本發(fā)明關(guān)于一種薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別地，本發(fā)明關(guān)于一種可兼具節(jié)省空間及避免電磁干擾的功效的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

芯片封裝工藝乃是用來保護(hù)芯片不受外界物理或化學(xué)變動(dòng)因素所影響，并提供芯片絕緣保護(hù)以避免配線受到外界干擾或互相干擾。于驅(qū)動(dòng)IC領(lǐng)域，特別是于液晶顯示屏幕(Liquid Crystal Display,LCD)的應(yīng)用，一般常以卷帶承載封裝(Tape Carrier Package,TCP)、薄膜覆晶封裝(Chip on Film,COF)、玻璃覆晶封裝(Chip On Glass)等三種封裝方法對(duì)驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)行封裝?；诔杀究紤]、腳距、基板可撓性等各種因素，薄膜覆晶封裝幾乎已取代了卷帶承載封裝而成為主流趨勢(shì)。

由于現(xiàn)今電子產(chǎn)品要求越來越高的反應(yīng)速度以及越來越復(fù)雜的功能，而外觀部分則不斷訴求輕便薄化，因此驅(qū)動(dòng)電路也趨向高積體密度，也就是說，在一定的空間中要置入比以前更多的電路或芯片。越來越密集的集成電路設(shè)計(jì)，使得有限空間中的芯片數(shù)量增加且芯片間的距離越來越接近，而導(dǎo)致電磁干擾也越來越嚴(yán)重。

基于上述問題，有必要研發(fā)一種能在一定空間內(nèi)置入更多集成電路并能阻隔電磁干擾現(xiàn)象的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一范疇在于提供一種薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)包含第一可撓性基板、第二可撓性基板、第一導(dǎo)線層、第二導(dǎo)線層、第一芯片、第二芯片以及黏膠層。于本具體實(shí)施例中， 第一可撓性基板具有相對(duì)的第一功能面及第一背面，而第二可撓性基板則具有相對(duì)的第二功能面及第二背面。第一導(dǎo)線層設(shè)置于第一功能面上，且第二導(dǎo)線層設(shè)置于第二功能面上。第一芯片設(shè)置于第一功能面上并電性連接第一導(dǎo)線層，第二芯片則設(shè)置于第二功能面上并連接第二導(dǎo)線層。第一可撓性基板的第一背面面對(duì)第二可撓性基板的第二背面，并且，第一背面及第二背面以黏膠層互相連接。黏膠層內(nèi)包含多個(gè)電磁屏蔽粒子，可幫助阻隔第一芯片及第二芯片間的電磁干擾。

本發(fā)明的另一范疇在于提供一種薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法。根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例，本發(fā)明的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法包含下列步驟：提供第一薄膜覆晶封裝體，第一薄膜覆晶封裝體包含具有第一背面的第一可撓性基板；提供第二薄膜覆晶封裝體，第二薄膜覆晶封裝體包含具有第二背面的第二可撓性基板；設(shè)置黏膠層于第一可撓性基板的第一背面上；布設(shè)多個(gè)電磁屏蔽粒子于黏膠層上；以及將第一薄膜覆晶封裝體及第二薄膜覆晶封裝體以背對(duì)背方式壓合，使得黏膠層連接第一背面與第二背面。

本具體實(shí)施例的方法所制作出來的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)具有內(nèi)含電磁屏蔽粒子的黏膠層，此黏膠層可協(xié)助阻隔第一薄膜覆晶封裝體及第二薄膜覆晶封裝體間的電磁干擾。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述以及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

附圖說明

圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2A至圖2F繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3A至圖3G繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

符號(hào)說明

1：薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)

10：第一可撓性基板

12：第一導(dǎo)線層

14：第一芯片

16：第一防焊層

18：第一封裝膠體

100：第一功能面

102：第一背面

20：第二可撓性基板

22：第二導(dǎo)線層

24：第二芯片

26：第二防焊層

28：第二封裝膠體

200：第二功能面

202：第二背面

30：黏膠層

32：電磁屏蔽粒子

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1的示意圖。如圖1所示，薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1包含第一可撓性基板10、第二可撓性基板20、第一導(dǎo)線層12、第二導(dǎo)線層22、第一芯片14、第二芯片24以及黏膠層30，上述各元件互相堆疊連接而形成薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1。

于本具體實(shí)施例中，第一可撓性基板10具有第一功能面100以及相對(duì)于第一功能面100的第一背面102，同樣地，第二可撓性基板20也具有相對(duì)的第二功能面200及第二背面202?？蓳闲曰?0的第一功能面100與可撓性基板20的第二功能面200，可用來設(shè)置芯片、導(dǎo)線層等功能性結(jié)構(gòu)層。

