本發(fā)明實(shí)施例涉及無(wú)掩模雙硅化工藝。

背景技術(shù)：

在過(guò)去幾十年里，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和FinFET的尺寸的減小，包括柵極長(zhǎng)度和柵極氧化物厚度的減小，已經(jīng)使在集成電路的每單位功能的速度、性能、密度和成本上的持續(xù)的改進(jìn)成為可能。為了進(jìn)一步增強(qiáng)晶體管性能，已經(jīng)使用位于半導(dǎo)體襯底的部分中的應(yīng)變的溝道區(qū)制造了MOSFET器件。應(yīng)變的溝道區(qū)允許實(shí)現(xiàn)提高的載流子遷移率，因此當(dāng)用于n溝道(NMOSFET)器件或用于p溝道(PMOSFET)器件時(shí)導(dǎo)致提高的性能。通常，期望在NMOSFET晶體管的n溝道中誘導(dǎo)在源極至漏極方向上的拉伸應(yīng)變以提高電子遷移率，以及在PMOSFET晶體管的p溝道中誘導(dǎo)在源極至漏極方向上的壓縮應(yīng)變以提高空穴遷移率。存在在晶體管溝道區(qū)引入應(yīng)變的現(xiàn)有的若干途徑。

在一個(gè)途徑中，通過(guò)在源極/漏極區(qū)中的襯底中生成凹槽來(lái)引入溝道區(qū)中的應(yīng)變。例如，可以通過(guò)在源極/漏極區(qū)中的凹進(jìn)的區(qū)域內(nèi)外延生長(zhǎng)具有大于硅的晶格結(jié)構(gòu)的應(yīng)力誘導(dǎo)層，諸如SiGe層，來(lái)在硅襯底上形成在溝道區(qū)中具有壓縮應(yīng)力的PMOS器件。類(lèi)似地，可以通過(guò)在源極/漏極區(qū)中的凹進(jìn)的區(qū)域內(nèi)外延生長(zhǎng)具有小于硅的晶格結(jié)構(gòu)的應(yīng)力誘導(dǎo)層，諸如SiP層，來(lái)在硅襯底上形成在溝道區(qū)中具有拉伸應(yīng)力的NMOS器件。

也可以減小接觸電阻，在一個(gè)途徑中，在源極和漏極區(qū)上方形成金屬層。實(shí)施退火工藝以使得形成金屬硅化物，以及去除金屬層的未反應(yīng)的材料。硅化物層允許在隨后形成的接觸件和源極和漏極區(qū)之間的減小的接觸電阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)；在所述第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件和在所述第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于所述第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于所述第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上；沿著所述第一源極/漏極區(qū)的表面形成掩模層；在所述第一器件區(qū)和所述第二器件區(qū)上方形成圖案化的介電層，通過(guò)所述圖案化的介電層暴露所述第一源極/漏極區(qū)和所述第二源極/漏極區(qū)；在所述第二源極/漏極區(qū)上方形成第二硅化物層；去除所述掩模層；以及在所述第一源極/漏極區(qū)上方形成第一硅化物層。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)，所述第一器件區(qū)具有第一柵極堆疊件，所述第二器件區(qū)具有第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于所述第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于所述第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上；在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)；在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一氧化區(qū)；在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)；在所述第一器件區(qū)和所述第二器件區(qū)上方形成第一介電層；圖案化所述第一介電層以暴露所述第一氧化區(qū)和所述第二應(yīng)力區(qū)；在所述第二應(yīng)力區(qū)上方形成第二硅化物區(qū)；在形成所述第二硅化物區(qū)之后，去除所述第一氧化區(qū)；以及在所述第一應(yīng)力區(qū)上方形成第一硅化物區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)；在所述第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件和在所述第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于所述第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于所述第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上；在所述第二器件區(qū)上方形成第一掩模層；在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)；氧化所述第一應(yīng)力區(qū)的表面，同時(shí)所述第一掩模層保護(hù)所述第二源極/漏極區(qū)，從而形成第一氧化區(qū)；去除位于所述第二源極/漏極區(qū)上方的所述第一掩模的部分；在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)；在所述第一器件區(qū)和所述第二器件區(qū)上方形成層間 電介質(zhì)(ILD)，圖案化所述ILD以暴露所述第一氧化區(qū)和所述第二應(yīng)力區(qū)；在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二硅化物區(qū)；去除所述第一氧化區(qū)的至少一部分；以及在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一硅化物區(qū)。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1至圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)中間工藝步驟的截面圖。

圖10是根據(jù)一些實(shí)施例的示出了形成半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為了便于描述，在此可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且在此使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。

如將在以下詳細(xì)討論的，將討論半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。有利地，工藝不需要單獨(dú)的掩模層。相反，以下所描述的工藝?yán)米詫?duì)準(zhǔn) 工藝以在第一源極/漏極區(qū)上方形成掩模(例如，氧化的掩模)以在當(dāng)處理第二源極/漏極區(qū)時(shí)保護(hù)第一源極/漏極區(qū)。

以下所討論的實(shí)施例示出為平面的晶體管或FinFET晶體管并且示出為具有具體的間隔件結(jié)構(gòu)。然而，其他實(shí)施例，可以使用任何合適的結(jié)構(gòu)，諸如不同的間隔件結(jié)構(gòu)、不同的摻雜輪廓、不同的柵極結(jié)構(gòu)等。

