本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝節(jié)點(diǎn)逐漸減小，后柵(gate-last)工藝得到了廣泛應(yīng)用，以獲得理想的閾值電壓，改善器件性能。但是當(dāng)器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)進(jìn)一步下降時，即使采用后柵工藝，常規(guī)的MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)也已經(jīng)無法滿足對器件性能的需求，鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin FET)作為常規(guī)器件的替代得到了廣泛的關(guān)注。

現(xiàn)有技術(shù)的一種鰭式場效應(yīng)晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有凸出的鰭部，鰭部一般是通過對半導(dǎo)體襯底刻蝕后得到的；隔離層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的表面以及鰭部的側(cè)壁的一部分；柵極結(jié)構(gòu)，橫跨在所述鰭部上，覆蓋所述鰭部的頂端和側(cè)壁，柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵電極；位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)內(nèi)的源區(qū)和漏區(qū)。

為了提高鰭式場效應(yīng)晶體管的性能，通常在鰭式場效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)引入應(yīng)力，以提高鰭式場效應(yīng)晶體管溝道區(qū)載流子的遷移率，具體的，在P型的鰭式場效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)形成硅鍺材料，在N型的鰭式場效應(yīng)晶體管管的源區(qū)和漏區(qū)形成碳硅材料。

但是現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能仍有待提高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是怎樣提高具有應(yīng)力源區(qū)和漏區(qū)的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有鰭部；

在所述鰭部的側(cè)壁和頂部表面形成第一氧化硅層；

在部分所述第一氧化層的表面上形成多晶硅柵極；

去除所述多晶硅柵極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面上的第一氧化硅層；

采用含臭氧的溶液清洗所述多晶硅柵極的側(cè)壁，在所述多晶硅柵極的側(cè)壁表面上形成第二氧化硅層；

在所述第二氧化硅層側(cè)壁表面上形成偏移側(cè)墻；

以所述多晶硅柵極和偏移側(cè)墻為掩膜，刻蝕多晶硅柵極和偏移側(cè)墻兩側(cè)的鰭部，形成凹槽；

在凹槽中形成應(yīng)力源/漏區(qū)。

可選的，去除所述第一氧化硅層的工藝為濕法刻蝕或者干法刻蝕。

可選的，所述濕法刻蝕采用的刻蝕溶液為氫氟酸溶液或BOE溶液。

可選的，所述氫氟酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為0.005％～5％。

可選的，所述第二氧化硅層的厚度為5～100埃。。

可選的，所述含臭氧的溶液的質(zhì)量百分比濃度為1～500PPM。

可選的，所述第一氧化硅層的形成工藝為熱氧化。

可選的，所述第一氧化硅層的厚度為5～150埃。

可選的，所述偏移側(cè)墻的材料為氮化硅或氮氧化硅。

可選的，所述應(yīng)力源/漏區(qū)的形成工藝為選擇性外延。

可選的，所述鰭式場效應(yīng)晶體管為N型的鰭式場效應(yīng)晶體管，所述應(yīng)力源/漏區(qū)的材料為SiC。

可選的，所述鰭式場效應(yīng)晶體管為P型的鰭式場效應(yīng)晶體管，所述應(yīng)力源/漏區(qū)的材料為SiGe。

可選的，所述應(yīng)力源/漏區(qū)中摻雜有雜質(zhì)離子。

可選的，刻蝕多晶硅柵極和偏移側(cè)墻兩側(cè)的鰭部形成凹槽的工藝為干法刻蝕和濕法刻蝕相結(jié)合的工藝。

可選的，所述鰭部的剖面形狀為“梯形”。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，在所述鰭部的側(cè)壁和頂部表面形成第一氧化硅層，在部分所述第一氧化層的表面上形成多晶硅柵極后，去除所述多晶硅柵極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面上的第一氧化硅層，然后，采用含臭氧的溶液清洗所述多晶硅柵極的側(cè)壁，在所述多晶硅柵極的側(cè)壁表面上形成第二氧化硅層；然后，在所述第二氧化硅層側(cè)壁表面上形成偏移側(cè)墻；接著，以所述多晶硅柵極和偏移側(cè)墻為掩膜，刻蝕多晶硅柵極和偏移側(cè)墻兩側(cè)的鰭部，形成凹槽；接著，在凹槽中形成應(yīng)力源/漏區(qū)。在形成多晶硅柵極后，去除柵電極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面的致密的第一氧化硅層，在后續(xù)形成凹槽時，防止該致密的第一氧化硅層對刻蝕過程的影響，防止形成的凹槽形狀呈“V”型；

