有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法及使用其的有機(jī)發(fā)光顯示裝置相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2014年12月26日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2014-0191010號(hào)的權(quán)益，該申請(qǐng)出于所有目的通過(guò)引用并入本文中，就好像在本文中完全闡述一樣。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光器件。更具體地，本發(fā)明涉及使用溶液工藝制造的有機(jī)發(fā)光器件。

背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光器件為具有如下結(jié)構(gòu)的器件：在注入電子的陰極與注入空穴的陽(yáng)極之間形成有發(fā)光層。當(dāng)由陰極產(chǎn)生的電子與由陽(yáng)極產(chǎn)生的空穴注入發(fā)光層時(shí)，注入的電子和空穴復(fù)合以產(chǎn)生激子，并且激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)移至基態(tài)而發(fā)光。將參照?qǐng)D1對(duì)相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光器件進(jìn)行描述。圖1為相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。如圖1所示，相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光器件包括：陽(yáng)極、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和陰極。有機(jī)層例如設(shè)置在陽(yáng)極與陰極之間的HIL、HTL、EML、ETL和EIL是通過(guò)真空沉積工藝在真空室中形成的。然而，由于使用真空沉積工藝，所以需要高成本的真空沉積設(shè)備，并且由于這個(gè)原因，制造成本增加。尤其是，在有機(jī)發(fā)光器件的尺寸增大的情況下，真空沉積設(shè)備的尺寸進(jìn)一步增大。由于這個(gè)原因，在大規(guī)模生產(chǎn)中生產(chǎn)率降低。因此，正在持續(xù)進(jìn)行關(guān)于通過(guò)溶液工藝形成有機(jī)層的方法的研究。結(jié)果是，已經(jīng)提出了通過(guò)溶液工藝形成HIL、HTL和EML的方法。然而，還沒(méi)有開(kāi)發(fā)出通過(guò)溶液工藝形成設(shè)置在EML上的ETL的方法。這是因?yàn)楫?dāng)通過(guò)溶液工藝形成ETL時(shí)，EML的表面被用于形成EML的溶液中所含有的溶劑所損傷。因此，到目前為止，僅HIL、HTL和EML是通過(guò)溶液工藝形成的，而ETL和EIL是通過(guò)真空沉積工藝形成的。在這種情況下，生產(chǎn)率比所有有機(jī)層通過(guò)真空沉積工藝形成的情況得到更多提高。然而，在制造大尺寸有機(jī)發(fā)光器件的情況中生產(chǎn)率仍然較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法和使用該有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法和使用該有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中通過(guò)盡可能多地減少真空沉積工藝來(lái)提高生產(chǎn)率。本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)和特征將被部分地闡述于下面的說(shuō)明中，并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，當(dāng)對(duì)下述進(jìn)行研究時(shí)本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)和特征在某種程度上是顯見(jiàn)的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中獲知本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)和特征。