技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種高頻水平雙擴(kuò)散氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述方法包括：在外延層上表面依次生成第一墊氧化層和第一氮化硅層；在第一氮化硅層上定義下沉區(qū)域，并去除下沉區(qū)域的第一氮化硅層的氮化硅；在下沉區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成下沉區(qū)；在下沉區(qū)域的第一墊氧化層表面通過熱氧化生成預(yù)設(shè)厚度的氧化層；分別去除第一氮化硅層、氧化層和第一墊氧化層，在下沉區(qū)域的外延層上形成凹槽；依次在外延層上生成第二墊氧化層和第二氮化層，并定義有源區(qū)域；根據(jù)定義的有源區(qū)域制備有源區(qū)。本發(fā)明通過硅局部氧化技術(shù)形成對(duì)準(zhǔn)凹槽，避免了刻蝕硅形成凹槽過程中的等離子損傷，同時(shí)不會(huì)造成離子注入?yún)^(qū)的斷面，有效降低了器件的導(dǎo)通電阻。

技術(shù)研發(fā)人員：聞?wù)h;邱海亮;馬萬里;趙文魁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510233095
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.08
技術(shù)公布日：2016.12.07