另外，采用含臭氧的溶液清洗所述多晶硅柵極的側(cè)壁，在所述多晶硅柵極的側(cè)壁表面上形成第二氧化硅層，采用化學(xué)的方法形成的第二氧化硅層，第二氧化硅層厚度可以較薄，并且第二氧化硅層的致密度很低，即使在鰭部的源漏區(qū)域的頂部和側(cè)壁表面也會形成第二氧化硅層，但是第二氧化硅層對后續(xù)刻蝕形成凹槽的工藝影響很小或有限。

進(jìn)一步，去除多晶硅柵極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面上的第一氧化硅層的工藝為各向同性的濕法刻蝕，以達(dá)到干凈的去除多晶硅柵極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面上的第一氧化硅層的目的，防止多晶硅柵極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面上第一氧化硅層產(chǎn)生殘留而影響凹槽的形成。

附圖說明

圖1～圖12為本發(fā)明實施例鰭式場效應(yīng)晶體管形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

如背景技術(shù)所言，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能仍有待提高，比如現(xiàn)有技術(shù)形成的應(yīng)力源區(qū)和漏區(qū)對鰭式場效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)施加的應(yīng)力仍較為有限。

對現(xiàn)有技術(shù)鰭式場效應(yīng)晶體管的形成過程進(jìn)行研究，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有凸起的鰭部；形成橫跨部分所述鰭部的側(cè)壁和頂部表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于鰭部的側(cè)壁和頂部表面上的柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵電極，所述柵介質(zhì)層的材料為氧化硅，形成工藝為熱氧化，所述柵電極的材料為多晶硅；對所述柵電極的側(cè)壁進(jìn)行再氧化，修復(fù)刻蝕損傷；在所述柵電極的側(cè)壁形成偏移側(cè)墻，所述偏移側(cè)墻的材料為氧化硅或其他合適的材料；以所述偏移側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對所述偏移側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部進(jìn)行離子注入，形成淺摻雜區(qū)；在所述偏移側(cè)墻上形成主側(cè)墻；以所述主側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕主側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部，在主側(cè)墻和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成凹槽；在凹槽中填充應(yīng)力材料，形成應(yīng)力源區(qū)和應(yīng)力漏區(qū)。研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部形成的凹槽容易呈“V”型，“V”型凹槽的底部的晶格較為混亂，當(dāng)采用外延工藝在“V”型凹槽中填充應(yīng)力層時，受到“V”型凹槽表面混亂晶格的影響，形成的應(yīng)力層的晶格質(zhì)量不好并且容易產(chǎn)生缺陷，從而使得應(yīng)力源區(qū)和應(yīng)力漏區(qū)對溝道區(qū)施加的應(yīng)力比較有限，另外“V”型的應(yīng)力層跟柵極結(jié)構(gòu)底部的溝道區(qū)的接觸面積會減小，因而應(yīng)力層對溝道區(qū)施加的應(yīng)力也會減小。

進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，鰭部中形成的凹槽呈“V”型的原因為：一方面，形成技術(shù)形成的柵介質(zhì)層的材料為氧化硅，形成工藝為熱氧化，采用熱氧化工藝形成的柵介質(zhì)層的覆蓋整個鰭部的表面，即鰭部的上對應(yīng)溝道區(qū)的表面以及對應(yīng)源區(qū)和漏區(qū)的側(cè)壁和頂部表面均會形成一層熱氧化層，在形成柵電極后，需要對柵極的側(cè)壁進(jìn)行再氧化工藝以修復(fù)刻蝕損傷，所述鰭部上對應(yīng)源區(qū)和漏區(qū)頂部和側(cè)壁表面也會被再次氧化，使得鰭部上對應(yīng)源區(qū)和漏區(qū)的側(cè)壁表面形成的熱氧化層的厚度較厚并且密度較大，后續(xù)在刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部時，鰭部側(cè)壁兩側(cè)表面上的熱氧化層較難被去除，對刻蝕凹槽的等離子體會產(chǎn)生阻擋，對凹槽的形成過程會產(chǎn)生影響，影響了形成的凹槽形狀，另一方面，特別是在現(xiàn)有技術(shù)形成鰭部的剖面形狀為“梯形”(從鰭部的底部到頂部，鰭部的寬度逐漸減小)時，即鰭部的側(cè)壁是傾斜的，鰭部的傾斜側(cè)壁上附著有致密的熱氧化硅層，在進(jìn)行刻蝕時，傾斜的側(cè)壁和傾斜側(cè)壁上的的致 密氧化層對刻蝕時的等離子體阻擋更為明顯，使得中間的鰭部材料的刻蝕速率大于邊緣鰭部(靠近鰭部傾斜側(cè)壁)的刻蝕速率，使得最終形成的凹槽呈“V”型。

