本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)中的氮化鎵基器件領(lǐng)域，具體涉及一種帶氮化鎵插入層的氮化鎵基增強(qiáng)型器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

以AlGaN/GaN、InGaN/GaN、InAlN/GaN等為材料基礎(chǔ)的器件統(tǒng)稱(chēng)為氮化鎵基器件，例如AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(heterostructure field effect transistors,HFET)，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(heterostructure bipolar transistor,HBT)等。氮化鎵基器件具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子遷移率高、飽和速度大等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是下一代功率開(kāi)關(guān)器件的有力競(jìng)爭(zhēng)者，近年來(lái)備受研究者青睞。

由于較強(qiáng)的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),氮化鎵基器件一般為耗盡型器件。但是作為功率開(kāi)關(guān)器件，為了能夠降低功耗同時(shí)減小電路應(yīng)用中的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，對(duì)于氮化鎵器件而言，能夠?qū)崿F(xiàn)增強(qiáng)型是非常有意義的。但是在現(xiàn)有的實(shí)現(xiàn)氮化鎵基增強(qiáng)型器件的方法中，可控制性、可操作性和可重復(fù)性一般都比較差，因而不利于工業(yè)化生產(chǎn)。另外，對(duì)于增強(qiáng)型器件而言，可以在材料與器件制備過(guò)程中方便地控制閾值電壓的大小也是很有價(jià)值的，而且大多柵凹槽制備技術(shù)都會(huì)明顯對(duì)溝道造成不利影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種帶氮化鎵插入層的凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備方法，由于在勢(shì)壘層中插入氮化鎵層，使凹槽柵結(jié)構(gòu)的制備可以實(shí)現(xiàn)腐蝕自停止于氮化鎵插入層，氮化鎵層在勢(shì)壘層中不同的插入位置可以方便地實(shí)現(xiàn)不同深度的凹槽腐蝕效果，從而完成在該結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上肖特基柵和MOS結(jié)構(gòu)柵閾值電壓的調(diào)控，而且氮化鎵插入層下留有適當(dāng)厚度的勢(shì)壘層可以在凹槽刻蝕期間有效保護(hù)溝道防止器件性能退化，從而使本方案具有很高的可操作性和可重復(fù)性，更利于工業(yè)化生產(chǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

帶氮化鎵插入層的氮化鎵基增強(qiáng)型器件，包括：襯底及其上生長(zhǎng)的氮化鎵基外延層，具有一層或多層氮化鎵插入層的勢(shì)壘層，源漏歐姆接觸，柵金屬，柵凹槽以及柵絕緣層，所述源漏歐姆接觸分別位于器件有源區(qū)上的兩邊，所述柵金屬位于源漏歐姆接觸之間，所述柵絕 緣層位于氮化鎵基材料和柵金屬之間形成MOS結(jié)構(gòu)，所述柵凹槽位于柵金屬下且被柵絕緣層覆蓋。

具體地，器件之間由ICP刻蝕等隔離方式隔離，源漏歐姆接觸分別位于器件有源區(qū)上的兩邊，可以部分覆蓋到有源區(qū)之外也可以完全位于有源區(qū)之內(nèi)，柵金屬位于源漏歐姆接觸之間，柵源、柵漏間距和柵長(zhǎng)可調(diào)，柵絕緣層位于柵金屬和其下的氮化鎵基材料之間形成MOS結(jié)構(gòu)，柵凹槽位于柵下且被柵絕緣層覆蓋，柵金屬可以但不必須過(guò)覆蓋柵凹槽。