圖1至圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在半導(dǎo)體器件的各個(gè)制造階段期間的襯底100的部分的各個(gè)截面圖。首先參照?qǐng)D1，其中示出了具有第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104的襯底100。在示出的實(shí)施例中，第一器件區(qū)102通過(guò)淺溝槽隔離(STI)區(qū)106與第二器件區(qū)電隔離。例如，襯底100可以包括摻雜或未摻雜的塊狀硅，或絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底的有源層。通常，SOI襯底包括形成在絕緣層上的諸如硅的半導(dǎo)體材料的層。例如，絕緣層可以是埋氧(BOX)層或氧化硅層。在諸如硅或玻璃襯底的襯底上提供絕緣層?？蛇x地，襯底100可以包括另一元素半導(dǎo)體，諸如鍺；化合物半導(dǎo)體，包括碳化硅、砷化硅、磷化鎵、磷化銦、砷化銦、和/或銻化銦；合金半導(dǎo)體，包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、和/或GaInAsP；其他III-V族材料；或它們的組合。也可以使用諸如多層或梯度襯底的其他襯底。如將在以下詳細(xì)地解釋?zhuān)瑢⒗玫谝黄骷^(qū)102以形成具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的諸如NMOS器件的半導(dǎo)體器件，以及將利用第二器件區(qū)104以形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的諸如PMOS器件的半導(dǎo)體器件。

圖1也示出了形成在襯底100上的第一偽柵極堆疊件108a和第二偽柵極堆疊件108b(共同地稱(chēng)為“偽柵極堆疊件108”)。如以下更詳細(xì)地描述，偽柵極堆疊件108是用于對(duì)準(zhǔn)和形成鄰近偽柵極堆疊件108的源極/漏極區(qū)(未單獨(dú)示出)的犧牲結(jié)構(gòu)，并且將在隨后的工藝步驟中被替代。如此，可以由任何合適的材料和工藝形成偽柵極堆疊件108。在一些實(shí)施例中，偽柵極堆疊件108與諸如其他晶體管的其他器件同時(shí)形成在晶圓上。在這些實(shí)施例中，可以期望由用于形成用于其他器件的功能柵極堆疊件的材料來(lái)形成偽柵極堆疊件108。在一些實(shí)施例中，偽柵極堆疊件108包括多晶硅層109和硬掩模110?？梢酝ㄟ^(guò)沉積多晶硅層和硬掩模層以及使用光刻技術(shù)圖案化多晶硅層和硬掩模層以形成偽柵極堆疊件，由此形成如圖1所 示的偽柵極堆疊件108。

源極/漏極區(qū)可以包括任何適當(dāng)?shù)膿诫s輪廓以用于具體應(yīng)用。例如，源極/漏極區(qū)可以包括通過(guò)使用偽柵極堆疊件108作為掩模來(lái)注入摻雜劑，例如，n型摻雜劑或p型摻雜劑，而形成的輕摻雜源極/漏極(LDD)區(qū)。由此將LDD區(qū)與偽柵極堆疊件108的邊緣對(duì)準(zhǔn)。也可以形成光暈和/或口袋區(qū)(pocket regions)(未示出)。

圖1還示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在第一偽柵極堆疊件108a旁邊形成的一個(gè)或多個(gè)第一間隔件112和在第二器件區(qū)104上方形成的一個(gè)或多個(gè)第一間隔件層114的形成。圖1示出了實(shí)施例，其中第一間隔件112包括沿著第一偽柵極堆疊件108a的側(cè)壁的第一間隔件112a-112c(共同地稱(chēng)為“第一間隔件112”)，并且其中，第一間隔件層114包括第一間隔件層114a-14c(共同地稱(chēng)為“第一間隔件層114”)。

在一些實(shí)施例中，可以利用第一間隔件112a以相對(duì)于偽柵極堆疊件108定位源極/漏極區(qū)(例如，LDD區(qū))。例如，在一些實(shí)施例中，在第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104上方形成第一間隔件層114a?？梢酝ㄟ^(guò)形成諸如光刻膠掩模的圖案化的掩模以在注入第二器件區(qū)104時(shí)保護(hù)第一器件區(qū)102并且以在注入第一器件區(qū)102時(shí)保護(hù)第二器件區(qū)104，來(lái)在第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104中形成LDD區(qū)。

此后，可以在第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104上方形成第一間隔件層114b和114c。圖1示出了實(shí)施例，其中在第一器件區(qū)102中圖案化第一間隔件層114a-114c以分別形成第一間隔件112a-112c，為諸如使襯底凹進(jìn)以形成外延的源極/漏極區(qū)的隨后的處理作準(zhǔn)備。通常，通過(guò)沉積諸如第一間隔件層114的共形的層，以及在第一器件區(qū)102中實(shí)施各向異性蝕刻的同時(shí)掩蔽第二器件區(qū)104中的第一間隔件層114(未示出)，來(lái)形成第一間隔件112。因?yàn)樵诘谝粋螙艠O堆疊件108a旁邊的間隔件層的厚度較厚，各向異性蝕刻從水平表面去除第一間隔件層114的材料，因此形成如圖1所示的第一間隔件112。

如將在以下詳細(xì)討論的，選擇用于形成第一間隔件層114a、第一間隔件層114b以及第一間隔件層114c(并且因此分別為，第一間隔件112a-c) 的材料以允許用于選擇性地去除各個(gè)層，諸如使用與鄰近的材料相比具有不同的蝕刻速率的材料。例如，在一些實(shí)施例中，第一間隔件112a和第一間隔件層114a由SiCN形成，第一間隔件112b和第一間隔件層114b由SiCN形成，以及第一間隔件112c和第一間隔件層114c由SiN形成。如以下更詳細(xì)地討論，使用諸如這些的材料將允許選擇性地去除上面的層。