為此，本發(fā)明提供了一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法，在形成多晶硅柵極后，去除柵電極兩側(cè)的鰭部側(cè)壁表面的致密的第一氧化硅層，在后續(xù)形成凹槽時，防止該致密的第一氧化硅層對刻蝕過程的影響，防止形成的凹槽形狀呈“V”型。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。

圖1～圖12為本發(fā)明實施例鰭式場效應(yīng)晶體管形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300上形成有鰭部301；在所述鰭部301的側(cè)壁和頂部表面形成第一氧化硅層；在部分所述第一氧化層的表面上形成多晶硅柵極304。

所述半導(dǎo)體襯底300可以是硅或者絕緣體上硅(SOI)，所述半導(dǎo)體襯底300也可以是鍺、鍺硅、砷化鎵或者絕緣體上鍺或其他合適的材料，本實施中所述半導(dǎo)體襯底300的材料為硅。

所述半導(dǎo)體襯底300表面形成有若干凸起的鰭部301，本實施例中，所述鰭部301通過刻蝕半導(dǎo)體襯底300形成，在本發(fā)明的其他實施例中，所述鰭部301通過外延工藝形成。所述鰭部301中可以根據(jù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的類型不同摻雜有不同類型的雜質(zhì)離子，本實施例中，當(dāng)待形成的鰭式場效應(yīng)晶體管為P型鰭式場效應(yīng)晶體管時，鰭部301中可以摻雜N型雜質(zhì)離子；當(dāng)待形成的鰭式場效應(yīng)晶體管為N型鰭式場效應(yīng)晶體管時，鰭部301中可以摻雜P型雜質(zhì)離子。

本實施例中，所述形成的鰭部301的剖面形狀(沿切割線AB方向)為“梯 形”，即所述鰭部301的寬度從底部向頂部逐漸減小，所述鰭部301側(cè)壁的傾斜角度為70～85°。

所述鰭部301包括溝道區(qū)域和位于溝道區(qū)域兩側(cè)源漏區(qū)域，后續(xù)在鰭部的溝道區(qū)域上形成柵極結(jié)構(gòu)(包括第一氧化硅層和位于第一氧化硅層上的多晶硅柵極)，所述源漏區(qū)域中后續(xù)形成鰭式場效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)。

本實施例中，所述半導(dǎo)體襯底300上還形成有隔離層305，所述隔離層305的表面低于鰭部301的頂部表面，所述隔離層305用于電學(xué)隔離相鄰的鰭部301和相鄰的柵極結(jié)構(gòu)，所述隔離層305的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，本實施例中所述隔離層305的材料為氧化硅。隔離層305形成的具體過程為：首先形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底300和鰭部301的隔離材料層；然后采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述隔離材料層，以鰭部301的頂部表面為停止層；接著回刻蝕去除部分所述隔離材料層，形成隔離層305，所述隔離層305的表面低于鰭部301的頂部表面。

結(jié)合參考圖1、圖2和圖3，圖2為圖1沿切割線AB方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為圖1沿切割線CD方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，在形成隔離層305后，在所述鰭部的側(cè)壁和頂部表面形成第一氧化硅層303，然后在部分所述第一氧化層303的表面上形成多晶硅柵極304。

