技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底表面具有鰭部，所述鰭部的頂部表面具有掩膜層；在所述襯底表面和掩膜層表面形成初始隔離層，所述初始隔離層的表面低于所述掩膜層的頂部表面、且高于或齊平于所述鰭部的頂部表面；在所述初始隔離層內(nèi)摻雜閾值調(diào)節(jié)離子；進行退火工藝，使所述初始隔離層內(nèi)的閾值調(diào)節(jié)離子向鰭部內(nèi)擴散；在所述退火工藝之后，去除部分初始隔離層以形成隔離層，所述隔離層的表面低于所述鰭部的頂部表面。所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能穩(wěn)定、可靠性提高。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510372884
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.30
技術(shù)公布日：2017.01.11