本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管器件及有機(jī)發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光器件(OLED)是利用外加電壓后注入的載流子復(fù)合激發(fā)有機(jī)材料發(fā)光的器件，具有自發(fā)光、高效率、低電壓、響應(yīng)快、視角寬、可做在柔性基板等諸多優(yōu)點(diǎn)，可以做成顯示器或照明器件，倍受社會(huì)的關(guān)注。

由于OLED為自發(fā)光的顯示技術(shù)，OLED的發(fā)光效率與選定的發(fā)光材料、背板以及外圍元件的設(shè)計(jì)有關(guān)。OLED必須憑借著反射層進(jìn)行反射，將發(fā)光材料所發(fā)出的背離使用者方向的光反射向使用者的方向，以提高發(fā)光亮度，增進(jìn)相關(guān)的顯示性能。

根據(jù)有機(jī)材料所發(fā)出光線的傳播方向，OLED可以分為三種類型，頂面發(fā)射型、底面發(fā)射型和兩面發(fā)射型。一般來說，頂面發(fā)射型OLED可在基底相反的方向上發(fā)光并且具有較高的開口率，其中在基底上排列有單元像素。

在頂面發(fā)射型的結(jié)構(gòu)中，陽(yáng)極層一般具有反射結(jié)構(gòu)，用于對(duì)有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光線進(jìn)行反射?，F(xiàn)有的陽(yáng)極層具有第一透明導(dǎo)電層/反射層/第二透明導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，參見圖1，第一透明導(dǎo)電層101、第二導(dǎo)電透明層103由ITO形成，中間的反射層102為Ag層；像素定義層104設(shè)置在該陽(yáng)極層的兩側(cè)，且與陽(yáng)極層一起形成了出光開口；由于Ag層在形成的過程中很容易產(chǎn)生凸起(hilllock)，因此在制程上必須控制出光開口的寬度CD1(像素定義層104限定出光開口的寬度)小于Ag層的線寬CD2(出光一側(cè)表面的線寬)，并且兩側(cè)的像素定義層104要覆蓋住Ag層，避免兩側(cè)邊Ag的裸露而產(chǎn)生凸起，進(jìn)而導(dǎo)致顯示暗點(diǎn)的產(chǎn)生。但是，如此一來，對(duì)Ag層的蝕刻制程以及反射層102與像素定義層104之間的對(duì)位情況都提出了較高的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述問題和/或其他問題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管器件，其包括：陽(yáng)極層、陰極層、位于所述陽(yáng)極層與陰極層之間的有機(jī)發(fā)光層；所述陽(yáng)極層包括：層疊設(shè)置地第一透明導(dǎo)電層和反射層；所述第一透明導(dǎo)電層位于所述反射層的反射光出射的一側(cè)；其中，所述反射層包括Ag層和AlNd層，所述Ag層更靠近所述第一透明導(dǎo)電層。

優(yōu)選的，所述反射層的厚度為1000～2000埃，其中，所述Ag層的厚度范圍為300～500埃。

優(yōu)選的，所述反射層的反射率為92％。

優(yōu)選的，所述第一透明導(dǎo)電層由氧化銦錫或氧化銦鋅形成。

優(yōu)選的，所述電極層還包括層疊設(shè)置地第二透明導(dǎo)電層，所述反射層位于所述第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層之間。

優(yōu)選的，所述第二透明導(dǎo)電層由氧化銦錫或氧化銦鋅形成。

本發(fā)明還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其包括基底、緩沖層、驅(qū)動(dòng)元件、平坦層、陽(yáng)極層、陰極層、位于所述陽(yáng)極層與陰極層之間的有機(jī)發(fā)光層、以及位于所述有機(jī)發(fā)光層的周圍且與所述陽(yáng)極層一起形成出光開口的像素定義層，其中，所述陽(yáng)極層包括：層疊設(shè)置地第一透明導(dǎo)電層和反射層；所述第一透明導(dǎo)電層位于所述反射層的反射光出射的一側(cè)；其中，所述反射層包括Ag層和AlNd層，所述Ag層更靠近所述第一透明導(dǎo)電層。