通過(guò)在書(shū)面描述及其權(quán)利要求以及附圖中所具體指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和得到本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在本文中所實(shí)施和廣泛描述的，提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，該有機(jī)發(fā)光器件包括：陽(yáng)極；在陽(yáng)極上的空穴注入層；在空穴注入層上的空穴傳輸層；在空穴傳輸層上的發(fā)光層，其中發(fā)光層包含基質(zhì)材料和摻雜劑材料；在發(fā)光層上的電子注入層；以及在電子注入層上的陰極，其中發(fā)光層包括在空穴傳輸層上的第一發(fā)光層和在第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層，并且第二發(fā)光層包含與第一發(fā)光層的材料相同的材料并且還包含n型摻雜劑材料。在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，該方法包括：使用溶液工藝在陽(yáng)極上形成空穴注入層；使用溶液工藝在空穴注入層上形成空穴傳輸層；通過(guò)溶液工藝在空穴傳輸層上形成發(fā)光層，發(fā)光層包含基質(zhì)材料和摻雜劑材料；通過(guò)真空沉積工藝在發(fā)光層上形成電子注入層，電子注入層包含n型摻雜劑；以及在電子注入層上形成陰極，其中形成電子注入層包括將n型摻雜劑擴(kuò)散至發(fā)光層以形成n型摻雜劑未擴(kuò)散至其中的第一發(fā)光層和n型摻雜劑擴(kuò)散于其中的第二發(fā)光層。在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基板；設(shè)置在基板上的薄膜晶體管；以及有機(jī)發(fā)光器件，其中來(lái)自有機(jī)發(fā)光器件的光的發(fā)射由薄膜晶體管控制，其中有機(jī)發(fā)光器件包括：陽(yáng)極；在陽(yáng)極上的空穴注入層；在空穴注入層上的空穴傳輸層；在空穴傳輸層上的發(fā)光層，其中發(fā)光層包含基質(zhì)材料和摻雜劑材料；在發(fā)光層上的電子注入層；以及在電子注入層上的陰極。發(fā)光層包括在空穴傳輸層上的第一發(fā)光層和在第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層，并且第二發(fā)光層包含與第一發(fā)光層的材料相同的材料并且還包含n型摻雜劑材料。應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的前述一般性描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。附圖說(shuō)明本申請(qǐng)包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖并入本申請(qǐng)并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方案并且與描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中：圖1為相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案在EML中產(chǎn)生激子的區(qū)域；圖4A至圖4D為示出制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的工藝的示意性截面圖；圖5為示出有機(jī)發(fā)光器件相對(duì)于EIL的厚度變化的電壓-電流特性變化的圖；以及圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，其示例在附圖中示出。只要可能，貫穿全文將使用相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部分。將參照附圖通過(guò)下述實(shí)施方案來(lái)闡明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為限于本文中所闡述的實(shí)施方案。而是，提供這些實(shí)施方案使得對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言本公開(kāi)內(nèi)容是徹底和完整的，并且充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。另外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定。在用于描述本發(fā)明的實(shí)施方案的附圖中所公開(kāi)的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)目?jī)H是示例，并且因此，本發(fā)明不限于所示的細(xì)節(jié)。類似的附圖標(biāo)記指代類似的元件。在以下的描述中，在對(duì)相關(guān)的已知功能或配置的詳細(xì)描述被確定為不必要地模糊本發(fā)明的重點(diǎn)的情況下，將省略其詳細(xì)描述。在使用本說(shuō)明書(shū)中所描述的“包含”、“具有”和“包括”的情況下，除非使用“僅”，否則可以添加另一部分。