圖1也示出了沿著第一偽柵極堆疊件108a的相對(duì)兩側(cè)在襯底100中形成的第一器件應(yīng)力區(qū)220的形成。在一些實(shí)施例中，通過(guò)使襯底100凹進(jìn)以及隨后在凹槽中外延生長(zhǎng)具有不同晶格常數(shù)的材料來(lái)形成第一器件應(yīng)力區(qū)220。通常，晶格常數(shù)的不同導(dǎo)致將應(yīng)用于柵極堆疊件下的溝道區(qū)中的襯底的應(yīng)變，其中壓縮應(yīng)力可以增強(qiáng)PMOS器件的性能，以及在溝道區(qū)中的拉伸應(yīng)力可以增強(qiáng)NMOS器件的性能。因此，在第一器件區(qū)是NMOS區(qū)的情況下，形成具有諸如SiP、SiC:P(具有P摻雜劑的SiC)等的較小晶格結(jié)構(gòu)的材料以在溝道區(qū)中生成拉伸應(yīng)力，由此增強(qiáng)NMOS器件的性能。

在一些實(shí)施例中，例如，可以通過(guò)利用等離子體源和蝕刻劑氣體的干化學(xué)蝕刻實(shí)施蝕刻工藝以形成凹槽。等離子體源可以是電感耦合等離子體(ICR)蝕刻、變壓器耦合等離子體(TCP)蝕刻、電子回旋共振(ECR)蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)等，以及蝕刻劑氣體可以是氟、氯、溴、它們的組合等。在另一實(shí)施例中，可以通過(guò)濕化學(xué)蝕刻形成凹槽，蝕刻劑諸如過(guò)氧化銨混合物(APM)、NH₄OH、TMAH、它們的組合等。在其他實(shí)施例中，可以通過(guò)干化學(xué)蝕刻和濕化學(xué)蝕刻的組合來(lái)形成凹槽。如圖1所示，在這個(gè)蝕刻工藝期間，由第一間隔件層114保護(hù)第二器件區(qū)104。在一些實(shí)施例中，可以在第一間隔件層114上方形成諸如光刻膠或其他掩模的額外的掩蔽層(未示出)以在蝕刻工藝期間提供額外的保護(hù)。

在諸如圖1示出的實(shí)施例中，在形成第一間隔件112a-c和第一間隔件層114a-c之后使襯底100凹進(jìn)。在一些實(shí)施例中，凹進(jìn)工藝可以底切(undercut)第一間隔件112的一個(gè)或多個(gè)，諸如圖1中所示的第一間隔件112。可以通過(guò)控制第一間隔件112a-c的厚度以及蝕刻工藝來(lái)調(diào)整凹槽的邊緣和第一偽柵極108a的邊緣之間的距離以提供用于具體應(yīng)用的期望的配置。

例如，可以使用CVD工藝形成第一器件應(yīng)力區(qū)220。例如，在第一器 件應(yīng)力區(qū)220是由SiP形成的實(shí)施例中，可以使用二氯硅烷(Cl₂H₂Si)(在約700sccm至約1000sccm的流速下)、SiH₄(在約10sccm至約50sccm的流速下)、HCl(在約300sccm至約600sccm的流速下)、PH₃(在約200sccm至約500sccm的流速下)的工藝氣體以及H₂/N₂(在約2000sccm至約5000sccm的流速下)的載氣，來(lái)實(shí)施CVD工藝?？梢栽诩s670℃至約700℃的溫度下以及約200托至約400托的壓力下實(shí)施該工藝。圖1示出了第一應(yīng)力區(qū)220的上表面，其與襯底100的上表面共平面以用于說(shuō)明的目的。在其他實(shí)施例中，第一應(yīng)力區(qū)220相對(duì)于襯底100的上表面可以是凸起的或凹進(jìn)的。例如，在一些實(shí)施例中，第一器件應(yīng)力區(qū)220是凸起的以充分地阻止或限制隨后的硬掩模(例如，第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422)在鰭頂部下面延伸。此外，可以控制第一器件應(yīng)力區(qū)220的橫向生長(zhǎng)以防止或限制其他問(wèn)題，諸如SRAM N/P EPI合并的問(wèn)題。

以上提供的結(jié)構(gòu)僅用于說(shuō)明的目的并且其他實(shí)施例可以利用其他結(jié)構(gòu)、材料和部件。例如，一些實(shí)施例可以并入掩埋的應(yīng)力源、應(yīng)力源填充的凹進(jìn)的源極/漏極區(qū)、凸起的源極/漏極區(qū)、不同的材料、不同的柵極結(jié)構(gòu)和材料、光暈注入、不同的源極/漏極摻雜輪廓等。

圖2示出了分別從第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104去除最上面的第一間隔件112c和最上面的第一間隔件層114c。在第一間隔件112c和第一間隔件層114c由氮化硅形成的一些實(shí)施例中，例如，可以在100℃至180℃的范圍內(nèi)的溫度下使用磷酸并使用約30秒至2000秒的蝕刻時(shí)間來(lái)去除第一間隔件112c和第一間隔件層114c。可以利用其他蝕刻工藝以保持在第一間隔件112c和第一間隔件層114c的材料和存在的其他部件的材料之間的足夠的蝕刻選擇性，其他部件的材料為諸如第一間隔件112b、第一間隔件層114b和第一應(yīng)力區(qū)220的材料。

現(xiàn)參照?qǐng)D3，示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在第一器件應(yīng)力區(qū)220上方形成的第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422。如將在以下詳細(xì)解釋的，在工藝步驟期間，第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422將保護(hù)第一器件應(yīng)力區(qū)220以在第二器件區(qū)104中形成硅化物區(qū)，因此允許不同的硅化物區(qū)形成在第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104中。

