本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種采用DLC的有機電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

最近隨著顯示器的大型化，空間占有率小的顯示器件的需求越來越大。電致發(fā)光器件作為所述的顯示器件中的一種，分為有機電致發(fā)光器件和無機電致發(fā)光器件。

所述的無機電致發(fā)光器件：通常輸入高電壓，加速電子，使得加速的電子沖擊發(fā)光層而發(fā)光的器件。有機電致發(fā)光器件：向陰極(電子注入電極)和陽極(空穴注入電極)之間的有機膜上注入電荷的話，電子和空穴成雙抵消，從而發(fā)光。所以有機電致發(fā)光器件具有低電壓驅(qū)動，消耗電流低，輕量，色感等特征，比無機電致發(fā)光器件更優(yōu)秀。

有機電致發(fā)光器件具有層疊結(jié)構(gòu)，分為單層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)。單層結(jié)構(gòu)是基板上面依次是陽極(空穴注入電極)，有機發(fā)光層，陰極(電子注入電極)；多層結(jié)構(gòu)是陽極和有機發(fā)光層之間包括空穴傳輸層，陰極和有機發(fā)光層之間包括電子傳輸層；所以多層結(jié)構(gòu)比起單層結(jié)構(gòu)的話，具有陽子效率高，低電壓驅(qū)動，發(fā)光效率高等優(yōu)點。

絕緣膜的作用：抑制在陰極的邊緣上，根據(jù)局部的電場增加現(xiàn)象而發(fā)生的器件的退化現(xiàn)象，并防止陽極和陰極直接接觸而導致的短路現(xiàn)象。

圖1是一般的有機電致發(fā)光器件的構(gòu)成圖。有機電致發(fā)光器件，由基板a(10)上面的顯示區(qū)域(D)和分離區(qū)域(s)組成。此時，顯示區(qū)域(D)從下往上的構(gòu)成是：基板a(10)，陽極(30)，有機發(fā)光層(32)，陰極(34)；分離區(qū)域(S)的從下往上的構(gòu)成是：所定的基板(10)，絕緣膜(36)和陰極隔離柱(38)。

所述的絕緣膜c(36)和陰極隔離柱(38)采用透明的光刻膠，但是存在從外部射入的光通過絕緣膜c(36)，重新從陰極(34)和陰極隔離柱(38)上反射，從而對比度下降，并且因為對比度下降，需要增加一個黑矩陣，使得工序變得復雜等問題。

往常為了在基板(10)的分離區(qū)域(S)上形成絕緣膜c(36)和陰極隔離柱(38)，而采用透明的光刻膠，實施光刻工序。

圖2a和圖2b是傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件的絕緣膜圖形的制作工序。首先，如圖2a所示，在所定的基板a(10)上面涂布透明的光刻膠，形成絕緣膜a(12)；然后，如圖2b所示，采用光刻工序，對所述的絕緣膜a(12)進行光刻，得到絕緣膜圖形a(14)。但是這樣的方法存在的問題：僅是適用于可以采用光刻工序進行光刻的物質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：為了解決以往存在的問題，在基板的區(qū)域上形成DLC材質(zhì) 的絕緣膜圖形，置于有機電致發(fā)光器件的分離區(qū)域。提供可以同時做傳統(tǒng)的絕緣膜形狀和黑矩陣或傳統(tǒng)的陰極隔離柱和黑矩陣的作用的有機電致發(fā)光器件。

本發(fā)明的技術(shù)方案是，一種采用DLC的有機電致發(fā)光器件，包括基板和絕緣膜；所述設(shè)有間隔的設(shè)有絕緣膜；所述絕緣膜采用DLC來形成；所述絕緣膜置于有機發(fā)光器件的分離區(qū)域。

本發(fā)明的有益效果：在基板的區(qū)域上形成DLC材質(zhì)的絕緣膜圖形，采用黑色的DLC絕緣物質(zhì)置于有機電致發(fā)光器件的分離區(qū)域，得到絕緣膜圖形。這樣的話，可以同時做傳統(tǒng)的絕緣膜形狀和黑矩陣或傳統(tǒng)的陰極隔離柱和黑矩陣的作用。

