本發(fā)明實施例涉及半導體器件制作工藝領域，尤其涉及一種減小DMOS色差的方法及裝置。

背景技術：

雙擴散金屬氧化物半導體(Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，簡稱DMOS)集成電路用耗盡型金屬氧化物半導體(Metal Oxide Semiconductor,簡稱MOS)晶體管作負載管，用增強型MOS晶體管作驅動管組成反相器，并以該反相器作為集成電路的基本單元。

現(xiàn)有技術中DMOS產(chǎn)品的制作工藝包括接觸孔腐蝕，在接觸孔腐蝕過程中，特定區(qū)域如切割道和封裝對位標志區(qū)域的氧化層容易被腐蝕掉，導致該特定區(qū)域的硅襯底暴露出來，在后續(xù)鋁硅銅合金淀積過程中，鋁硅銅合金直接與硅襯底接觸并互融，通過濕法腐蝕鋁銅后在硅襯底表面上留下硅渣，干法掃硅渣后硅襯底表面出現(xiàn)較大凹坑，影響DMOS產(chǎn)品的外觀。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種減小DMOS色差的方法及裝置，以改善DMOS產(chǎn)品的外觀。

本發(fā)明實施例的一個方面是提供一種減小DMOS色差的方法，包括：

依據(jù)預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用于遮擋所述DMOS的預設區(qū)域，以保留所述預設區(qū)域的氧化層；

在所述DMOS的表面淀積鋁硅銅合金，以使所述鋁硅銅合金與所述氧化層互融；

濕法腐蝕所述鋁硅銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁硅銅合金中的硅留在所述氧化層的表面；

依據(jù)干法掃硅渣方法去除所述氧化層的表面上的硅。

本發(fā)明實施例的另一個方面是提供一種減小DMOS色差的裝置，包括：

腐蝕模塊，用于依據(jù)預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用于遮擋所述DMOS的預設區(qū)域，以保留所述預設區(qū)域的氧化層；

淀積模塊，用于在所述DMOS的表面淀積鋁硅銅合金，以使所述鋁硅銅合金與所述氧化層互融；

濕法腐蝕模塊，用于濕法腐蝕所述鋁硅銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁硅銅合金中的硅留在所述氧化層的表面；

干法掃硅渣模塊，用于依據(jù)干法掃硅渣方法去除所述氧化層的表面上的硅。

本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的方法及裝置，通過對現(xiàn)有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區(qū)域被預設光罩遮擋，以保留該預設區(qū)域的氧化層，淀積的鋁硅銅合金與氧化層互融，濕法腐蝕鋁硅銅合金中的鋁和銅后，鋁硅銅合金中的硅留在氧化層的表面，干法掃硅渣時硅被腐蝕的速度大于氧化層被腐蝕的速度，保證干法掃硅渣后氧化層上出現(xiàn)的凹坑較小，大大改善了DMOS產(chǎn)品的外觀。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的裝置的結構圖。

具體實施方式

圖1為本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的方法流程圖。本發(fā)明實施例針對現(xiàn)有技術中干法掃硅渣后硅襯底表面出現(xiàn)較大凹坑，提供了減小DMOS色差的方法，該方法的具體步驟如下：

步驟S101、依據(jù)預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用于遮擋所述DMOS的預設區(qū)域，以保留所述預設區(qū)域的氧化層；

本發(fā)明實施例針對現(xiàn)有技術中的光罩進行了改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，改進后的光罩能夠遮擋所述DMOS的預設區(qū)域，該預設區(qū)域具體為切割道和封裝對位標志的區(qū)域，避免DMOS進行接觸孔腐蝕時，預設區(qū)域的氧化層被腐蝕，即接觸孔腐蝕后，預設區(qū)域的上層保留有氧化層，硅襯底不被暴 露出來。

步驟S102、在所述DMOS的表面淀積鋁硅銅合金，以使所述鋁硅銅合金與所述氧化層互融；

在所述DMOS的表面淀積鋁硅銅合金，該鋁硅銅合金淀積在所述氧化層后，該鋁硅銅合金和氧化層互融。

步驟S103、濕法腐蝕所述鋁硅銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁硅銅合金中的硅留在所述氧化層的表面；

通過濕法腐蝕所述鋁硅銅合金中的鋁和銅，則濕法腐蝕后所述氧化層的表面留下所述鋁硅銅合金中的硅。

步驟S104、依據(jù)干法掃硅渣方法去除所述氧化層的表面上的硅。

所述鋁硅銅合金中的硅與所述氧化層的選擇比為1.5。

通過干法掃硅渣方法去除所述氧化層的表面上的硅，由于該鋁硅銅合金中的硅與該氧化層的選擇比為1.5，則在干法掃硅渣過程中，硅被腐蝕的速度大于氧化層被腐蝕的速度，所以干法掃硅渣后氧化層上出現(xiàn)的凹坑較小。

本發(fā)明實施例通過對現(xiàn)有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區(qū)域被預設光罩遮擋，以保留該預設區(qū)域的氧化層，淀積的鋁硅銅合金與氧化層互融，濕法腐蝕鋁硅銅合金中的鋁和銅后，鋁硅銅合金中的硅留在氧化層的表面，干法掃硅渣時硅被腐蝕的速度大于氧化層被腐蝕的速度，保證干法掃硅渣后氧化層上出現(xiàn)的凹坑較小，大大改善了DMOS產(chǎn)品的外觀。

