1.一種VDMOS器件的過流保護方法，其特征在于，包括：
獲取所述VDMOS器件的采樣元胞的采樣電流值；
判斷所述采樣電流值是否大于電流閾值，以及根據(jù)判斷結(jié)果，確定是否對所述VDMOS器件進行過流保護，其中，所述采樣元胞為所述VDMOS器件的所有元胞的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS器件的過流保護方法，其特征在于，當(dāng)所述判斷結(jié)果為是時，對所述VDMOS器件進行過流保護。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的VDMOS器件的過流保護方法，其特征在于，所述采樣元胞與剩余元胞的比例為預(yù)設(shè)值，其中，所述剩余元胞為所述VDMOS器件中出所述采用元胞以外的其他元胞。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的VDMOS器件的過流保護方法，其特征在于，所述采樣元胞與所述剩余元胞處于相同或相近的環(huán)境中。
5.一種VDMOS器件的過流保護電路，其特征在于，所述VDMOS器件包括檢測VDMOS，所述過流保護電路包括：
采樣電阻，與所述檢測VDMOS的源極串聯(lián)；
過流限制器件，所述采樣電阻的電壓輸出至所述過流限制器件的柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的VDMOS器件的過流保護電路，其特征在于，所述檢測VDMOS的柵極和漏極連接至所述VDMOS器件的過流保護電路的工作電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的過流保護電路，其特征在于，所述過流限制器件的漏極連接至所述檢測VDMOS的柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項所述的VDMOS器件的過流保護電路，其特征在于，所述VDMOS器件還包括：主體VDMOS，所述主體VDMOS與所述檢測VDMOS并聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的VDMOS器件的過流保護電路，其特征在于，所述主體VDMOS的柵極連接至所述檢測VDMOS的柵極，所述主體 VDMOS的漏極連接至所述檢測VDMOS的漏極，所述主體VDMOS的源極連接至所述采樣電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項所述的VDMOS器件的過流保護電路，其特征在于，所述過流限制器件包括：N型MOS器件。