1.一種射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底中形成溝槽；
在所述溝槽內(nèi)形成外延層，所述外延層的上表面與所述襯底的上表面齊平；
在所述外延層中形成源區(qū)；
在所述襯底與所述源區(qū)的表面形成金屬連接層，以使所述襯底和所述源區(qū)通過所述金屬連接層導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在襯底上刻蝕溝槽包括：
在襯底表層形成掩膜層；
在所述掩膜層表面形成具有圖案的光阻；
以所述光阻為掩膜，刻蝕第一預(yù)設(shè)區(qū)域的掩膜層，使所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域下方的襯底裸露，保留所述光阻覆蓋的第二預(yù)設(shè)區(qū)域的掩膜層；
去除所述光阻；
以所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的掩膜層為掩膜，刻蝕所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域下方的襯底，形成所述溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在所述溝槽內(nèi)形成外延層，包括：
采用外延工藝在所述襯底上和所述溝槽內(nèi)形成厚外延層，對(duì)所述厚外延層進(jìn)行平坦化以形成所述外延層，所述外延層的上表面與所述襯底的上表面齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述溝槽的深度為6微米至15微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述厚外延層的厚度為10微米至30微米。
6.一種射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
具有溝槽的襯底；
在所述溝槽內(nèi)形成的外延層，所述外延層的上表面與所述襯底的上表面齊平；
在所述外延層中形成的源區(qū)；
金屬連接層，形成在所述襯底與所述源區(qū)的表面，所述金屬連接層用于導(dǎo)通所述襯底和所述源區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述溝槽的深度為6微米至15微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬連接層為金屬柱，所述金屬柱的底部與所述襯底和所述源區(qū)均接觸。