附圖說明

圖1為一般的有機電致發(fā)光器件的構(gòu)成圖。；

圖2中圖2a和圖2b是傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件的絕緣膜圖形的制造工藝圖；

圖3中圖3a至圖3d是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的絕緣膜圖形的制造工藝圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體的實施例對本發(fā)明作進一步的闡述。

基板的區(qū)域上形成的絕緣膜圖形由黑色的DLC絕緣物質(zhì)構(gòu)成，置于有機電致發(fā)光器件的分離區(qū)域。

基板上面涂布光刻膠的步驟。

采用光刻工序，在所述的基板的所定區(qū)域上，形成光刻膠圖形的步驟。

在所述的光刻膠圖形的正面做絕緣膜的步驟。

把所述的絕緣膜平坦化，曝光光刻膠圖形的步驟。

剝離所述的光刻膠圖形，在基板的分離區(qū)域得到絕緣膜圖形。

包含所述過程的本發(fā)明中，基板上的絕緣膜圖形是置于所述的分離區(qū)域，由無法用光刻工序進行光刻的物質(zhì)構(gòu)成，特別是以黑色的DLC絕緣物質(zhì)為特征。

參考附圖，詳細說明絕緣膜的圖形形成方法。

圖3a～圖3d是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的絕緣膜圖形制造工序。如圖3d所示，在基板b 20上面，采用黑色的DLC絕緣物質(zhì)，形成絕緣膜圖形b 24，然后置于有機電致發(fā)光器件的分離區(qū)域。

所述的DLC是非結(jié)晶質(zhì)高品質(zhì)碳的一種，具有與金剛石(diamond)相似的高硬度，耐磨性，潤滑性，電絕緣性，化學穩(wěn)定性，光學特性等特征的材料。如圖1所示，把他作為絕緣膜圖形24使用的話，不僅可以做傳統(tǒng)的絕緣膜圖形a 14的功能，還可以起到黑矩陣的作用。

黑矩陣的作用：提高有機電致發(fā)光器件的對比度。此時，對比度是下列的(a)公式，反射光是下列的(b)公式，本發(fā)明采用黑色的DLC，可以減少表面擴散反射率，提高對比度。

第二，觀察本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的絕緣膜圖形形成方法。

首先，在所定的基板b 20上面涂布光刻膠，形成如圖3a所示的光刻膠膜26；然后，采用光刻工序，對所述的光刻膠膜26進行光刻，得到光刻膠圖形28。此時的光刻膠圖形28與要求的圖3d的絕緣膜圖形24的negative形態(tài)是一樣的。

然后，在所述的已經(jīng)形成光刻膠圖形28的所定的基板20的前面，涂布如圖3d所示的物質(zhì)，得到絕緣膜b 22。為了形成絕緣膜圖形b 24而涂布的物質(zhì)是采用無法用光刻工序進行光刻的物質(zhì)，特別是采用本發(fā)明所述的DLC。(參考圖3c)。

最后，采用通常的方法來平坦化所述的絕緣膜b 22。如圖3d所述，曝光所述的光刻膠圖形28后，然后采用干式蝕刻或濕式蝕刻的方法，清除掉所述的經(jīng)過曝光的光刻膠圖形28，然后在基板b 20的分離區(qū)域上得到絕緣膜圖形b 24。(參考圖3d)。

本發(fā)明采用黑色的DLC絕緣物質(zhì)置于有機電致發(fā)光器件的分離區(qū)域，得到絕緣膜圖形。這樣的話，可以同時做傳統(tǒng)的絕緣膜形狀和黑矩陣或傳統(tǒng)的陰極隔離柱和黑矩陣的作用。并且采用Lift-off工序，利用光刻工序中無法光刻的物質(zhì)，在基板的分離區(qū)域上形成絕緣膜圖形。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。