在一些實(shí)施例中，通過(guò)注入(由箭頭424表示)形成第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422。例如，在一些實(shí)施例中，以約1E16原子/cm²至約1E18原子/cm²的劑量以及約1keV至約5keV的能量注入氧以控制掩模的厚度。在從約700℃至約1000℃的溫度下實(shí)施的持續(xù)時(shí)間為約30分鐘至約120分鐘的隨后的退火使氧和硅形成SiO₂硬掩模。

以諸如這樣的方式形成第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422提供了自對(duì)準(zhǔn)工藝以保護(hù)第一器件應(yīng)力區(qū)220的表面。如以下更詳細(xì)地討論，在隨后的工藝期間，第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422保護(hù)第一器件應(yīng)力區(qū)220，以第二器件區(qū)104中形成硅化物區(qū)(例如，NiSi)。當(dāng)在第二器件區(qū)104上形成硅化物區(qū)時(shí)，第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422防止硅化物區(qū)形成在第一器件應(yīng)力區(qū)220上。

例如，可以通過(guò)調(diào)整氧注入能量和/或劑量來(lái)調(diào)整第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422的厚度以在第二器件區(qū)104的處理期間防止或減小在第一器件應(yīng)力區(qū)220上的硅化物的形成。在一些實(shí)施例中，第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422的厚度為約10nm至約12nm。

圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施例的沿著第二偽柵極堆疊件108b的相對(duì)兩側(cè)的襯底100的凹進(jìn)。如將在以下詳細(xì)地解釋?zhuān)瑢⒃诎疾壑行纬删哂信c下面的襯底100不同的晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料以在第二偽柵極堆疊件108b的下方的溝道區(qū)中誘導(dǎo)應(yīng)力。例如，在第二器件區(qū)104是PMOS器件區(qū)的實(shí)施例中，將形成具有比襯底更大的晶格結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料以在溝道區(qū)中誘導(dǎo)壓縮應(yīng)力。

例如，可以通過(guò)在第二偽柵極堆疊件108b旁邊形成第二間隔件526來(lái)形成凹槽。可以通過(guò)在第一器件區(qū)102中的襯底100的上方以及在第二器件區(qū)104中的第一間隔件層114a-b上方沉積第二間隔件層528來(lái)形成第二間隔件526。在第一器件區(qū)中通過(guò)圖案化的掩模530掩蔽第二間隔件層528。在一些實(shí)施例中，圖案化的掩模530是使用光刻技術(shù)圖案化的光刻膠材料。圖案化在第二器件區(qū)104中的第二間隔件層528和第一間隔件層114a-b，由此形成第二間隔件526a-c(共同地稱(chēng)為第二間隔件526)。

例如，可以使用一個(gè)或多個(gè)各向異性蝕刻工藝圖案化第二器件區(qū)104中的第一間隔件層114a-b和第二間隔件層528。例如，在第二間隔件層528包括SiN并且第一間隔件層114a-b包括SiCN的實(shí)施例中，可以在100℃至180℃ 的范圍內(nèi)的溫度下使用磷酸和使用約30秒至2000秒的蝕刻時(shí)間來(lái)圖案化第一間隔件層114a-b和第二間隔件層528。

此后，沿著第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)使襯底100凹進(jìn)?？梢允褂萌缫陨蠀⒄赵诘谝黄骷^(qū)形成凹槽所討論的類(lèi)似工藝使襯底100凹進(jìn)。如圖4所示，在一些實(shí)施例中凹槽以及因此隨后的應(yīng)力材料可以底切第二間隔件526?？梢酝ㄟ^(guò)第一間隔件層114和第二間隔件層528的厚度以及蝕刻工藝來(lái)控制底切的量(如果有)。

形成凹槽之后，如圖5所示，可以去除圖案化的掩模530。在圖案化的掩模530是光刻膠掩模的實(shí)施例中，例如，可以使用等離子體灰化工藝來(lái)去除圖案化的掩模530。例如，等離子體灰化工藝可以在約300毫托至約600毫托的壓力下以及約500瓦至約2000瓦的功率下以及約80℃至約200℃的溫度下利用約1000sccm至約2000sccm的O₂流速。等離子體灰化工藝之后可以實(shí)施硫酸(H₂SO₄)溶液中的濕浸以清洗晶圓并且去除剩余的光刻膠材料。

現(xiàn)參照?qǐng)D6，示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在第二器件區(qū)104中的凹槽中形成的第二應(yīng)力區(qū)736。例如，可以使用CVD工藝外延生長(zhǎng)第二應(yīng)力區(qū)736。例如，在第二應(yīng)力區(qū)736是由SiGe形成的實(shí)施例中，可以使用二氯硅烷(Cl₂H₂Si)(在約100sccm至約500sccm的流速下)、GeH₄(在約100sccm至約1000sccm的流速下)、HCl(在約10sccm至約50sccm的流速下)以及B₂H₆(在約20sccm至約300sccm的流速下)的工藝氣體以及H₂/N₂(在約10slm至約50slm的流速下)的載氣，來(lái)實(shí)施CVD工藝?？梢栽诩s500℃至約800℃的溫度下以及約200托至約400托的壓力下實(shí)施該工藝。圖6示出了第二應(yīng)力區(qū)736的與襯底100的上表面共平面的上表面以用于說(shuō)明的目的。在其他實(shí)施例中，第二應(yīng)力區(qū)736相對(duì)于襯底100的上表面可以是凸起的或凹進(jìn)的。