除非有相反指代，否則單數(shù)形式的表述可以包括復(fù)數(shù)形式。在解釋元件時(shí)，盡管沒(méi)有明確描述，但是元件被解釋為包括誤差范圍。在描述位置關(guān)系時(shí)，例如，當(dāng)兩個(gè)部件之間的位置關(guān)系被描述為“在…之上”、“在…上方”、“在…之下”和“相鄰”時(shí)，除非使用“僅”，“直接”或“直接地”，否則在兩個(gè)部件之間可以設(shè)置一個(gè)或更多個(gè)其他部件。在描述時(shí)間關(guān)系時(shí)，例如，當(dāng)時(shí)間順序被描述為“之后”、“隨后”、“接下來(lái)”和“之前”時(shí)，除非使用‘剛剛’或‘直接’，否則可以包括不連續(xù)的情況。應(yīng)理解的是，盡管在本文中可以使用表述“第一”、“第二”等來(lái)描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些表述的限制。這些表述僅用來(lái)將一個(gè)元件與另一元件進(jìn)行區(qū)分。例如，在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。本發(fā)明的各種實(shí)施方案的特征可以部分或整體地彼此組合或結(jié)合，并且可以是如本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解地彼此各式互相操作和以技術(shù)方式驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明的實(shí)施方案可以彼此獨(dú)立地執(zhí)行，或者可以以共同依賴的關(guān)系一起執(zhí)行。下文中，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述。圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的示意性截面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件包括：陽(yáng)極、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子注入層(EIL)和陰極。陽(yáng)極可以由具有高導(dǎo)電性和高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、SnO2、ZnO等形成，但不限于此。HIL可以形成在陽(yáng)極上，并且可以由4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、銅酞菁(CuPc)、聚(3，4-亞乙基二氧噻吩，聚苯乙烯磺酸酯/鹽)(PEDOT/PSS)等形成，但不限于此。HIL可以通過(guò)溶液工藝形成。即，HIL可以通過(guò)如下工藝形成：通過(guò)將具有空穴注入特性的有機(jī)材料溶解在溶劑中以制備用于HIL的溶液，然后，通過(guò)噴墨工藝或狹縫涂布工藝將制備的溶液涂覆在陽(yáng)極上。HTL可以形成在HIL上，并且可以由N，N′-二苯基-N，N′-雙(3-甲基苯基)-1，1′-聯(lián)苯基-4，4′-二胺(TPD)、N，N-二萘基-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(NPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)等形成，但不限于此。HTL也可以通過(guò)溶液工藝形成。即，HTL可以通過(guò)如下工藝形成：通過(guò)將具有空穴傳輸特性的有機(jī)材料溶解在溶劑中以制備用于HTL的溶液，然后，通過(guò)噴墨工藝或狹縫涂布工藝將制備的溶液涂覆在HIL上。在形成HTL時(shí)，HIL不應(yīng)被用于HTL的溶液所包含的溶劑損傷。因此，在HIL中所包含的具有空穴注入特性的有機(jī)材料可不被用于HTL的溶液中所包含的溶劑溶解。例如，當(dāng)包含在HIL中的具有空穴注入特性的有機(jī)材料使用被水溶解但不被特定有機(jī)溶劑溶解的有機(jī)材料，并且包含在HTL中的具有空穴傳輸特性的有機(jī)材料使用被所述特定有機(jī)溶劑溶解的有機(jī)材料的情況下，在通過(guò)溶液工藝形成HTL時(shí)HIL未受損。另外，在形成EML時(shí)，HTL不應(yīng)被用于EML的溶液中所包含的溶劑損傷。為此，可以在HTL中添加交聯(lián)劑，因而，HTL的結(jié)合力增強(qiáng)。即，當(dāng)將交聯(lián)劑添加到HTL時(shí)，有機(jī)材料的結(jié)合力通過(guò)交聯(lián)劑得到增強(qiáng)，因而，防止了HTL被用于EML的溶液中所包含的溶劑溶解。可以將交聯(lián)劑添加到EML中，因而，EML的結(jié)合力增強(qiáng)。因此，即使通過(guò)溶液工藝在EML頂部上形成ETL時(shí)，EML的頂部也不被損傷。