上述帶氮化鎵插入層的氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備方法，其步驟包括：

1)生長(zhǎng)氮化鎵基材料時(shí)，勢(shì)壘層中生長(zhǎng)單層或多層氮化鎵插入層；

2)在氮化鎵基材料表面光刻器件區(qū)域并刻蝕非器件區(qū)域；

3)在氮化鎵基材料表面光刻凹槽柵區(qū)域；

4)刻蝕凹槽柵區(qū)域氮化鎵蓋帽層，并去除剩余光刻膠；

5)對(duì)所述凹槽柵區(qū)域在高溫條件下進(jìn)行氧化處理；

6)將氧化處理后的氮化鎵基材料表面置于腐蝕性溶液中進(jìn)行腐蝕，形成柵凹槽；

7)在氮化鎵基材料表面淀積柵絕緣層并光刻源漏區(qū)域，刻蝕源漏區(qū)域的柵絕緣層，制備歐姆接觸；然后制備柵金屬。

進(jìn)一步地，上述方法步驟3)還可以包括：在氮化鎵基材料表面淀積保護(hù)層，在保護(hù)層上光刻凹槽柵區(qū)域。此時(shí)，步驟4)還包括刻蝕凹槽柵區(qū)域的保護(hù)層，步驟6)還包括形成凹槽后去除氮化鎵基材料表面的保護(hù)層。

進(jìn)一步地，上述方法步驟4)所述刻蝕的方法包括但不限于：1)RIE(反應(yīng)離子刻蝕，Reactive Ion Etching)處理；2)BOE(Buffer Oxide Etch，緩沖蝕刻液)溶液浸泡處理(保護(hù)層去除可用)；步驟7)所述刻蝕方法一般用酸性腐蝕液，包括但不限于：1)BOE(Buffer Oxide Etch，緩沖蝕刻液)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍；2)HF(氫氟酸)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍；3)HCl(鹽酸)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍。

其中，上述方法中歐姆接觸可以在步驟2)刻蝕非器件區(qū)域之后在器件區(qū)域制備，從而步驟7)源漏圖形換成源漏接觸孔圖形，柵金屬也可以放在步驟7)中光刻源漏接觸孔圖形之前制備，此種制備方法優(yōu)選在氮化鎵基材料表面淀積保護(hù)層作為掩膜。即：

帶氮化鎵插入層的氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備方法，其步驟包括：

1)生長(zhǎng)氮化鎵基材料時(shí)，勢(shì)壘層中生長(zhǎng)單層或多層氮化鎵插入層；

2)在氮化鎵基材料表面光刻器件區(qū)域并刻蝕非器件區(qū)域，然后在該器件區(qū)域制備歐姆接觸；

3)在氮化鎵基材料表面淀積保護(hù)層，在所述保護(hù)層上光刻凹槽柵區(qū)域；

4)刻蝕凹槽柵區(qū)域的保護(hù)層和氮化鎵蓋帽層，并去除剩余光刻膠；

5)對(duì)所述凹槽柵區(qū)域在高溫條件下進(jìn)行氧化處理；

6)將氧化處理后的氮化鎵基材料表面置于腐蝕性溶液中進(jìn)行腐蝕，形成柵凹槽后去除氮化鎵基材料表面的保護(hù)層；

7)在氮化鎵基材料表面淀積柵絕緣層并制備柵金屬；然后在氮化鎵基材料表面光刻源漏端接觸孔圖形，腐蝕接觸孔處絕緣層并去除光刻膠。

進(jìn)一步地，上述方法步驟4)所述刻蝕的方法包括但不限于：1)RIE(反應(yīng)離子刻蝕，Reactive Ion Etching)處理；2)BOE(Buffer Oxide Etch，緩沖蝕刻液)溶液浸泡處理(保護(hù)層去除可用)；步驟7)所述一般用酸性腐蝕液腐蝕的方法腐蝕接觸孔處絕緣層，包括但不限于：1)BOE(Buffer Oxide Etch，緩沖蝕刻液)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍；2)HF(氫氟酸)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍；3)HCl(鹽酸)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中所述氮化鎵基材料主要包括AlGaN/GaN、InGaN/GaN、InAlN/GaN等異質(zhì)結(jié)材料；氮化鎵插入層的插入厚度可調(diào)，且插入位置、插入層數(shù)和插入范圍等也可調(diào)。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中采用的光刻方式為接觸式光刻等，光刻膠采用AZ5214等材質(zhì)；刻蝕非器件區(qū)域采用的方法主要為干法刻蝕，刻蝕深度在100～200nm之間，但不限于此。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中淀積保護(hù)層的方法包括但不限于：PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition,電感耦合等離子體化學(xué)氣相淀積)、光學(xué)薄膜沉積；優(yōu)選采用PECVD方法。所述保護(hù)層主要為SiO₂或SiN等。