在一些實(shí)施例中，可以在外延工藝之前實(shí)施清洗工藝。例如，在一些實(shí)施例中，可以實(shí)施諸如SiCoNi蝕刻工藝的濕蝕刻工藝以去除沿著凹槽中的襯底100的表面形成的原生氧化物。

也可以在第二器件區(qū)104中形成重?fù)诫s的源極/漏極區(qū)(未單獨(dú)示出)。源極/漏極區(qū)可以包括任何合適的摻雜輪廓，并且也可以使用任何合適的工 藝來(lái)形成，源極/漏極區(qū)的形成包括間隔件、襯墊和/或犧牲襯墊/間隔件的任何合適的使用。例如，重?fù)诫s區(qū)可以利用間隔件原位形成或者在應(yīng)力的源極/漏極區(qū)的形成之后形成。作為另一實(shí)例，可以在形成第二應(yīng)力區(qū)736之后通過(guò)例如注入、擴(kuò)散等形成重?fù)诫s區(qū)。此外，也可以利用其他摻雜區(qū)，諸如阱、光暈/口袋注入等。

此后，可以去除第一器件區(qū)102中的第二間隔件層528以及第二間隔件區(qū)104中的第二間隔件526。在第二間隔件層528和第二間隔件526是由SiN形成的實(shí)施例中，可以使用磷酸去除第二間隔件層528和第二間隔件526。

圖7示出了根據(jù)一些實(shí)施例的接觸蝕刻停止層(CESL)840和層間電介質(zhì)(ILD)842的形成。通常，CESL 840由與ILD 842的材料不同的材料形成，其中CESL 840的材料的蝕刻速率低于ILD 842的蝕刻速率。以這種方式，當(dāng)在ILD 842中形成接觸開(kāi)口960時(shí)，蝕刻工藝可以利用CESL 840以有效地停止蝕刻工藝。

在一些實(shí)施例中，CESL 840包括氮化硅、碳化硅或其他介電材料，以及例如，ILD 842由旋涂玻璃、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、硼摻雜的磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、四乙基正硅酸(TEOS)氧化物、TiN、SiOC、其他低k無(wú)孔介電材料、其他介電材料等形成。

在一些實(shí)施例中，ILD 842形成為高度大于第一偽柵極堆疊件108a和第二偽柵極堆疊件108b的高度。例如，使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)實(shí)施平坦化步驟。實(shí)施CMP以去除ILD 842和CESL 840的過(guò)量的部分以暴露偽柵極堆疊件108。

在使用后柵極途徑的實(shí)施例中，例如，可以用諸如第一器件區(qū)102中的第一金屬柵極堆疊件846a和第二器件區(qū)域104中的第二金屬柵極堆疊件846b的金屬柵極堆疊件替代一個(gè)或兩個(gè)偽柵極堆疊件。第一金屬柵極堆疊件846a和第二金屬柵極堆疊件846b共同地稱(chēng)為金屬柵極堆疊件846。

例如，在偽柵極堆疊件108包括多晶硅的實(shí)施例中，可以使用干蝕刻或濕蝕刻選擇性地蝕刻偽柵極堆疊件108(見(jiàn)圖1)。在使用干蝕刻的情況下，工藝氣體可以包括CF₄、CHF₃、NF₃、SF₆、Br₂、HBr、Cl₂或它們的組合。 可以任選地使用諸如N₂、O₂或Ar的稀釋的氣體。在使用濕蝕刻的情況下，化學(xué)物可以包括NH₄OH:H₂O₂:H₂O(APM)、NH₂OH、KOH、HNO₃:NH₄F:H₂O等。在一些實(shí)施例中，偽柵極堆疊件可以包括偽柵極電介質(zhì)并且也可以被去除。例如，在偽柵極堆疊件108包括氧化硅偽柵極電介質(zhì)的實(shí)施例中，可以使用濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝去除氧化硅，濕蝕刻工藝使用稀釋的氫氟酸。

此后，在第一器件區(qū)102中形成第一金屬柵極堆疊件846a以及在第二器件區(qū)104中形成第二金屬柵極堆疊件846b。雖然圖7將金屬柵極堆疊件846示出為單層以用于說(shuō)明的目的，但是在一些實(shí)施例中，金屬柵極堆疊件846包括一個(gè)或多個(gè)層，諸如一個(gè)或多個(gè)金屬層和/或其他導(dǎo)電層。例如，在一些實(shí)施例中，金屬柵極堆疊件846可以包括Ti、Co、W、W合金、Al、Al合金、Cu、Cu合金等的一個(gè)或多個(gè)層，其中各個(gè)層可以是相似或不同的材料。金屬柵極堆疊件846的形成方法包括ALD、PVD、CVD、MOCVD等。在一些實(shí)施例中，金屬柵極堆疊件846可以包括阻擋層、粘附層、功函金屬層等。

金屬柵極堆疊件846共同地示出并且在一些實(shí)施例中可以包括各個(gè)部件。根據(jù)一些實(shí)施例，例如，在一些實(shí)施例中，沿著開(kāi)口中的襯底的表面形成界面層。界面層幫助緩沖襯底100和隨后形成的高k介電層。在一些實(shí)施例中，界面層是由化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的化學(xué)的氧化硅。例如，可以使用去離子水+臭氧(DIO₃)、NH₄OH+H₂O₂+H₂O(APM)或其他方法來(lái)形成化學(xué)的氧化物。其他實(shí)施例可以利用用于界面層的不同的材料或工藝。在實(shí)施例中，界面層的厚度可以為約至約