然而，當(dāng)將交聯(lián)劑添加到EML中時(shí)，EML的發(fā)光效率迅速降低，并且由于這個(gè)原因，不能將交聯(lián)劑添加到EML中，因此，通過(guò)溶液工藝很難在EML頂部上形成ETL。因此，在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，在EML的頂部上可不形成ETL。這將在下面描述。EML可以形成在HTL上。EML可以形成為紅色(R)發(fā)光層、綠色(G)發(fā)光層或藍(lán)色(B)發(fā)光層，并且根據(jù)情況，EML可以形成為白色(W)發(fā)光層。紅色(R)發(fā)光層可以包含用于發(fā)射例如峰值波長(zhǎng)范圍為600nm至640nm的紅色(R)光的有機(jī)材料。詳細(xì)地，紅色發(fā)光層可以通過(guò)對(duì)由咔唑基化合物或金屬絡(luò)合物組成的磷光基質(zhì)材料摻雜紅色(R)摻雜劑來(lái)形成，但不限于此。紅色摻雜劑可以包括銥(Ir)或鉑(Pt)的金屬絡(luò)合物，但不限于此。綠色(G)發(fā)光層可以包含用于發(fā)射例如峰值波長(zhǎng)范圍為500nm至570nm的綠色(G)光的有機(jī)材料。詳細(xì)地，綠色發(fā)光層可以通過(guò)對(duì)由咔唑基的化合物或金屬絡(luò)合物組成的磷光基質(zhì)材料摻雜磷光綠色(G)摻雜劑來(lái)形成，但不限于此。咔唑基化合物可以包括4，4-N，N′-二咔唑-聯(lián)苯(CBP)、CBP衍生物、N，N′-二咔唑基-3，5-苯(mCP)、mCP衍生物等，并且金屬絡(luò)合物可以包括苯基唑金屬絡(luò)合物(ZnPBO)、苯基噻唑金屬絡(luò)合物(ZnPBT)等。藍(lán)色(B)發(fā)光層可以包含用于發(fā)射例如峰值波長(zhǎng)范圍為430nm至490nm的藍(lán)色(B)光的有機(jī)材料。詳細(xì)地，藍(lán)色發(fā)光層可以通過(guò)對(duì)選自蒽衍生物、芘衍生物和苝衍生物中的至少一種熒光基質(zhì)材料摻雜熒光藍(lán)色(B)摻雜劑來(lái)形成，但不限于此。白色(W)發(fā)光層可以通過(guò)對(duì)基質(zhì)材料摻雜上述紅色(R)摻雜劑、綠色(G)摻雜劑和藍(lán)色(B)摻雜劑來(lái)形成，或者可以通過(guò)對(duì)發(fā)射藍(lán)色(B)光的藍(lán)色熒光基質(zhì)材料摻雜紅色(R)摻雜劑和綠色(G)摻雜劑來(lái)形成，但不限于此。EML也可以通過(guò)溶液工藝來(lái)形成。即，EML可以通過(guò)如下工藝形成：通過(guò)在溶劑中溶解基質(zhì)材料和摻雜劑材料以制備用于EML的溶液，然后，通過(guò)噴墨工藝或狹縫涂布工藝將制備的溶液涂覆在HTL上。EML可以包括第一EML和第二EML。第一EML可以形成在HTL上，并且第二EML可以形成在第一EML上。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案，在EML與EIL之間未設(shè)置ETL。相反，EML可以包括第一EML和第二EML，并且通過(guò)第二EML電子傳輸特性得到增強(qiáng)。在EML與EIL之間未設(shè)置ETL，因而，當(dāng)EIL僅形成在EML頂部上時(shí)，由陰極產(chǎn)生的電子不平穩(wěn)地從EIL傳送到EML，從而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光器件的性能降低。為了提高生產(chǎn)率可以不設(shè)置通過(guò)沉積工藝形成的ETL。然而，當(dāng)不設(shè)置ETL時(shí)，有機(jī)發(fā)光器件的性能降低。因此，需要開(kāi)發(fā)用于即使在不設(shè)置ETL的情況下也能增強(qiáng)電子傳輸特性的方法。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，引入第二EML以提高電子傳輸特性。下面將詳細(xì)說(shuō)明第二EML。圖3示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的在EML中產(chǎn)生激子的區(qū)域。在EML中，電子和空穴可以復(fù)合以產(chǎn)生激子，并且激子可以從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)移至基態(tài)而發(fā)光。因此，激子產(chǎn)生區(qū)域可以是發(fā)射光的發(fā)光區(qū)，并且發(fā)光區(qū)的位置可以基于電子遷移率和空穴遷移率而控制。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，在EML中電子遷移率大于空穴遷移率。即，從EIL到EML的方向上移動(dòng)的電子的遷移率可以大于從HTL到EML的方向上移動(dòng)的空穴的遷移率。因此，在EML的整個(gè)區(qū)域中電子和空穴可以在EML靠近HTL的局部區(qū)域(即，第一EML的區(qū)域)中復(fù)合，因而，激子產(chǎn)生區(qū)域可以設(shè)置在第一EML區(qū)域中。