如上所述，第一導(dǎo)線層12設(shè)置在第一可撓性基板10的第一功能面100上，第二導(dǎo)線層22設(shè)置于第二可撓性基板20的第二功能面200之上。第一芯片14設(shè)置于第一功能面100上并電性連接第一導(dǎo)線層12，更詳細(xì)地說，第一芯片14設(shè)置于第一功能面100所預(yù)先規(guī)劃出的芯片設(shè)置區(qū)中，并且可藉由凸 塊與第一導(dǎo)線層12電性連接。同樣地，第二芯片24設(shè)置于第二功能面200所預(yù)先規(guī)劃出的芯片設(shè)置區(qū)中，并且可藉由凸塊與第二導(dǎo)線層22電性連接。第一導(dǎo)線層12與第二導(dǎo)線層22分別自上述的芯片設(shè)置區(qū)中延伸到第一功能面100與第二功能面200的外緣，使得第一芯片14與第二芯片24能分別透過第一導(dǎo)線層12與第二導(dǎo)線層22與外部電路進(jìn)行電連接。

除了上述各堆疊層之外，在第一導(dǎo)線層12與第二導(dǎo)線層22上還分別設(shè)置第一防焊層16以及第二防焊層26，第一防焊層16以及第二防焊層26分別覆蓋第一導(dǎo)線層12與第二導(dǎo)線層22，以對(duì)第一導(dǎo)線層12及第二導(dǎo)線層22提供保護(hù)效果，第一防焊層16以及第二防焊層26并分別暴露出局部的第一導(dǎo)線層12與第二導(dǎo)線層22，以供導(dǎo)線層與芯片和外部電路電性連接。此外，在第一芯片14、與第一功能面100之間、第二芯片24與第二功能200之間的空間更分別填充有第一封裝膠體18以及第二封裝膠體28，以對(duì)芯片和導(dǎo)線層的電性接點(diǎn)(即凸塊)提供保護(hù)效果。

第一可撓性基板10的第一背面102與第二可撓性基板20的第二背面202互相面對(duì)，并且兩者間以黏膠層30接合。黏膠層30內(nèi)部包含多個(gè)電磁屏蔽粒子32，可對(duì)上下堆疊的第一芯片14及第二芯片24產(chǎn)生電磁屏蔽效果，以協(xié)助薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1阻隔電磁干擾。于實(shí)務(wù)中，電磁屏蔽粒子32可選自金屬粒子或其它任何能產(chǎn)生電磁屏蔽效應(yīng)的粒子，金屬粒子可包含銀、鐵、銅、銅/鎳、銅/銀、金、鋁、鎳、黃銅、不銹鋼等，其它種類的粒子可包含鐵氧體(Ferrite)、石墨、碳黑、納米碳管、納米碳球、碳纖維、鍍鎳石墨、鍍鎳碳纖維以及鍍銅/鎳碳纖維等。

如圖1所示，本具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1的電磁屏蔽粒子32于黏膠層30中可為緊密分布而形成電磁屏蔽薄膜，而電磁屏蔽薄膜可位于黏膠層30靠近第二背面202的一側(cè)。電磁屏蔽粒子32于黏膠層30中的密度越靠近第一背面102則越低。電磁屏蔽薄膜能有效地阻隔第一芯片14與第二芯片24之間的電磁干擾現(xiàn)象。

如上所述，本發(fā)明的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)是呈兩薄膜覆晶封裝體背對(duì)背上下堆疊連接的型態(tài)，除了可提高電性接點(diǎn)、節(jié)省空間之外，用來連接兩薄膜覆晶封裝體的黏膠層內(nèi)還包含有電磁屏蔽粒子，可阻隔兩薄膜覆晶封裝體間的 電磁干擾，因此符合LCD驅(qū)動(dòng)IC中芯片的高積體密度趨勢(shì)并避免其帶來的電磁干擾缺點(diǎn)。

請(qǐng)參閱圖2A至圖2F，圖2A至圖2F繪示根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的制作方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。利用本具體實(shí)施例的制作方法可制作出如圖1所示的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1，故圖2A至圖2F的標(biāo)號(hào)對(duì)照?qǐng)D1的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1的標(biāo)號(hào)來進(jìn)行標(biāo)示。

本具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法包含下列步驟。首先，如圖2A所示，提供包含第一可撓性基板10、第一導(dǎo)線層12及第一芯片14的第一薄膜覆晶封裝體，其中第一導(dǎo)線層12、第一芯片14設(shè)置在第一可撓性基板10的第一功能面100上；如圖2B所示，提供包含第二可撓性基板20、第二導(dǎo)線層22及第二芯片24的第二薄膜覆晶封裝體，其中第二導(dǎo)線層22、第二芯片24設(shè)置在第二可撓性基板20的第二功能面200上。第一薄膜覆晶封裝體及第二薄膜覆晶封裝體的結(jié)構(gòu)與前述的具體實(shí)施例大致上相同，故于此不再贅述。

