1.一種實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件隔離的方法，包括以下步驟：
1)形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)：
1-a)在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)材料作為有源區(qū)的硬掩膜層；
1-b)通過光刻在硬掩膜層上定義出有源區(qū)的窗口；
1-c)通過刻蝕工藝將光刻定義的圖形轉(zhuǎn)移到硬掩膜層；
1-d)將硬掩膜層作為掩蔽層，通過刻蝕襯底材料形成器件有源區(qū)；
2)形成半導(dǎo)體器件的隔離區(qū)：
2-a)通過熱氧化工藝生長第一種介質(zhì)材料，相鄰有源區(qū)之間的高深寬比間隙將由于第一種介質(zhì)材料的生長而被填充，形成窄STI隔離區(qū)；
2-b)淀積第二種介質(zhì)材料，低深寬比間隙和大面積的無源區(qū)域?qū)⒈坏诙N介質(zhì)材料填充，形成寬STI隔離區(qū)；
2-c)平坦化第二種介質(zhì)材料，反應(yīng)停止在硬掩膜層，半導(dǎo)體器件的STI隔離區(qū)形成；
2-d)去除硬掩膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底材料是硅、鍺、鍺硅半導(dǎo)體材料等其他能形成絕緣氧化物的半導(dǎo)體材料。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀積為ALD、LPCVD、PECVD、ICPECVD或?yàn)R射。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層采用二氧化硅或氮氧化硅材料等具有良好掩蔽特性同時(shí)可以作為平坦化自停止層的介質(zhì)材料。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻為電子束光刻、193nm浸沒式光刻或其他先進(jìn)光學(xué)光刻。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕工藝是RIE或ICP等具有較好的刻蝕各向異性的刻蝕技術(shù)。