1.一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有多個(gè)鰭部；
在相鄰鰭部之間的半導(dǎo)體襯底表面形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的表面低于所述鰭部的頂部表面；
形成橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分鰭部的頂部和側(cè)壁；采用第一離子注入在所述隔離結(jié)構(gòu)中注入第一離子，且使得所述第一離子擴(kuò)散進(jìn)入隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部，在鰭部底部形成第一輕摻雜區(qū)；
第一離子注入之后，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部表面形成源漏區(qū)；
進(jìn)行第三離子注入，在鰭部中形成第二輕摻雜區(qū)，所述第二輕摻雜區(qū)位于所述源漏區(qū)和所述第一輕摻雜區(qū)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述擴(kuò)散的方向沿著垂直于鰭部延伸方向指向鰭部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，所述第一離子注入和第三離子注入采用N型離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，所述第一離子注入和第三離子注入采用P型離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入采用的離子為As，注入能量為8KeV～25KeV，注入劑量為5E12atom/cm2～8E13atom/cm2，注入角度為0度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入采用的離子為P，注入能量為5KeV～15KeV，注入劑量為3E12atom/cm2～6E13atom/cm2，注入角度為0度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入采用的離子為B，注入能量為6KeV～10KeV，劑量范圍為2E12atom/cm2～6E13atom/cm2，注入角度為0度。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三離子注入采用的離子為As，注入能量為2KeV～5KeV，注入劑量為1E14atom/cm2～5E15atom/cm2，注入角度為0度～20度。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三離子注入采用的離子為P，注入能量為1KeV～3KeV，注入劑量為1E14atom/cm2～5E15atom/cm2，注入角度為0度～20度。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三離子注入采用的離子為B，注入能量為1KeV～4KeV，注入劑量為1E14atom/cm2～5E15atom/cm2，注入角度為0度～20度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，鰭部的寬度為8nm～20nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜區(qū)在鰭部中的深度為5nm～30nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜區(qū)在鰭部中的深度為2nm～15nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括橫跨所述鰭部的柵介質(zhì)層和位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述源漏區(qū)的方法包括：在鰭部表面外延生長(zhǎng)源漏區(qū)材料層；在外延生長(zhǎng)所述源漏區(qū)材料層的同時(shí)原位摻雜離子或者在外延生長(zhǎng)源漏區(qū)材料層之后進(jìn)行第二離子注入而重?fù)诫s離子。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，所述源漏區(qū)中摻雜的離子為N型離子；當(dāng)形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為P型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，所述源漏區(qū)中摻雜的離子為P型離子。
17.根據(jù)權(quán)利要求3或16所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于， 所述N型離子包括P或As。
18.根據(jù)權(quán)利要求4或16所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述P型離子包括B或In。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜區(qū)中的離子濃度小于所述源漏區(qū)中的離子濃度且大于所述第一輕摻雜區(qū)中的離子濃度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述第三離子注入之后，進(jìn)行退火處理。