(xiàn)了對(duì)芯片標(biāo)識(shí)符進(jìn)行更改的目的。

可以理解的是，本發(fā)明上述實(shí)施例中提供的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的結(jié)構(gòu)還可以存在其他的形式，并不僅限于本發(fā)明上述實(shí)施例中所提供的預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的結(jié)構(gòu)。預(yù)設(shè)開關(guān)區(qū)域的結(jié)構(gòu)只要滿足以下條件即可：選擇不同的開關(guān)通孔或更改開關(guān)金屬走線的形狀，即可更改最高層金屬層開關(guān)金屬走線的輸出電平的極性。

由此可見，通過調(diào)整所在層中的開關(guān)或開關(guān)金屬走線的走向，將所在層中的開關(guān)金屬走線與不同的開關(guān)通孔耦接，使得所在層中的開關(guān)金屬走線的 電平極性發(fā)生變化。由于相鄰高層的開關(guān)金屬走線的輸入電平為所在層的開關(guān)金屬走線的輸出電平，因此，所在層的開關(guān)金屬走線的變化可以導(dǎo)致相鄰高層的開關(guān)金屬走線上的電平極性發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致最高層金屬層的開關(guān)金屬走線上的電平的極性發(fā)生改變，輸入到寄存器中的最高層金屬層的電平發(fā)生改變，也就是說，芯片標(biāo)識(shí)符相應(yīng)的發(fā)生改變。即：僅需要對(duì)所在層的通孔或者開關(guān)金屬走線的形狀進(jìn)行更改，即可實(shí)現(xiàn)芯片標(biāo)識(shí)符的更改，因此，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案能夠簡化芯片標(biāo)識(shí)符的修改流程。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。