在上述實施例的基礎上，所述干法掃硅渣方法為各向同性反應掃硅渣方法。所述各向同性反應掃硅渣方法采用的主刻氣體為CF4/O2。

對于上述步驟S104中的干法掃硅渣方法，本發(fā)明實施例具體采用各向同性反應掃硅渣方法。目前干法掃硅渣方法采用機臺Lam590，機臺Lam590掃硅渣的反應模式是各向異性的，且以SF6為主刻氣體，掃硅渣速率在4000A/Min左右，采用機臺Lam590干法掃硅渣后硅襯底上的凹坑較大。本發(fā)明實施例采用機臺AE2001，機臺AE2001掃硅渣的反應模式是各向同性的，且以CF4/O2為主刻氣體，采用機臺AE2001的各向同性反應掃硅渣后可使氧化層上的凹坑較小。

所述鋁硅銅合金的寬度大于或等于20微米。

由于機臺AE2001側腐蝕較大，鋁硅銅合金條就不可太窄，具體若鋁硅銅合金條的寬度小于15微米時可能發(fā)生飄鋁異常，因此為了放置飄鋁異常，鋁硅銅合金條的寬度至少為20微米，即大于或等于20微米。

本發(fā)明實施例通過采用各向同性反應掃硅渣方法進行干法掃硅渣，進一步減小了氧化層上的凹坑，通過限定鋁硅銅合金的寬度大于或等于20微米，可防止發(fā)生飄鋁異常。

圖2為本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的裝置的結構圖。本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的裝置可以執(zhí)行減小DMOS色差的方法實施例提供的處理流程，如圖2所示，減小DMOS色差的裝置20包括腐蝕模塊21、淀積模塊22、濕法腐蝕模塊23和干法掃硅渣模塊24，其中，腐蝕模塊21用于依據(jù)預設光罩對DMOS進行接觸孔腐蝕，所述預設光罩用于遮擋所述DMOS的預設區(qū)域，以保留所述預設區(qū)域的氧化層；淀積模塊22用于在所述DMOS的表面淀積鋁硅銅合金，以使所述鋁硅銅合金與所述氧化層互融；濕法腐蝕模塊23用于濕法腐蝕所述鋁硅銅合金中的鋁和銅，以使所述鋁硅銅合金中的硅留在所述氧化層的表面；干法掃硅渣模塊24用于依據(jù)干法掃硅渣方法去除所述氧化層的表面上的硅。

本發(fā)明實施例通過對現(xiàn)有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區(qū)域被預設光罩遮擋，以保留該預設區(qū)域的氧化層，淀積的鋁硅銅合金與氧化層互融，濕法腐蝕鋁硅銅合金中的鋁和銅后，鋁硅銅合金中的硅留在氧化層的表面，干法掃硅渣時硅被腐蝕的速度大于氧化層被腐蝕的速度，保證干法掃硅渣后氧化層上出現(xiàn)的凹坑較小，大大改善了DMOS產(chǎn)品的外觀。

在上述實施例的基礎上，所述鋁硅銅合金中的硅與所述氧化層的選擇比為1.5。

所述干法掃硅渣方法為各向同性反應掃硅渣方法。

所述各向同性反應掃硅渣方法采用的主刻氣體為CF4/O2。

所述鋁硅銅合金的寬度大于20微米。

本發(fā)明實施例提供的減小DMOS色差的裝置可以具體用于執(zhí)行上述圖1所提供的方法實施例，具體功能此處不再贅述。

本發(fā)明實施例通過采用各向同性反應掃硅渣方法進行干法掃硅渣，進一 步減小了氧化層上的凹坑，通過限定鋁硅銅合金的寬度大于或等于20微米，可防止發(fā)生飄鋁異常。

綜上所述，本發(fā)明實施例通過對現(xiàn)有的光罩進行改進，以使DMOS進行接觸孔腐蝕時，DMOS的預設區(qū)域被預設光罩遮擋，以保留該預設區(qū)域的氧化層，淀積的鋁硅銅合金與氧化層互融，濕法腐蝕鋁硅銅合金中的鋁和銅后，鋁硅銅合金中的硅留在氧化層的表面，干法掃硅渣時硅被腐蝕的速度大于氧化層被腐蝕的速度，保證干法掃硅渣后氧化層上出現(xiàn)的凹坑較小，大大改善了DMOS產(chǎn)品的外觀；通過采用各向同性反應掃硅渣方法進行干法掃硅渣，進一步減小了氧化層上的凹坑，通過限定鋁硅銅合金的寬度大于或等于20微米，可防止發(fā)生飄鋁異常。

在本發(fā)明所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

上述以軟件功能單元的形式實現(xiàn)的集成的單元，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中。上述軟件功能單元存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網(wǎng)絡設備等)或處理器(processor)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的部分步驟。而前述的存儲介質包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(Read-Only Memory，ROM)、 隨機存取存儲器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。

本領域技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，僅以上述各功能模塊的劃分進行舉例說明，實際應用中，可以根據(jù)需要而將上述功能分配由不同的功能模塊完成，即將裝置的內(nèi)部結構劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的裝置的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。