如上所述，為了要在第一EML的靠近HTL的區(qū)域中產(chǎn)生激子，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的EML可以包含富電子的發(fā)光材料。即，由于根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的EML包含富電子發(fā)光材料，所以EML中的電子遷移率增加，因而，在第一EML的區(qū)域中發(fā)光。包含在EML中的富電子發(fā)光材料可以通過(guò)將電子的供體化學(xué)鍵合至構(gòu)成EML的基質(zhì)材料來(lái)制造?；蛘?，包含在EML中的富電子發(fā)光材料可以通過(guò)將電子的供體化學(xué)鍵合至構(gòu)成EML的摻雜劑材料來(lái)制造?；蛘?，包含在EML中的富電子發(fā)光材料可以通過(guò)將電子的供體與構(gòu)成EML的基質(zhì)材料和摻雜劑材料進(jìn)行混合來(lái)制造。即，電子的供體可以化學(xué)鍵合至構(gòu)成EML的發(fā)光材料或可以在不化學(xué)鍵合至發(fā)光材料的情況下與發(fā)光材料混合。能夠化學(xué)鍵合至構(gòu)成EML的基質(zhì)材料或摻雜劑材料的電子的供體可以包括諸如吡啶或喹啉的部分，但不限于此。能夠與構(gòu)成EML的基質(zhì)材料和摻雜劑材料混合的電子的供體可以包括具有電子傳輸特性的有機(jī)材料。在其中不產(chǎn)生激子或產(chǎn)生激子數(shù)目小的第二EML可以具有電子傳輸能力以便接收來(lái)自EIL的電子并且將所接收的電子轉(zhuǎn)移到第一EML。為了給出電子傳輸能力，第二EML可以包括n型摻雜劑。當(dāng)?shù)诙﨓ML包含n型摻雜劑時(shí)，從EIL注入的電子容易轉(zhuǎn)移到第一EML。n型摻雜劑可以使用EIL的材料。在這種情況下，當(dāng)形成EIL時(shí)，EIL的材料可以擴(kuò)散到EML。因此，EIL的材料擴(kuò)散到的區(qū)域可以對(duì)應(yīng)于對(duì)其摻雜有n型摻雜劑的第二EML。詳細(xì)地，n型摻雜劑可以通過(guò)使包括在EIL中的堿金屬擴(kuò)散來(lái)制造。當(dāng)如上所述通過(guò)擴(kuò)散在EIL中包含的n型摻雜劑形成第二EML時(shí)，第二EML可以在不執(zhí)行單獨(dú)工藝的情況下而獲得。當(dāng)如上所述通過(guò)擴(kuò)散包含在EIL中的n型摻雜劑形成第二EML時(shí)，包含在第二EML中的n型摻雜劑的濃度可不恒定。詳細(xì)地，在第二EML的接近EIL的區(qū)域中的n型摻雜劑的濃度可比在第二EML的遠(yuǎn)離EIL的區(qū)域中的n型摻雜劑的濃度高?？梢钥紤]第二EML的區(qū)域設(shè)置EML的厚度T1。當(dāng)EML的厚度T1過(guò)薄時(shí)，與包含在EIL中的n型摻雜劑擴(kuò)散至其中的第二EML的區(qū)域相比，包含在EIL中的n型摻雜劑未擴(kuò)散至其中的第一EML的區(qū)域減小，因而，發(fā)光區(qū)域減小。此外，當(dāng)EML的厚度T1過(guò)厚時(shí)，在第一EML與第二EML之間可以形成有不發(fā)光和不具有電子傳輸特性的第三層。即，當(dāng)EML的厚度T1過(guò)厚時(shí)，在第一EML與第二EML之間會(huì)形成n型摻雜劑未擴(kuò)散至其中的不發(fā)光區(qū)域?？紤]到這些特征，EML的厚度T1可以設(shè)定在為50nm至100nm的范圍內(nèi)。這是因?yàn)楫?dāng)EML的厚度T1小于50nm時(shí)，第一EML的區(qū)域減小，這也使發(fā)光區(qū)域減小。當(dāng)EML的厚度T1大于100nm時(shí)，在第一EML與第二EML之間會(huì)形成不發(fā)光并且未摻雜n型摻雜劑的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案，除了基質(zhì)材料和摻雜劑材料之外，第一EML可以包含電子的供體，并且除了基質(zhì)材料和摻雜劑材料之外，第二EML可以包含電子的供體和n型摻雜劑。包含在第一EML中的電子的供體、基質(zhì)材料和摻雜劑材料可以與包含在第二EML中的電子的供體、基質(zhì)材料和摻雜劑材料相同。在第一EML中，可以產(chǎn)生激子，因而，可以發(fā)光。另一方面，在第二EML中，由于不產(chǎn)生激子或產(chǎn)生的激子的數(shù)目小，基本上不發(fā)光。盡管第二EML基本上不發(fā)光，但是因?yàn)榈诙﨓ML的材料主要包含發(fā)光材料，所以第二EML可以被稱為發(fā)光層。EIL可以形成在EML上。具體地，EIL可以接觸第二EML。EIL可以包含用于向EML提供n型摻雜劑的材料(例如堿金屬)。EIL的厚度T2可以控制為使得n型摻雜劑擴(kuò)散到EML的程度。