1.一種高壓半導(dǎo)體裝置，包括：
阱區(qū)，其具有第一導(dǎo)電型，在基板的表面部形成；
柵極，其設(shè)置在所述阱區(qū)上；
源區(qū)，其在所述阱區(qū)臨近所述柵極的第一表面部形成；
漏區(qū)，其在所述阱區(qū)臨近所述柵極的第二表面部形成；
漂移區(qū)，其具有第二導(dǎo)電型，設(shè)置在所述漏區(qū)和所述阱區(qū)之間；
2.如權(quán)利要求1中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述基板具有第二導(dǎo)電型。
3.如權(quán)利要求1中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述漂移區(qū)設(shè)置在所述阱區(qū)中。
4.如權(quán)利要求1中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述漏區(qū)包括：
第二漂移區(qū)，其具有第一導(dǎo)電型，設(shè)置在所述漂移區(qū)上；
第二阱區(qū)，其具有第一導(dǎo)電型，設(shè)置在所述第二漂移區(qū)上；以及
第一摻雜區(qū)，其具有第一導(dǎo)電型，設(shè)置在所述第二阱區(qū)上。
5.如權(quán)利要求4中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述第二阱區(qū)至少部分圍繞所述第一摻雜區(qū)，且所述第二漂移區(qū)至少部分圍繞所述第二阱區(qū)。
6.如權(quán)利要求4中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述第二漂移區(qū)具有第一摻雜濃度，第一摻雜濃度高于所述阱區(qū)的摻雜濃度，所述第二阱區(qū)具有第二摻雜濃度，第二摻雜濃度高于所述第二漂移區(qū)的摻雜濃度，且所述第一摻雜區(qū)具有第三摻雜濃度，第三摻雜濃度高于所述第二阱區(qū)的摻雜濃度。
7.如權(quán)利要求1中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述源區(qū)包括：
第二摻雜區(qū)，其具有第一導(dǎo)電型，在所述阱區(qū)的表面部形成；
第三阱區(qū)，其具有第二導(dǎo)電型，至少部分圍繞所述第二摻雜區(qū)。
8.如權(quán)利要求7中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述源區(qū)還包括第三摻雜區(qū)，其設(shè)置在所述第二摻雜區(qū)的一側(cè)，所述第三摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電型，且其摻雜濃度低于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度。
9.如權(quán)利要求7中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，其中所述源區(qū)還包括第四摻雜區(qū)，其設(shè)置在所述第二摻雜區(qū)的另一側(cè)，所述第四摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電型，且其摻雜濃度高于所述第三阱區(qū)的摻雜濃度。
10.如權(quán)利要求1中所述的高壓半導(dǎo)體裝置，還包括柵場(chǎng)板，其設(shè)置在所述柵極和所述漏區(qū)之間。
11.制備高壓半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：
在基板的表面部形成具有第一導(dǎo)電型的阱區(qū)；
在所述阱區(qū)中形成具有第二導(dǎo)電型的漂移區(qū)；
在所述漂移區(qū)上形成漏區(qū)；
在與所述漏區(qū)隔開(kāi)處形成源區(qū)；且
在所述阱區(qū)上所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間形成柵極。
12.如權(quán)利要求11中所述的方法，其中所述形成漏區(qū)包括：
在所述漂移區(qū)上形成具有第一導(dǎo)電型的第二漂移區(qū)；
在所述第二漂移區(qū)中形成具有第一導(dǎo)電型的第二阱區(qū)；且
在所述第二阱區(qū)中形成具有第一導(dǎo)電型的第一摻雜區(qū)。
13.如權(quán)利要求12中所述的方法，其中所述第二漂移區(qū)具有第一摻雜濃度，第一摻雜濃度高于所述阱區(qū)的摻雜濃度，所述第二阱區(qū)具有第二摻雜濃度，第二摻雜濃度高于所述第一摻雜濃度，且所述第一摻雜區(qū)具有第三摻雜濃度，第三摻雜濃度高于所述第二摻雜濃度。
14.如權(quán)利要求12中所述的方法，還包括在所述阱區(qū)和所述第二漂移區(qū)上形成柵場(chǎng)板。
15.如權(quán)利要求14中所述的方法，其中所述柵場(chǎng)板通過(guò)局部硅氧化過(guò)程形成。
16.如權(quán)利要求11中所述的方法，其中所述形成源區(qū)包括：
在所述阱區(qū)的表面部形成具有第二導(dǎo)電型的第三阱區(qū)；且
在所述第三阱區(qū)的表面部形成具有第一導(dǎo)電型的第二摻雜區(qū)。
17.如權(quán)利要求16中所述的方法，其中所述形成源區(qū)還包括：
在所述第二摻雜區(qū)的一側(cè)形成第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電型且其摻雜濃度低于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度；且
在所述第二摻雜區(qū)的另一側(cè)形成第四摻雜區(qū)，所述第四摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電型且其摻雜濃度高于所述第三阱區(qū)的摻雜濃度。
18.如權(quán)利要求17中所述的方法，其中所述第二、第三和第四摻雜區(qū)在所述第三阱區(qū)中形成。