1.一種射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底的表面內(nèi)形成有所述器件的源區(qū)、漏區(qū)、漂移區(qū)和體區(qū)，所述襯底表面上形成有所述器件的柵極；
在整個(gè)器件的表面上依次沉積第一氧化層和場(chǎng)板；
通過光刻，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述場(chǎng)板，以保留位于所述柵極上方的第一水平場(chǎng)板、覆蓋所述柵極的一側(cè)壁的豎直場(chǎng)板、以及位于靠近所述側(cè)壁的部分漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板；
在整個(gè)器件的表面上沉積第二氧化層；
對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，直至所述第一水平場(chǎng)板被研磨掉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在整個(gè)器件表面上沉積第二氧化層，包括：
在整個(gè)器件的表面上依次形成第三氧化層、旋涂硅玻璃層和第四氧化層，以形成所述第二氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三氧化層的厚度為500～2000埃，所述第四氧化層的厚度為5000～20000A埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，包括：
采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，對(duì)所述整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化層和所述第二氧化層通過低壓化學(xué)氣相沉積工藝形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化層厚度為500～2000埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述場(chǎng)板厚度為500～3000埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述場(chǎng)板為鈦、硅化鎢或多晶硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二氧化層，厚度為5000～20000A埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
形成位于所述襯底表面上的柵氧化層；
在所述柵氧化層的表面上形成所述柵極，所述柵極位于所述源區(qū)和所述漂移區(qū)之間。