進(jìn)一步地，一般采用可腐蝕氮化物或氧化物等的酸性溶液去除氮化鎵基材料表面的保護(hù)層，所述酸性溶液包括但不限于：1)BOE(Buffer Oxide Etch，緩沖蝕刻液)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍；2)HF(氫氟酸)溶液浸泡處理，可調(diào)整濃度范圍。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中通過(guò)快速退火爐或管式退火爐等進(jìn)行所述氧化處理，氧化溫度為590～670℃，時(shí)間為40min～80min，但不限于此。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中用于腐蝕形成柵凹槽的腐蝕性溶液一般為強(qiáng)堿溶液(其他類(lèi)溶液根據(jù)實(shí)際情況也可)：氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液等；質(zhì)量濃度(即堿性固體物質(zhì)在其溶液中的百分?jǐn)?shù)(wt％))為10％～70％，其溫度為50～90℃，腐蝕時(shí)間為25min～70min，但不限于此。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中所述柵絕緣層為但不限于Al₂O₃、SiO₂、SiN等；所述柵絕緣層 淀積方法包括但不限于：ALD(原子層淀積，Atom Layer Deposition)、熱氧化、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition,電感耦合等離子體化學(xué)氣相淀積)、光學(xué)薄膜沉積；優(yōu)選采用ALD方法。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中制備歐姆接觸時(shí)淀積金屬包括但不限于鈦鋁鎳金(Ti/Al/Ni/Au)或鈦鋁鉬金(Ti/Al/Mo/Au)，退火溫度在800～900℃，時(shí)間為30～35s，淀積歐姆接觸方法為電子束蒸發(fā)或?yàn)R射，歐姆接觸生長(zhǎng)在本方案工藝流程的位置可以依需要調(diào)整，并不限于此。

進(jìn)一步地，本發(fā)明方法中所述柵金屬包括但不限于鎳金(Ni/Au)或鉑金(Pt/Au)，制備柵金屬的方式包括但不限于電子束蒸發(fā)或?yàn)R射。

本發(fā)明制備的凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件，其凹槽深度不隨設(shè)定的氧化時(shí)間和腐蝕時(shí)間變化，僅隨氮化鎵插入層的位置變化，可實(shí)現(xiàn)自停止刻蝕和閾值電壓控制；插入層下保留一定厚度的勢(shì)壘層，可以極大降低刻蝕過(guò)程對(duì)溝道的影響從而盡可能最大化器件的性能。這些優(yōu)勢(shì)使得本發(fā)明提供了一種具有很高的可操作性和可重復(fù)性并具有高性能且可控制閾值電壓的氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備方法，同時(shí)為實(shí)現(xiàn)氮化鎵增強(qiáng)型器件的工業(yè)化生產(chǎn)提供了一種很好的方法。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的在勢(shì)壘層中插入氮化鎵層的凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備步驟流程圖。

圖2是本發(fā)明的利用蓋帽層掩膜技術(shù)的在勢(shì)壘層中插入氮化鎵層的凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備步驟流程圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例制造出的氮化鎵基增強(qiáng)型器件的結(jié)構(gòu)示意圖(勢(shì)壘層中插入單層氮化鎵薄層)，其中：1——藍(lán)寶石襯底；2——GaN層；3——AlN插入層；4——GaN插入層；5——AlGaN層；6——GaN蓋帽層。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)具體實(shí)施例并配合附圖，對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的說(shuō)明。

