技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種SiGeSn材料及其制備方法，制備方法包括以下步驟：提供襯底，所述襯底包含SiGe層；向所述SiGe層內(nèi)注入含有Sn元素的原子、分子、離子或等離子體；將注入后的所述襯底進行退火處理。本發(fā)明的SiGeSn材料及其制備方法相較于現(xiàn)有技術(shù)具有成本低廉、工藝簡單、質(zhì)量更好、更利于大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：張波;孟驍然;俞文杰;狄增峰;張苗
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
文檔號碼：201510355810
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.24
技術(shù)公布日：2017.01.11