可以在界面層上形成柵極介電層。在一些實(shí)施例中，柵極介電層包括一個(gè)或多個(gè)高k介電層(例如，具有大于3.9的介電常數(shù))。例如，一個(gè)或多個(gè)柵極介電層可以包括金屬氧化物或Hf、Al、Zr的硅酸鹽的一個(gè)或多個(gè)層，它們的組合，以及它們的多層。其他合適的材料包括金屬氧化物、金屬合金氧化物、以及它們的組合的形式的La、Mg、Ba、Ti、Pb、Zr。示例性材料包括MgO_x、BaTi_xO_y、BaSr_xTi_yO_z、PbTi_xO_y、PbZr_xTi_yO_z等。形成方法包括分子束沉積(MBD)、原子層沉積(ALD)、物理汽相沉積(PVD)等。在一個(gè)實(shí)施例中，柵極介電層的厚度可以為約至約

以上描述是以提供一些實(shí)施例的內(nèi)容和理解的一般描述。其他實(shí)施例 可以包括其他層和/或其他工藝。例如，在一些實(shí)施例中，可以包括功函金屬層。通常，可以將柵電極的功函調(diào)整至硅的帶隙邊緣；就是說(shuō)，對(duì)于NMOS器件，將功函調(diào)整至靠近導(dǎo)帶，以及對(duì)于PMOS器件，將功函調(diào)整至靠近價(jià)帶。

提供金屬柵極的上述描述和說(shuō)明僅作為實(shí)例。在其他實(shí)施例中，可以利用諸如界面層、多柵極介電層、多柵電極層等的其他層。此外，各個(gè)層和組件可以具有各種形狀。例如，在一些實(shí)施例中，偽柵極介電層和/或柵電極層可以具有沿著通過(guò)去除偽柵極堆疊件形成的開(kāi)口的側(cè)壁和底部形成的“U”形。

圖7還示出了根據(jù)一些實(shí)施例的穿過(guò)ILD 842形成的接觸開(kāi)口960以暴露第一器件區(qū)102和第二器件區(qū)104中的源極/漏極區(qū)?？梢允褂霉饪碳夹g(shù)形成接觸開(kāi)口960。例如，可以在ILD 842上方形成和圖案化光刻膠材料(和硬掩模，如果必要)。在ILD 842是由氧化硅形成并且CESL 840是由氮化硅形成的實(shí)施例中，可以使用干蝕刻工藝圖案化ILD 842和CESL 840。

在一些實(shí)施例中，在處理期間，可以減小第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422的厚度，例如，如以下所示，在第二器件區(qū)104中形成硅化物區(qū)之前，可以將第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422的厚度減小至約4nm至約5nm。

圖8示出在第二器件應(yīng)力區(qū)736上方形成第二硅化物區(qū)962。在該工藝期間，第一器件應(yīng)力區(qū)220被第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422保護(hù)。在一些實(shí)施例中，使用多步工藝形成第二硅化物區(qū)962。例如，在一些實(shí)施例中，實(shí)施預(yù)非晶注入(PAI)以控制隨后的硅化物的形成范圍并且降低硅化物管道缺陷(piping defect)。可以使用例如，使用約5keV至約10keV的注入能量以及約1E15原子/cm²至約5E15原子/cm²的注入劑量實(shí)施Ge PAI來(lái)實(shí)施PAI?？梢詫?shí)施諸如SiCoNi干蝕刻工藝的清洗工藝以去除原生氧化物。在一些實(shí)施例中，在清洗工藝期間去除約至約

可以通過(guò)在第二器件應(yīng)力區(qū)736的表面上方形成金屬層并且退火該金屬層來(lái)形成第二硅化物區(qū)962。在一些實(shí)施例中，將鎳層沉積至從約至約的厚度。鎳層用作用于形成硅化物層的反應(yīng)源(reacting source)。在一些實(shí)施例中，可以在鎳(或其他類(lèi)型的材料)層上方形成阻擋層以防止 氧化。例如，具有約至約的厚度的鈦?zhàn)钃鯇涌梢杂米髯钃鯇印？梢允褂闷渌牧稀?/p>

此后，可以實(shí)施諸如快速熱退火(RTA)的第一退火，例如，可以在約250℃至約300℃的溫度下實(shí)施約10秒至約30秒以控制富金屬相Ni₂Si的厚度?？梢允褂眠x擇蝕刻工藝去除未反應(yīng)的鎳和鈦，諸如在約150℃至約200℃的溫度范圍內(nèi)使用持續(xù)時(shí)間為約30秒至約60秒的高溫SPM(H₂SO₄+H₂O₂)。可以實(shí)施諸如激光退火的第二退火，例如，在約800℃至約850℃的溫度下實(shí)施約0.25毫秒至約0.5毫秒，以將Ni₂Si轉(zhuǎn)變?yōu)镹iSi相。在一些實(shí)施例中，第二硅化物區(qū)962的厚度為約13nm至約17nm。

圖9示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在第一器件區(qū)102中形成第一硅化物區(qū)970。在一些實(shí)施例中，使用多步工藝形成第一硅化物區(qū)970。例如，在一些實(shí)施例中，實(shí)施PAI以降低n型接觸電阻?？梢允褂美?，可以使用約5keV至約15keV的注入能量以及約1E13atoms/cm²至1E14atoms/cm²的注入劑量實(shí)施Ge PAI，來(lái)實(shí)施PAI?？梢詫?shí)施諸如SiCoNi干蝕刻工藝的清洗工藝以去除第一器件應(yīng)力區(qū)掩模422以為形成硅化物區(qū)作準(zhǔn)備。在一些實(shí)施例中，在清洗工藝期間去除約至約

