1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含：
一基板，具有一第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；
一外延層，設(shè)置于所述基板上，并具有所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；
一主動區(qū)，為所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工作區(qū)域；以及
一邊緣保護(hù)區(qū)，用以保護(hù)所述主動區(qū)，且所述邊緣保護(hù)區(qū)包含：
一第一接面終極延伸JTE區(qū)，設(shè)置于所述外延層中，所述第一JTE區(qū)為一第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；
一第二JTE區(qū)，設(shè)置于所述外延層中并接觸于所述第一JTE區(qū)，所述第二JTE區(qū)為所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；以及
至少一第一反向摻雜區(qū)，為所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料且設(shè)置于所述第二JTE區(qū)內(nèi)；
其中，所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料與所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的傳導(dǎo)類型相異。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一反向摻雜區(qū)中所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的濃度是依據(jù)所述第一反向摻雜區(qū)的寬度或濃度調(diào)整。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一反向摻雜區(qū)中的所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料濃度沿一方向呈線性或非線性遞增。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述方向是遠(yuǎn)離所述第一JTE區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一反向摻雜區(qū)部分區(qū)域設(shè)置于所述第二JTE區(qū)之外。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主動區(qū)包含：
一摻雜區(qū)，設(shè)置于所述外延層中并接觸所述第一JTE區(qū)，并具有所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；以及
一第一電極，所述基板設(shè)置于所述第一電極上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)更包含：
一第二電極，設(shè)置于部分所述摻雜區(qū)上；以及
一介電層，接觸所述第二電極并設(shè)置于部分所述摻雜區(qū)、所述第一JTE區(qū)、所述 第二JTE區(qū)以及所述外延層上；以及
至少一第三JTE區(qū)，設(shè)置于所述外延層中，具有所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，且所述第三JTE區(qū)與所述第二JTE區(qū)相鄰。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述第一傳導(dǎo)類型材料為一N型傳導(dǎo)類型材料時，第二傳導(dǎo)類型材料為一P型傳導(dǎo)類型材料；以及，當(dāng)所述第一傳導(dǎo)類型材料為一P型傳導(dǎo)類型材料時，第二傳導(dǎo)類型材料為一N型傳導(dǎo)類型材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一反向摻雜區(qū)的濃度介于1×1011/cm2～1×1014/cm2，所述第一反向摻雜區(qū)于所述第二JTE區(qū)的深度為0.1um～3um。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)更包含：
兩個第三JTE區(qū)，鄰近的所述第三JTE區(qū)具有一分隔區(qū)域；
其中，鄰近的所述第三JTE區(qū)是不連續(xù)的區(qū)域。
11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含：
一基板，具有一第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；
一外延層，設(shè)置于所述基板上，并具有所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；
一主動區(qū)，為所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工作的區(qū)域；以及
一邊緣保護(hù)區(qū)，用以保護(hù)所述主動區(qū)，且所述邊緣保護(hù)區(qū)包含：
一接面終極延伸JTE區(qū)，設(shè)置于所述外延層中，所述JTE區(qū)為一第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；以及
至少一反向摻雜區(qū)，為所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料且設(shè)置于JTE區(qū)內(nèi)；所述反向摻雜區(qū)于所述JTE區(qū)具有一預(yù)設(shè)深度，且部分所述反向摻雜區(qū)超出所述JTE區(qū)的邊緣并接觸所述外延層；
其中，所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料與所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的傳導(dǎo)類型相異；所述反向摻雜區(qū)中所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料濃度沿一方向遞增。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述反向摻雜區(qū)的濃度介于1×1011/cm2～1×1014/cm2，所述第一反向摻雜區(qū)于所述JTE區(qū)的預(yù)設(shè)深度為0.1um～3um。