在一實施例中，所述第一氧化硅層303的形成工藝為熱氧化工藝，第一氧化硅層303的厚度為5～150埃，所述第一氧化硅層303覆蓋所述鰭部301上溝道區(qū)域的頂部和側(cè)壁表面，所述第一氧化硅層303還覆蓋鰭部301上的源漏區(qū)域的頂部和側(cè)壁表面，具體可以參考圖4，圖4為圖1沿切割線EF方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，熱氧化工藝形成的第一氧化硅層303的致密度較高。

所述多晶硅柵極304的形成過程為：形成覆蓋所述第一氧化硅層303表面和半導(dǎo)體襯底300表面的多晶硅材料層；平坦化所述多晶硅材料層，平坦化后的多晶硅材料層表面高于鰭部301的頂部表面；在所述平坦化后的多晶硅材料層上形成圖形化的硬掩膜層(比如氮化硅層等)；以所述圖像化的硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述多晶硅材料層，在部分所述第一氧化硅層303表面上形成多晶硅柵極304，所述多晶硅柵極304橫跨覆蓋所述鰭部301的部分側(cè)壁 和頂部表面。

需要說明的是，后續(xù)附圖中，其中圖5、圖7～圖9，圖11是在圖3的基礎(chǔ)上對本發(fā)明鰭式場效應(yīng)晶體管形成過程進(jìn)行的示意，其中圖6、圖10和圖12是在圖4的基礎(chǔ)上對本發(fā)明鰭式場效應(yīng)晶體管形成過程進(jìn)行的示意。

參考圖5和圖6，去除所述多晶硅柵極304兩側(cè)的鰭部301側(cè)壁表面上的第一氧化硅層。

去除多晶硅柵極304兩側(cè)的鰭部301側(cè)壁表面上的第一氧化硅層的工藝為各向同性的濕法刻蝕或干法刻蝕，或者其他合適的去除工藝。

所述濕法刻蝕采用的刻蝕溶液為氫氟酸溶液或BOE溶液。所述干法刻蝕為含碳和氟的等離子體刻蝕。

在一實施例中，所述濕法刻蝕采用的刻蝕溶液為氫氟酸溶液，所述氫氟酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為0.005％～5％，以干凈的去除鰭部301上的源漏區(qū)域側(cè)壁表面的第一氧化硅層(或者多晶硅柵極304兩側(cè)的鰭部301側(cè)壁表面上的第一氧化硅層)，同時也可以去除鰭部301上的源漏區(qū)域頂部表面上的第一氧化硅層，以免鰭部301上的源漏區(qū)域的側(cè)壁表面上的第一氧化硅層影響后續(xù)凹槽的形成。

參考圖7，采用含臭氧的溶液清洗所述多晶硅柵極304的側(cè)壁，在所述多晶硅柵極304的側(cè)壁表面上形成第二氧化硅層305。

形成第二氧化硅層305的目的：一方面是修復(fù)多晶硅柵極側(cè)壁表面的刻蝕損傷，另一方面是第二氧化硅層305作為后續(xù)形成的偏移側(cè)墻與多晶硅柵極305之間的緩沖層，防止偏移側(cè)墻與多晶硅柵極305直接接觸產(chǎn)生應(yīng)力。

含臭氧的溶液清洗所述多晶硅柵極304的側(cè)壁，在所述多晶硅柵極304的側(cè)壁表面上形成第二氧化硅層305，采用化學(xué)的方法形成的第二氧化硅層305，第二氧化硅層305厚度可以較薄，并且第二氧化硅層305的致密度很低，即使在鰭部的源漏區(qū)域的頂部和側(cè)壁表面也會形成第二氧化硅層305，但是在刻蝕時很容易去除，因而第二氧化硅層305對后續(xù)刻蝕形成凹槽的工藝影響很小或有限。

在一實施例中，所述第二氧化硅層的厚度為5～100埃。

研究發(fā)現(xiàn)，所述含臭氧的溶液的質(zhì)量百分比濃度不能太大，濃度太大的話形成的第二氧化硅層的厚度會過厚，所述含臭氧的溶液的質(zhì)量百分比濃度也不能太小，濃度太小的話，清洗的效果有限，并且清洗的時間會較長，在一實施例中，所述含臭氧的溶液的質(zhì)量百分比濃度為1～500PPM，可以為5PPM、10PPM、30PPM、50PPM、100PPM、150PPM、200PPM、250PPM、300PPM、400PPM。