接著，如圖2C所示，設(shè)置黏膠層30于第一可撓性基板10的第一背面102上。具體而言，第一薄膜覆晶封裝體可被翻轉(zhuǎn)，使第一可撓性基板10的第一背面102朝上，以利設(shè)置黏膠層30于第一背面102上。如圖2D所示，布設(shè)多個(gè)電磁屏蔽粒子32于黏膠層30上，其中電磁屏蔽粒子32的布設(shè)可利用噴灑的方法將電磁屏蔽粒子32噴灑于黏膠層30上。此外，設(shè)置于第一背面102上的黏膠層30可為液態(tài)，因此電磁屏蔽粒子32布設(shè)于液態(tài)的黏膠層30后，可由液態(tài)的黏膠層30表面漸漸滲入內(nèi)部。由于黏膠層30已被設(shè)置于第一背面102上，故噴灑時(shí)電磁屏蔽粒子32會(huì)先接觸黏膠層30遠(yuǎn)離第一背面102的一側(cè)，致使噴灑后電磁屏蔽粒子32在黏膠層30遠(yuǎn)離第一背面102的一側(cè)的濃度較高，且越接近第一背面102濃度越低。

接著，如圖2E所示，將第一薄膜覆晶封裝體及第二薄膜覆晶封裝體以背對(duì)背方式壓合，使黏膠層30連接第一背面102及第二背面202。經(jīng)過壓合后，電磁屏蔽粒子32會(huì)緊密分布于黏膠層30遠(yuǎn)離第一背面102的一側(cè)，亦即，靠近第二背面202的一側(cè)，進(jìn)而形成電磁屏蔽薄膜。于本具體實(shí)施例中，電磁屏蔽粒子32可選用銀、鐵、銅、銅/鎳、銅/銀、金、鋁、鎳、黃銅、不銹鋼、鐵 氧體(Ferrite)、石墨、碳黑、納米碳管、納米碳球、碳纖維、鍍鎳石墨、鍍鎳碳纖維或鍍銅/鎳碳纖維等具有電磁屏蔽效果的材料。

再者，黏膠層30用來連接第一薄膜覆晶封裝體與第二薄膜覆晶封裝體，故液態(tài)的黏膠層30須經(jīng)過固化工藝轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)，才具有足夠的接合力接合固定兩薄膜覆晶封裝體。如圖2F所示，于壓合后對(duì)液態(tài)的黏膠層30進(jìn)行固化工藝，使得液態(tài)的黏膠層30轉(zhuǎn)變?yōu)榘牍虘B(tài)再進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)。

上述具體實(shí)施例的制作方法為整個(gè)薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)制作完成后再對(duì)液態(tài)的黏膠層30進(jìn)行固化。然而，為了制作方便起見，也可先對(duì)液態(tài)的黏膠層30進(jìn)行半固化，使黏膠層30先維持一個(gè)特定形狀后再進(jìn)行后續(xù)程序。請(qǐng)參閱圖3A至圖3G，圖3A至圖3G繪示根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3A至圖3D所說明的步驟與圖2A至圖2D相同，在此不再贅述。本具體實(shí)施例與上一具體實(shí)施例不同處，在于本具體實(shí)施例在如圖3D所示布設(shè)多個(gè)電磁屏蔽粒子32于液態(tài)的黏膠層30上之后，先對(duì)已包含電磁屏蔽粒子32的液態(tài)的黏膠層30進(jìn)行固化工藝使液態(tài)的黏膠層30由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榘牍虘B(tài)，如圖3E所示。接著，再將第一薄膜覆晶封裝體及第二薄膜覆晶封裝體以背對(duì)背方式壓合，以對(duì)半固態(tài)的黏膠層30施壓使電磁屏蔽粒子32緊密分布于半固態(tài)的黏膠層30中而形成電磁屏蔽薄膜，如圖3F所示。最后，再對(duì)半固態(tài)的黏膠層30進(jìn)行固化工藝使其由半固態(tài)進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)，如圖3G所示。藉此，轉(zhuǎn)變成為如圖1所示的固態(tài)的黏膠層30，以連接第一薄膜覆晶封裝體與第二薄膜覆晶封裝體而形成薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)1，同時(shí)黏膠層30中的電磁屏蔽粒子32所形成的電磁屏蔽薄膜提供了良好的電磁屏蔽效果。

綜上所述，本具體實(shí)施例的薄膜覆晶封裝堆疊結(jié)構(gòu)及其制作方法，可使LCD驅(qū)動(dòng)IC在單位體積內(nèi)的芯片數(shù)量增加，符合高速集成電路的趨勢(shì)，同時(shí)具有良好的電磁屏蔽效果，可有效阻隔芯片間的電磁干擾現(xiàn)象。

藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。