本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)基于自停止刻蝕的可控制閾值電壓的高性能凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件的原理是：在AlGaN/GaN、InGaN/GaN、InAlN/GaN等氮化鎵基材料中，由于GaN比AlGaN等其他材料層具有更高的抗氧化特性，在氧化處理時(shí)，使AlGaN等材料層被氧化而不影響GaN層(包括未刻蝕的蓋帽層，插入層和勢(shì)壘層下的GaN溝道層與緩沖層等)，形成的氧化 物容易被KOH等堿性溶液腐蝕，同時(shí)該堿性溶液對(duì)GaN層沒(méi)有任何影響，腐蝕過(guò)程停止在GaN插入層，因而可以實(shí)現(xiàn)自停止凹槽柵結(jié)構(gòu)。由于插入層下剩余的勢(shì)壘層厚度很小，這種結(jié)構(gòu)能夠大大降低凹槽柵區(qū)域的二維電子氣濃度，因而可以實(shí)現(xiàn)氮化鎵基增強(qiáng)型器件。此外，材料生長(zhǎng)時(shí)調(diào)整GaN插入層的位置可以實(shí)現(xiàn)不同的凹槽深度和凹槽區(qū)勢(shì)壘層剩余厚度，從而可以方便地控制閾值電壓，而且插入層及剩余的勢(shì)壘層可以在凹槽刻蝕過(guò)程中對(duì)溝道進(jìn)行有效保護(hù)，防止器件性能發(fā)生顯著退化。

以氮化鎵材料AlGaN(其中插入GaN薄層)/GaN為例，由于GaN比AlGaN具有更高的抗氧化特性，在溫度為650℃時(shí)，只有暴露出的AlGaN層被氧化而不影響其下面的GaN插入層和表面未刻蝕的GaN蓋帽層，在經(jīng)過(guò)45min氧化后暴露出的AlGaN層已全部被氧化，形成的氧化物為Al₂O₃和Ga₂O₃，這些氧化物是很容易被70℃時(shí)的KOH溶液腐蝕的，同時(shí)KOH溶液對(duì)GaN層也沒(méi)有任何影響，因而可以實(shí)現(xiàn)自停止凹槽柵結(jié)構(gòu)。由于GaN插入層下剩余的AlGaN層厚度很小，這種結(jié)構(gòu)能夠大大降低凹槽柵區(qū)域的二維電子氣濃度，因而可以實(shí)現(xiàn)氮化鎵基增強(qiáng)型器件。此外，材料生長(zhǎng)時(shí)調(diào)整GaN插入層的位置可以實(shí)現(xiàn)不同的凹槽深度和凹槽區(qū)AlGaN層剩余厚度，從而可以方便地控制閾值電壓，而且GaN插入層及剩余的AlGaN層可以在凹槽刻蝕過(guò)程中對(duì)溝道進(jìn)行有效保護(hù)，防止器件性能發(fā)生顯著退化。

圖1是本發(fā)明的在勢(shì)壘層中插入氮化鎵層的凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備步驟流程圖。圖2是本發(fā)明的利用蓋帽層掩膜技術(shù)的在勢(shì)壘層中插入氮化鎵層的凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件的制備步驟流程圖。下面以AlGaN/GaN金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管(MOSHEMT)為例，對(duì)圖1方法進(jìn)行具體說(shuō)明。該凹槽柵的制備步驟包括：

1)生長(zhǎng)AlGaN/GaN材料過(guò)程中，在距離AlGaN/GaN界面2-4nm處的AlGaN層中生長(zhǎng)一層1～2nm厚的GaN插入層。

