1.一種硅基異質結電池片的制備方法，其特征在于，包括：
在N型硅襯底正面沉積本征非晶硅層及P型非晶硅薄膜層，反面沉積本征非晶硅層及N型非晶硅薄膜層的硅片；
在所述P型非晶硅薄膜層及N型非晶硅薄膜層上沉積透明導電氧化物薄膜；
在所述透明導電氧化物薄膜上采用低溫磁控濺射法沉積TiNx阻擋層；
在所述TiNx阻擋層上濺射沉積銅種子層；
覆蓋掩膜層，將銅種子層曝光出電極柵線圖，并用顯影液將電極柵線圖顯現；
在電極柵線圖區(qū)域電鍍上金屬銅；
去除掩膜層和電極柵線圖區(qū)域外的銅種子層和TiNx阻擋層。
2.根據權利要求1所述的一種硅基異質結電池片的制備方法，其特征在于：所述透明導電氧化物薄膜為ITO層。
3.根據權利要求6所述一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于：所述低溫磁控濺射法采用純度為99％～99.99％的Ti靶。
4.根據權利要求6或7所述一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于：所述低溫磁控濺射法在本底真空度為9*10-3～1*10-2Pa的真空腔內通入Ar和N2的混合氣體，維持真空腔室工藝真空度在0.3Pa～0.8Pa，并保持功率密度1.5～3.5w/cm2、電流為15～18A的等離子體狀態(tài)。
5.根據權利要求8所述一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于：所述Ar和N2的混合氣體比例為1:3～1:1。
6.根據權利要求1所述的一種硅基異質結電池片的制備方法，其特征在于：所述銅種子層純度為99.9％～99.99％，所述濺射沉積銅種子層為在通入Ar氣體的等離子體的狀態(tài)下進行。
7.一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于，包括：
在N型硅襯底正面沉積本征非晶硅層及P型非晶硅薄膜層，反面沉積本征非晶硅層及N型非晶硅薄膜層的硅片；
在所述P型非晶硅薄膜層及N型非晶硅薄膜層上沉積透明導電氧化物薄膜；
在所述透明導電氧化物薄膜采用低溫磁控濺射法沉積TiNx阻擋層。
8.根據權利要求7所述一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于：所述低溫磁控濺射法采用純度為99％～99.99％的Ti靶。
9.根據權利要求7或8所述一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于：所述低溫磁控濺射法在本底真空度為9*10-3～1*10-2Pa的真空腔內通入Ar和N2的混合氣體，維持真空腔室工藝真空度在0.3Pa～0.8Pa，TiNx薄膜沉積溫度在25°～105°，并保持功率密度1.5～3.5w/cm2、電流為15～18A的等離子體狀態(tài)。
10.根據權利要求9所述一種TiNx阻擋層的制備方法，其特征在于：所述Ar和N2的混合氣體比例為1:3～1:1。