可以通過(guò)在第一器件應(yīng)力區(qū)220的表面上方形成金屬層并且退火該金屬層來(lái)形成第一硅化物區(qū)970。在一些實(shí)施例中，將鈦層沉積至從約至約的厚度。鈦層用作用于形成硅化物層的反應(yīng)源。在一些實(shí)施例中，可以在鈦(或其他類(lèi)型的材料)層上方形成阻擋層以防止氧化。例如，具有約至約的厚度的氮化鈦?zhàn)钃鯇涌梢杂米髯钃鯇?。可以使用其他材料?/p>

此后，可以實(shí)施諸如RTA的第三退火，例如，在約500℃至約600℃的溫度下可以實(shí)施約0.1秒至約30秒以使鈦和硅反應(yīng)，由此形成TiSi_x硅化物層。該退火也可以修復(fù)由PAI導(dǎo)致的對(duì)第二硅化物區(qū)962的一些損壞。在一些實(shí)施例中，第一硅化物區(qū)970的厚度為約4nm至約6nm。

接觸件972可以由任何合適的導(dǎo)電材料，諸如高導(dǎo)電、低電阻金屬、元素金屬、過(guò)渡金屬等形成。在一些實(shí)施例中，接觸件972由鎢形成，但是也可以可選地利用諸如Cu、Al、AlCu、TiN、TiW、Ti、TaN、Ta、Pt、或它們的任意組合的其他材料。在接觸件972由鎢形成的實(shí)施例中，可以通過(guò)本 領(lǐng)域已知的CVD技術(shù)來(lái)沉積接觸件972，但是可以可選地使用任何形成方法。

圖10示出了形成半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。例如，方法始于步驟1002，諸如，如以上參照?qǐng)D1所討論的，其中，在第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件以及在第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件。例如，在步驟1004中，諸如，如以上參照?qǐng)D1所討論的，在第一器件區(qū)中的第一柵極堆疊件的旁邊形成應(yīng)力區(qū)。接下來(lái)，在步驟1006中，在第一柵極堆疊件的源極/漏極區(qū)上方形成掩模。例如，如以上參照?qǐng)D3所討論的，在一些實(shí)施例中，諸如通過(guò)氧化應(yīng)力區(qū)的表面來(lái)形成掩模。例如，在步驟1008中，如以上參照?qǐng)D4至圖6所討論的，諸如在第二柵極堆疊件旁邊的第二器件區(qū)中形成應(yīng)力區(qū)。例如，在步驟1010和1012中，諸如，如以上參照?qǐng)D7所討論的，諸如ILD層的介電層在第一器件區(qū)上方以及第二器件區(qū)上方形成并且被圖案化以暴露在第一柵極堆疊件和第二柵極堆疊件旁邊的源極/漏極區(qū)。接下來(lái)，例如，在步驟1014中，諸如，如以上參照?qǐng)D8所討論的，在第二柵極堆疊件的源極/漏極區(qū)中形成硅化物區(qū)同時(shí)掩模保護(hù)第一柵極堆疊件旁邊的源極/漏極區(qū)。在步驟1016中，去除第一柵極堆疊件旁邊的源極/漏極區(qū)上方的掩模，以及例如，在步驟1018中，諸如，如以上參照?qǐng)D9所討論的，在第一柵極堆疊件旁邊的源極/漏極區(qū)中形成硅化物區(qū)。

諸如以上討論的這些實(shí)施例提供低N/P接觸電阻(Rcsd)?？梢酝ㄟ^(guò)單獨(dú)設(shè)計(jì)用于n型器件和p型器件的肖特基勢(shì)壘高度來(lái)最佳化硅化物材料，而不使用額外的掩模。例如，富金屬硅化鈦(TiSix)以及單硅化鎳(NiSi)分別廣泛地用于具有低肖特基勢(shì)壘高度(SBH)的N/P源極/漏極(S/D)接觸材料。

在一些實(shí)施例中，提供了形成半導(dǎo)體器件的方法。方法包括提供具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)的襯底。在第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件以及在第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件，其中第一源極/漏極區(qū)位于第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上并且第二源極/漏極區(qū)位于第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上。沿著第一源極/漏極區(qū)的表面形成掩模層，以及在第一器件區(qū)和第二器件區(qū)上方形成圖案化的介電層，通過(guò)該圖案化的介電層暴露第一源極/漏極區(qū)和第二源極/漏極區(qū)。在第二源極/漏極區(qū)上方形成第二硅化物層。去除掩模層以及在第一源極/漏極區(qū)上方形成第一硅化物層。

在其他實(shí)施例中，提供了形成半導(dǎo)體器件的另一方法。方法包括提供襯底，襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)，第一器件區(qū)具有第一柵極堆疊件，第二器件區(qū)具有第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上。在第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)，以及在第一源極/漏極區(qū)中形成第一氧化區(qū)。在第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)。在第一器件區(qū)以及第二器件區(qū)上方形成第一介電層，并且圖案化第一介電層以暴露第一氧化區(qū)和第二應(yīng)力區(qū)。在第二應(yīng)力區(qū)上方形成第二硅化物區(qū)。在形成第二硅化物區(qū)之后，去除第一氧化區(qū)，以及在第一應(yīng)力區(qū)上方形成第一硅化物區(qū)。

