技術總結
本發(fā)明提供了一種半導體元件的制造方法。首先，于阻障層上形成介電層。接著，于介電層中形成第一開口。第一開口裸露出部分阻障層。繼而，于第一開口的底部的阻障層上形成保護層。保護層的中央部分的厚度大于邊緣部分的厚度。然后，以保護層為掩模，移除部分阻障層，以形成第二開口。第二開口具有至少一個次開口，所述次開口位于鄰近第二開口的側壁的阻障層中。本發(fā)明另提供了一種由上述方法所工藝的半導體元件。

技術研發(fā)人員：林心冠;李鴻志
受保護的技術使用者：旺宏電子股份有限公司
文檔號碼：201510212460
技術研發(fā)日：2015.04.29
技術公布日：2016.12.07