優(yōu)選的，所述像素定義層限定的出光開口的寬度小于或等于所述Ag層的線寬。

優(yōu)選的，所述反射層的厚度為1000～2000埃，其中，所述Ag層的厚度范圍為300～500埃。

優(yōu)選的，所述反射層的反射率為92％。

本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管器件中，陽(yáng)極層的反射層包括Ag層和AlNd層，與現(xiàn)有的反射層相比，降低了Ag層的厚度，由此降低了Ag層側(cè)邊產(chǎn)生凸起的可能性，即使產(chǎn)生凸起，凸起高度也非常有限，對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示器的性能影響較??；因此，對(duì)制程控制的要求大大降低，不容易發(fā)生制程變異。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一有機(jī)發(fā)光二極管器件的陽(yáng)極層和像素定義層的部分剖視示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的部分剖視示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管器件的陽(yáng)極層的剖視示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。

所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)意識(shí)到，沒有特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者采用其它的方法、組元、材料等，也可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案。在某些情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明。

本發(fā)明的附圖僅用于示意相對(duì)位置關(guān)系和電連接關(guān)系，某些部位的層厚采用了夸示的繪圖方式以便于理解，附圖中的層厚并不代表實(shí)際層厚的比例關(guān)系。

參見圖2，為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的部分剖視示意圖，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括基板10、依次形成于基板10之上的緩沖層20、驅(qū)動(dòng)元件40、平坦層30以及形成于平坦層30之上的有機(jī)發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)。

該有機(jī)發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)包括依次在平坦層30之上層疊形成的陽(yáng)極層2、空穴注入層(HIL)3、空穴傳輸層(HTL)4、有機(jī)發(fā)光層(EML)5、電子傳輸層(ETL)6、陰極層7和封裝層9，以及設(shè)置在平坦層30之上、有機(jī)發(fā)光層5周圍的用于限定出光開口的像素定義層8。

參見圖3，陽(yáng)極層2包括第一透明導(dǎo)電層21和反射層22，兩者層疊設(shè)置。第一透明導(dǎo)電層21位于反射層22的反射光出射的一側(cè)(箭頭所示為反 射光出射方向)。

反射層22包括Ag層221和AlNd層222。Ag層221位于反射層22的反射光出射的一側(cè)，AlNd層222位于另一側(cè)。在本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施方案中，第一透明導(dǎo)電層21、Ag層221和AlNd層222依次層疊(直接接觸)設(shè)置，但并不限于此。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，Ag層221和AlNd層222之間可以?shī)A設(shè)至少一層導(dǎo)電材料層，例如比較不會(huì)產(chǎn)生凸起的導(dǎo)電材料層。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，AlNd層222的另一側(cè)(與反射光出射相反的一側(cè))可以設(shè)有至少一層導(dǎo)電材料層，例如比較不會(huì)產(chǎn)生凸起的導(dǎo)電材料層。

在本實(shí)施例的陽(yáng)極層結(jié)構(gòu)中，反射層22包括Ag層221和AlNd層222，與現(xiàn)有的導(dǎo)電反射層相比，降低了Ag層221的厚度，由此降低了Ag層221側(cè)邊產(chǎn)生凸起的可能性，即使產(chǎn)生凸起，凸起高度也非常有限，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管器件的性能影響較??；因此，采用本實(shí)施例的反射層，不需要滿足控制像素定義層8限定的出光開口的寬度小于Ag層221的線寬的要求，另外，也不需要將像素定義層8完全覆蓋Ag層221的兩側(cè)邊緣，因此，對(duì)制程控制的要求大大降低，不容易發(fā)生制程變異。

在本實(shí)施例中，反射層22的厚度為1000～2000埃，其中，優(yōu)選的，Ag層221的厚度可以為300～500埃。

在本實(shí)施例中，Ag層221的反射率為94％，整個(gè)反射層22的反射率為92％。

在AlNd層222的輔助下，Ag層221的厚度只需要維持基本的反射率和表明粗糙度即可，即可以做的比較薄，降低了在Ag層221側(cè)面產(chǎn)生凸起的概率。

在本實(shí)施例中，陽(yáng)極層2的結(jié)構(gòu)還包括與第一透明導(dǎo)電層21相對(duì)地、層疊設(shè)置地第二透明導(dǎo)電層23，即反射層22位于第一透明導(dǎo)電層21和第二透明導(dǎo)電層23之間。

在本實(shí)施例中，第一透明導(dǎo)電層21和第二透明導(dǎo)電層23都由氧化銦錫形成。在其它實(shí)施例中第一透明導(dǎo)電層21和第二透明導(dǎo)電層23也可以都由氧化銦鋅形成或一個(gè)由氧化銦錫形成而另一個(gè)由氧化銦鋅形成。

在本實(shí)施例中，像素定義層8限定的出光開口的線寬等于Ag層221的反射光出射方向一側(cè)的表面的線寬。

應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。

上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。