在又一實(shí)施例中，提供了形成半導(dǎo)體器件的另一方法。方法包括提供襯底，襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)。在第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件以及在第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上。在第二器件區(qū)上方形成第一掩模層，以及在第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)。氧化第一應(yīng)力區(qū)的表面同時(shí)第一掩模層保護(hù)第二源極/漏極區(qū)，由此形成第一氧化區(qū)。去除位于第二源極/漏極區(qū)上方的第一掩模的部分，并且在第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)。在第一器件區(qū)和第二器件區(qū)上方形成ILD，圖案化該ILD以暴露第一氧化區(qū)和第二應(yīng)力區(qū)。在第二源極/漏極區(qū)中形成第二硅化物區(qū)。去除第一氧化區(qū)的至少一部分，以及在第一源極/漏極區(qū)中形成第一硅化物區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)；在所述第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件和在所述第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于所述第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于所述第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上；沿著所述第一源極/漏極區(qū)的表面形成掩模層；在所述第一器件區(qū)和所述第二器件區(qū)上方形成圖案化的介電層，通過(guò)所述圖案化的介電層暴露所述第一源極/漏極區(qū)和所述第二源極/漏極區(qū)；在所述第二源極/漏極區(qū)上方形成第二硅化物層；去除所述掩模層；以及在所述第一源極/漏極區(qū)上方形成第一硅化物層。

在上述方法中，形成所述掩模層包括：在所述第一器件區(qū)上方和所述第二器件區(qū)上方形成一個(gè)或多個(gè)第一掩蔽層；圖案化所述第一器件區(qū)中的所述第一掩蔽層以在所述第一柵極堆疊件旁邊形成第一間隔件；以及氧化所述第一源極/漏極區(qū)，從而形成所述掩模層。

在上述方法中，所述氧化包括注入氧。

在上述方法中，所述第一柵極堆疊件和所述第二柵極堆疊件是偽柵極堆疊件。

在上述方法中，還包括去除所述第一柵極堆疊件和所述第二柵極堆疊件以及形成第一金屬柵極堆疊件和第二金屬柵極堆疊件。

在上述方法中，還包括在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)。

在上述方法中，還包括在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)，所述第一器件區(qū)具有第一柵極堆疊件，所述第二器件區(qū)具有第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于所述第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于所述第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上；在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)；在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一氧化區(qū)；在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)；在所述第一器件區(qū)和所述第二器件區(qū)上方形成第一介電層；圖案化所述第一介電層以暴露所述第一氧化區(qū)和所述第二應(yīng)力區(qū)；在所述第二應(yīng)力區(qū)上方形成第二硅化物區(qū)；在形成所述第二硅化物區(qū)之后，去除所述第一氧化區(qū)；以及在所述第一應(yīng)力區(qū)上方形成第一硅化物區(qū)。

在上述方法中，還包括在形成所述第一氧化區(qū)之前，在所述第二器件區(qū)上方形成一個(gè)或多個(gè)層。

在上述方法中，還包括，在形成所述第一氧化區(qū)之后，圖案化位于所述第二器件區(qū)上方的所述一個(gè)或多個(gè)層以在所述第二柵極堆疊件旁邊形成第一間隔件。

在上述方法中，還包括：在所述第一器件區(qū)上方和所述第二器件區(qū)上方形成附加介電層；以及圖案化所述第二器件區(qū)上方的所述附加介電層以在所述第二柵極堆疊件的旁邊形成附加間隔件；其中，在形成所述第二應(yīng) 力區(qū)期間，所述附加介電層保護(hù)所述第一氧化區(qū)。

在上述方法中，去除所述第一氧化區(qū)包括SiCoNi清洗工藝。

在上述方法中，形成所述第一氧化區(qū)包括注入氧。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底具有第一器件區(qū)和第二器件區(qū)；在所述第一器件區(qū)中形成第一柵極堆疊件和在所述第二器件區(qū)中形成第二柵極堆疊件，第一源極/漏極區(qū)位于所述第一柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上，第二源極/漏極區(qū)位于所述第二柵極堆疊件的相對(duì)兩側(cè)上；在所述第二器件區(qū)上方形成第一掩模層；在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一應(yīng)力區(qū)；氧化所述第一應(yīng)力區(qū)的表面，同時(shí)所述第一掩模層保護(hù)所述第二源極/漏極區(qū)，從而形成第一氧化區(qū)；去除位于所述第二源極/漏極區(qū)上方的所述第一掩模的部分；在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二應(yīng)力區(qū)；在所述第一器件區(qū)和所述第二器件區(qū)上方形成層間電介質(zhì)(ILD)，圖案化所述ILD以暴露所述第一氧化區(qū)和所述第二應(yīng)力區(qū)；在所述第二源極/漏極區(qū)中形成第二硅化物區(qū)；去除所述第一氧化區(qū)的至少一部分；以及在所述第一源極/漏極區(qū)中形成第一硅化物區(qū)。

在上述方法中，所述第一掩模層包括多個(gè)層。

在上述方法中，還包括：在所述氧化之后，圖案化位于所述第二器件區(qū)上方的所述第一掩模層以在所述第二柵極堆疊件的旁邊形成第一間隔件。

在上述方法中，還包括：在所述第一器件區(qū)上方和所述第二器件區(qū)上方形成附加介電層；以及圖案化位于所述第二器件區(qū)上方的所述附加介電層以在所述第二柵極堆疊件的旁邊形成附加間隔件；其中，在形成所述第二應(yīng)力區(qū)和所述第二硅化物區(qū)期間，所述附加介電層保護(hù)所述第一氧化區(qū)。

在上述方法中，去除所述第一氧化區(qū)的至少一部分包括SiCoNi清洗工藝。

在上述方法中，形成所述第一氧化區(qū)包括注入氧。

在上述方法中，還包括用金屬柵極堆疊件代替所述第一柵極堆疊件和所述第二柵極堆疊件。

上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明 作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。