2)在GaN基表面涂敷光刻膠，光刻有源區(qū)圖形。

本實(shí)施例采用的是隔離版圖，采用的光刻膠是AZ5214；采用接觸式光刻方法進(jìn)行光刻。

3)在所述GaN基表面刻蝕非有源區(qū)，刻蝕深度在100nm-200nm。

本實(shí)施例的目的是形成隔離島，使得各個(gè)器件之間不相互影響。

4)除去剩余光刻膠。采用有機(jī)清洗的方法去除光刻膠，溶劑為丙酮、異丙醇等有機(jī)溶劑。

5)在所述GaN基表面涂敷光刻膠，光刻歐姆接觸圖形。

本實(shí)施例采用的是歐姆接觸版圖，采用的光刻膠是AZ5214/LOR10A；采用接觸式光刻方法進(jìn)行光刻。

6)在所述GaN基表面淀積金屬Ti/Al/Ni/Au(20/160/50/100nm)，剝離、退火后形成歐姆接觸。

本步驟的目的是淀積歐姆接觸金屬，形成源漏歐姆接觸；退火溫度為880℃，時(shí)間為30秒。

7)在所述GaN基表面采用PECVD方法制備厚度為400nm的SiO₂保護(hù)層。

該步驟制備SiO₂層的目的是保護(hù)非凹槽區(qū)域，即其他區(qū)域在高溫氧氣環(huán)境下不被氧化和損壞。

8)在所述SiO₂層上涂敷光刻膠，并光刻待做凹槽柵結(jié)構(gòu)圖形。

本實(shí)施例采用的版圖是凹槽柵結(jié)構(gòu)版圖，采用的光刻膠是AZ5214；采用接觸式光刻方法進(jìn)行光刻。

9)刻蝕待做凹槽柵區(qū)域的SiO₂保護(hù)層和GaN蓋帽層。

該步驟的目的是刻蝕掉待做凹槽柵部分的SiO₂保護(hù)層和GaN蓋帽層，使待做凹槽柵部分的AlGaN暴露，便于后續(xù)的氧化，而非凹槽區(qū)域的SiO₂保護(hù)層和GaN蓋帽層由于有光刻膠的保護(hù)，不會(huì)被刻蝕掉。該步驟采用RIE(反應(yīng)離子刻蝕)方法進(jìn)行刻蝕。

10)除去剩余光刻膠。采用有機(jī)清洗的方法去除光刻膠，溶劑為丙酮、異丙醇等有機(jī)溶劑。

11)將步驟10)所得氮化鎵基表面放于純氧氣環(huán)境下的管式退火爐中進(jìn)行氧化處理。

前面十步的目的是在樣片氧化前，將不需要氧化的區(qū)域用SiO₂保護(hù)層保護(hù)起來(lái)，需要氧化的區(qū)域的AlGaN層裸露出來(lái)，在該步驟中進(jìn)行氧化。氧化的溫度設(shè)定為650℃，時(shí)間為45min。

12)將氧化處理后的氮化鎵基表面浸泡于氫氧化鉀溶液進(jìn)行腐蝕，形成凹槽。

該步驟中，氫氧化鉀溶液的溫度用水浴鍋恒定為70℃；其中飽和氫氧化鉀溶液和水的體積比例為1:4，換算成質(zhì)量濃度為19.7％；腐蝕時(shí)間為45分鐘。由于氧化腐蝕過(guò)程只對(duì)凹槽部分暴露的AlGaN部分起作用，對(duì)凹槽部分AlGaN下面的GaN插入層沒(méi)有影響，因而可以實(shí)現(xiàn)凹槽柵結(jié)構(gòu)的自停止刻蝕。另外，凹槽部分的GaN插入層及其下的剩余AlGaN層可以在凹槽制備過(guò)程中有效保護(hù)溝道，盡可能減少器件性能的退化，而且通過(guò)生長(zhǎng)材料時(shí)調(diào)整GaN插入層的位置即剩余AlGaN層厚度可以控制器件的閾值電壓大小。

13)將腐蝕后的氮化鎵基表面上的SiO₂保護(hù)層去除，即得凹槽柵結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例采用緩沖氧化物腐蝕液(BOE)去除SiO₂。