即，當(dāng)EIL的厚度T2過(guò)薄時(shí)，n型摻雜劑不會(huì)擴(kuò)散到EML，因而，不會(huì)形成第二EML。因此，EIL的厚度T2可以等于或大于2nm。例如，當(dāng)EIL的厚度T2小于2nm時(shí)，n型摻雜劑不會(huì)擴(kuò)散到EML，因而，不會(huì)形成第二EML。EIL的厚度T2可以等于或小于10nm。這是因?yàn)?，?dāng)EIL的厚度T2大于10nm時(shí)，有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光效率可降低。陰極可以形成在EIL上。陰極可以由具有低功函數(shù)的金屬(例如鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋰(Li)或鈣(Ca))形成，但不限于此。圖4A至圖4D為示出制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件的工藝的示意性截面圖，并且涉及制造上述圖2的有機(jī)發(fā)光器件的方法。首先，如圖4A所示，可以在陽(yáng)極上形成HIL，并且可以在HIL上形成HTL。形成HIL的工藝可以包括如下工藝：通過(guò)在第一溶劑中溶解具有空穴注入特性的有機(jī)材料以制備用于HIL的第一溶液，然后，通過(guò)噴墨工藝或狹縫涂布工藝將制備的第一溶液涂覆在陽(yáng)極上。形成HTL的工藝可以包括如下工藝：通過(guò)在第二溶劑中溶解具有空穴傳輸特性的有機(jī)材料以制備用于HTL的第二溶液，然后，通過(guò)噴墨工藝或狹縫涂布工藝將制備的第二溶液涂覆在HIL上。在這種情況下，具有空穴注入特性的有機(jī)材料不會(huì)被第二溶劑溶解，因而，在形成HTL時(shí)沒(méi)有損傷HIL的表面。此外，可以將交聯(lián)劑附加地添加到用于HTL的第二溶劑中，以提高具有空穴傳輸特性的有機(jī)材料的結(jié)合力。接著，如圖4B所示，可以在HTL上形成EML。形成EML的工藝可以包括如下工藝：通過(guò)在第三溶劑中溶解基質(zhì)材料和摻雜劑材料以制備用于EML的第三溶液，然后，通過(guò)噴墨工藝或狹縫涂布工藝將制備的第三溶液涂覆在HTL上。在這種情況下，第三溶液可以包括電子的供體，因而，EML可以具有富電子特性。電子的供體可以化學(xué)鍵合至構(gòu)成EML的基質(zhì)材料或摻雜劑材料。能夠被化學(xué)鍵合至基質(zhì)材料或摻雜劑材料的電子的供體可以包括諸如吡啶或喹啉的部分，但不限于此。電子的供體可以以與基質(zhì)材料和摻雜劑材料混合的狀態(tài)被包含在EML中。以混合狀態(tài)包含在EML中的電子的供體可以包括具有電子傳輸特性的有機(jī)材料，但不限于此?？梢詫ML的厚度T1設(shè)定為50nm至100nm的范圍內(nèi)。其原因與以上細(xì)述的一樣。接著，圖4C中，可以在EML上形成EIL。可以通過(guò)真空沉積工藝?yán)缯翦児に?、濺射工藝等形成EIL。EIL可以包含n型摻雜劑材料例如堿金屬。當(dāng)通過(guò)真空沉積工藝形成EIL時(shí)，在EIL中包含的n型摻雜劑可以擴(kuò)散至EML。因此，可以將EML的遠(yuǎn)離EIL的n型摻雜劑不會(huì)擴(kuò)散至其中的區(qū)域構(gòu)造成第一EML，并且可以將EML接近EIL的n型摻雜劑擴(kuò)散至其中的區(qū)域構(gòu)造成第二EML。可以適當(dāng)?shù)乜刂朴糜跀U(kuò)散n型摻雜劑的真空沉積工藝的溫度。可以將EIL的厚度T2設(shè)定為2nm至10nm。其原因與以上細(xì)述的一樣。接著，如圖4D所示，可以在EIL上形成陰極?？梢酝ㄟ^(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的工藝形成陰極。圖5為示出相對(duì)于EIL的厚度變化有機(jī)發(fā)光器件的電壓-電流特性變化的圖。如圖5所見(jiàn)，當(dāng)EIL的厚度為1nm時(shí)，可以看出，驅(qū)動(dòng)電壓變得比EIL的厚度等于或大于2nm的情況下的驅(qū)動(dòng)電壓高。這是因?yàn)?，在EIL的厚度為1nm的情況下，當(dāng)EIL是通過(guò)沉積工藝形成的時(shí)，n型摻雜劑不會(huì)擴(kuò)散至EML，并且由于這個(gè)原因，不會(huì)形成第二EML。因此，可以看出，為了n型摻雜劑的平穩(wěn)擴(kuò)散，EIL的厚度設(shè)定為2nm或更大是適當(dāng)?shù)?。然而，可以看出，即使EIL的厚度遞增，驅(qū)動(dòng)電壓也不持續(xù)降低，并且當(dāng)EIL的厚度增加過(guò)多時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓反而增加。盡管未詳細(xì)示出，但是當(dāng)EIL的厚度大于10nm時(shí)，類似于n型摻雜劑不擴(kuò)散的情況，驅(qū)動(dòng)電壓可增加。