參考圖8，在所述第二氧化硅層305側(cè)壁表面上形成偏移側(cè)墻306。

所述偏移側(cè)墻306后續(xù)作為刻蝕多晶硅柵極和偏移側(cè)墻兩側(cè)的鰭部時的掩膜，用于調(diào)節(jié)凹槽的位置。

所述偏移側(cè)墻材料為氮化硅、氮氧化硅或者其他合適的材料。

所述偏移側(cè)墻306的形成過程為：形成覆蓋所述多晶硅柵極304和鰭部301的側(cè)墻材料層；無掩膜刻蝕所述側(cè)墻材料層，在所述第二氧化硅層305側(cè)壁表面上形成偏移側(cè)墻306。

參考圖9和圖10，以所述多晶硅柵極304和偏移側(cè)墻306為掩膜，刻蝕多晶硅柵極304和偏移側(cè)墻306兩側(cè)的鰭部301，形成凹槽307。

刻蝕所述鰭部可以為濕法刻蝕、干法刻蝕或者兩者相結(jié)合的工藝。

所述凹槽307為“sigma”形狀(沿圖1中切割線AB方向的剖面形狀)的凹槽，后續(xù)在凹槽中形成應(yīng)力源/漏區(qū)時，有利于提高應(yīng)力源/漏區(qū)對鰭式場效應(yīng)晶體管溝道區(qū)施加的應(yīng)力，在一實施例中，所述“sigma”形狀的凹槽的形成工藝為：采用干法刻蝕工藝刻蝕多晶硅柵極304和偏移側(cè)墻306兩側(cè)的鰭部301，形成矩形槽，干法刻蝕時，腔室壓力為10-45mtorr，功率為450-750W，CF₄的氣體流量為25-180sccm，HBr的氣體流量為100-800sccm，He的氣體流量為200-900sccm，O₂的氣體流量為5-20sccm，溫度為40-80℃，偏置電壓為100-250V，刻蝕時間為20-80S；接著采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述矩形槽，形成“sigma”形狀的凹槽307，所述濕法刻蝕工藝采用的化學(xué)試劑為堿性，例如TMAH(即(CH₃)₄NOH，四甲基氫氧化氨)或NH₃.H₂O。

本實施例中，在刻蝕形成凹槽307的過程中，由于鰭部的源漏區(qū)域(特別是剖面形狀為梯形的鰭部)側(cè)壁表面上的熱氧化硅層已去除，因而熱氧化硅層不會對刻蝕過程產(chǎn)生影響，防止形成的凹槽307沿切割線AB方向(參考圖1)的剖面形狀呈現(xiàn)“V”型(沿圖1中切割線EF方向的剖面形狀)，從而提高了后續(xù)在凹槽307中形成的應(yīng)力源/漏區(qū)與鰭式場效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)的接觸面積較大，并且提高了凹槽307中形成的應(yīng)力源/漏區(qū)的晶格質(zhì)量，從而提升了應(yīng)力源/漏區(qū)對溝道區(qū)域的應(yīng)力的大小。

參考圖11和圖12，在凹槽307(參考圖7)中形成應(yīng)力源/漏區(qū)308。

所述應(yīng)力源/漏區(qū)308的形成工藝為選擇性外延。

在一實施例中，所述鰭式場效應(yīng)晶體管為N型的鰭式場效應(yīng)晶體管，所述應(yīng)力源/漏區(qū)308的材料為SiC。

在另一實施例中，所述鰭式場效應(yīng)晶體管為P型的鰭式場效應(yīng)晶體管，所述應(yīng)力源/漏區(qū)308的材料為SiGe。

根據(jù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的類型，所述應(yīng)力源/漏區(qū)中摻雜有不同的雜質(zhì)離子，具體的，所述鰭式場效應(yīng)晶體管為N型的鰭式場效應(yīng)晶體管時，應(yīng)力源/漏區(qū)308中摻雜有N型雜質(zhì)離子，所述N型雜質(zhì)離子包括磷離子、砷離子、銻離子一種或幾種的組合；所述鰭式場效應(yīng)晶體管為P型的鰭式場效應(yīng)晶體管時，所述應(yīng)力源/漏區(qū)308中摻雜有P型雜質(zhì)離子，P型雜質(zhì)離子為硼離子、鎵離子、銦離子中的一種或幾種的組合。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。