14)在樣品表面采用ALD的方法淀積厚度為30nm的Al₂O₃。

本實(shí)施例的目的是為增強(qiáng)型器件做柵絕緣層。

15)在樣品表面涂敷光刻膠，并光刻?hào)沤饘賵D形。

本實(shí)施例采用的版圖是柵金屬版圖，采用的光刻膠為AZ5214；采用接觸式光刻方法。

16)在上述樣品上淀積Ni/Au(50/100nm)，剝離后形成柵金屬。

本實(shí)施例的目的是形成柵金屬。

17)在上述樣品上涂敷光刻膠，并光刻源漏接觸孔圖形。

本實(shí)施例采用的版圖是接觸孔版圖，采用的光刻膠為AZ5214；采用接觸式光刻方法。

18)將上述樣品置于氟化銨腐蝕液中，浸泡30秒。

本實(shí)施例的目的是去除源漏接觸上的Al₂O₃，開(kāi)出接觸孔。

19)除去剩余光刻膠。采用有機(jī)清洗的方法去除光刻膠，溶劑為丙酮、異丙醇等有機(jī)溶劑。

圖3為本實(shí)施例制造出的氮化鎵基增強(qiáng)型器件的結(jié)構(gòu)示意圖，包括藍(lán)寶石襯底1，藍(lán)寶石襯底上1上生長(zhǎng)的外延層，該外延層從上到下依次包括GaN蓋帽層6，AlGaN層5，AlGaN層5中的GaN插入層4，AlN插入層3以及GaN層2，源漏歐姆接觸和柵金屬，柵凹槽以及柵絕緣層。GaN插入層的氧化腐蝕自停止有效性可以通過(guò)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的GaN蓋帽層掩膜凹槽柵氮化鎵基增強(qiáng)型器件得以證明：1～2nm厚的GaN蓋帽層可以有效地作為自停止柵凹槽工藝的氧化腐蝕掩膜，說(shuō)明1～2nm厚的GaN層在本工藝中所用的氧化和腐蝕條件下不會(huì)受到影響，那么1～2nm的GaN插入層自然可以作為氧化腐蝕工藝的自停止層。

上述實(shí)例中使用的是用保護(hù)層做掩膜的氧化腐蝕自停止工藝，在其他實(shí)例中還可以使用蓋帽層掩膜的氧化腐蝕自停止工藝等。

上述實(shí)施例中氮化鎵基材料為AlGaN/GaN，在其他實(shí)施例中還可以采用InGaN/GaN、InAlN/GaN等氮化鎵基材料。

上述實(shí)施例中，所淀積的歐姆接觸金屬Ti/Al/Ni/Au(20/160/50/100nm)，厚度可以適當(dāng)改變，另外金屬也可以為T(mén)i/Al/Mo/Au等；退火溫度和時(shí)間也可以適當(dāng)調(diào)整；淀積歐姆接觸金屬的方法除了電子束蒸發(fā)外，還可以采用濺射等方法。

上述實(shí)施例中，所述保護(hù)層除采用SiO₂外，還可以采用SiN等材料。

上述實(shí)施例中，步驟9)除采用RIE方法進(jìn)行刻蝕外，還可以采用BOE(Buffer Oxide Etch，緩沖蝕刻液)等溶液進(jìn)行浸泡處理或者其他干法刻蝕方法，完成刻蝕。

上述實(shí)施例中，淀積保護(hù)層的方法除采用PECVD方法外，還可以采用ICP-CVD、光學(xué)薄膜沉積等方法。

上述實(shí)施例中，通過(guò)氧化爐進(jìn)行氧化處理時(shí)，溫度可在590-670℃范圍內(nèi)調(diào)整，時(shí)間為40min-80min。

上述實(shí)施例中，步驟12)除氫氧化鉀溶液外，還可以采用氫氧化鈉溶液等，進(jìn)行腐蝕處理的參數(shù)可以在如下范圍內(nèi)調(diào)整：溶液質(zhì)量濃度為10％-70％，其溫度為50-90℃，腐蝕時(shí)間 為25min-70min。

上述實(shí)施例中，所述柵絕緣層除了Al₂O₃外，還可以采用SiO₂、SiN等。

上述實(shí)施例中，淀積柵絕緣層的方法除了ALD外，還可以采用熱氧化方法、光學(xué)薄膜沉積等方法。

上述實(shí)施例中，所述柵金屬Ni/Au(50/100nm)的厚度可以適當(dāng)改變，同時(shí)可以采用Pt/Au等；淀積柵金屬的方法除了電子束蒸發(fā)外，還可以采用濺射等方法。

以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求所述為準(zhǔn)。