技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，采用氣態(tài)六甲基二硅胺對摻硼二氧化硅介電層進行處理，在其表面形成一層包含甲基基團的硅氧烷。該硅氧烷具有疏水性，排斥其上附著的水汽顆粒，使得水汽顆粒在其上為點接觸，降低了處理后摻硼二氧化硅介電層表面的水汽附著量。通過水汽附著量的降低，降低了摻硼二氧化硅介電層中所摻的B與水汽中的O結(jié)合形成B2O3的幾率，提高了后續(xù)形成的光刻膠在介電層上的附著性能，使得光刻膠在光刻過程中不易剝離，提高了光刻膠圖案的保真度，從而減小了摻硼二氧化硅介電層中形成的凹槽或通孔的形貌與預(yù)定形貌之間的偏差。

技術(shù)研發(fā)人員：陳彧
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510289361
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.29
技術(shù)公布日：2017.01.04