技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其能夠軟化高速二極管的開(kāi)關(guān)波形。該半導(dǎo)體裝置具有電流在縱向上流動(dòng)的PiN型的二極管結(jié)構(gòu)，在施加反向偏壓時(shí)所形成的耗盡層區(qū)域的外側(cè)的漂移層的區(qū)域內(nèi)，改變濃度地配置有多個(gè)載流子蓄積層(N+層)。從器件中央側(cè)朝向端部側(cè)配置積蓄層，積蓄層的濃度從器件中心側(cè)至端部側(cè)階段性地升高。可利用多個(gè)載流子蓄積層來(lái)控制耗盡層的擴(kuò)展方向，從而能夠軟化開(kāi)關(guān)波形。

技術(shù)研發(fā)人員：森川直樹(shù)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三墾電氣株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201510323730
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.12
技術(shù)公布日：2016.12.07