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案，上述有機(jī)發(fā)光器件可以應(yīng)用于下述的顯示圖像的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，但不限于此。例如，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光器件可以應(yīng)用于本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種發(fā)光裝置例如照明裝置等中。圖6為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的并且使用上述圖2的有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。如圖6所見(jiàn)，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括：基板100、薄膜晶體管(TFT)層200、平坦化層300、堤壩層400、陽(yáng)極、有機(jī)層1和陰極?；?00可以為能夠被彎曲或彎折的玻璃或透明塑料(例如聚酰亞胺等)，但不限于此。TFT層200可以形成在基板100上。TFT層200可以包括柵電極210、柵極絕緣層220、半導(dǎo)體層230、源電極240a、漏電極240b和鈍化層250。柵電極210可以形成為被圖案化在基板100上，并且柵極絕緣層220可以形成在柵電極210上。半導(dǎo)體層230可以形成為被圖案化在柵極絕緣層220上，并且源電極240a和漏電極240b可以形成為彼此面對(duì)地被圖案化在半導(dǎo)體層230上。鈍化層250可以形成在源電極240a和漏電極240b上。示出為包括TFT層200的TFT涉及驅(qū)動(dòng)TFT，并且盡管附圖中示出具有柵電極210形成在半導(dǎo)體層230下方的底柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)TFT，但是可以設(shè)置具有柵電極210形成在半導(dǎo)體層230上方的頂柵極結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)TFT。來(lái)自有機(jī)發(fā)光器件的光的發(fā)射可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)TFT來(lái)控制。平坦化層300可以形成在TFT層200上以平坦化基板100的表面。平坦化層300可以由有機(jī)絕緣層例如光丙烯酸類物質(zhì)等來(lái)形成，但不限于此。陽(yáng)極可以形成在平坦化層300上，并且可以連接至TFT層200的漏電極240b。堤壩層400可以形成在陽(yáng)極上，并且可以形成為被圖案化成矩陣結(jié)構(gòu)以限定像素區(qū)。有機(jī)層1可以形成在陽(yáng)極上，并且具體地可以形成在由堤壩層400所限定的像素區(qū)中。盡管未詳細(xì)示出，但是有機(jī)層1可以包括HIL、HTL、包括第一EML和第二EML的EML、以及EIL。這些層與上述參考圖2的有機(jī)層相同，因而，不再提供重復(fù)性的描述。陰極可以形成有機(jī)層1上?？梢詫⒐搽妷菏┘又陵帢O。因此，陰極可以形成在除設(shè)置在多個(gè)像素中的每一個(gè)中的有機(jī)層1之外的堤壩層400上。盡管未示出，但是可以在陰極上形成密封層以防止氧氣和/或水滲透進(jìn)入有機(jī)層1。密封層可以形成為不同的無(wú)機(jī)材料交替層疊的結(jié)構(gòu)，可以形成為無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料交替層疊的結(jié)構(gòu)，或者可以形成為通過(guò)粘合劑附著到相應(yīng)的層的金屬層。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以被制造為其中從有機(jī)層1發(fā)射的光沿遠(yuǎn)離基板的上行方向傳輸?shù)捻敳堪l(fā)光型，或者可以被制造為其中從有機(jī)層1發(fā)射的光沿設(shè)置在有機(jī)層1下的基板100的方向傳輸?shù)牡撞堪l(fā)光型。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，由于在EML與EIL之間未設(shè)置ETL，所以減少了真空沉積工藝。結(jié)果，提高了生產(chǎn)效率。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明顯的是：在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明中做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落在所附權(quán)利要求及其等同方案的范圍之內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化方案。