本發(fā)明有關(guān)于一種可攜式發(fā)光裝置及其發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置及其發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(LED)在各種電子產(chǎn)品與工業(yè)上的應(yīng)用日益普及，發(fā)光二極管所需的能源成本遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的白熱燈或螢光燈，這是傳統(tǒng)光源所無(wú)法能及的。發(fā)光二極管為一固態(tài)冷光源，通常會(huì)以芯片的型式存在，發(fā)光二極管芯片經(jīng)過(guò)封裝之后的尺寸仍然非常輕巧，因此在電子產(chǎn)品體積日益輕薄短小的趨勢(shì)下，發(fā)光二極管的需求也與日俱增。然而，傳統(tǒng)使用發(fā)光二極管芯片的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)都需要通過(guò)預(yù)先儲(chǔ)存的內(nèi)建電源或外接電源，才能夠得到所需要的趨動(dòng)電力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置及其發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明其中一實(shí)施例所提供的一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一基板單元、一發(fā)光單元、及一升壓芯片。所述基板單元包括一承載基板、一與所述承載基板彼此分離一預(yù)定距離的正極導(dǎo)電引腳、及一與所述承載基板彼此分離一預(yù)定距離的負(fù)極導(dǎo)電引腳，其中所述正極導(dǎo)電引腳由一金屬氧化還原電位屬于正電位的第一預(yù)定材料所制成，所述負(fù)極導(dǎo)電引腳由一金屬氧化還原電位屬于負(fù)電位的第二預(yù)定材料所制成；所述發(fā)光單元設(shè)置在所述承載基板上；所述升壓芯片設(shè)置在所述承載基板上且鄰近所述發(fā)光單元，其中所述發(fā)光單元與所述升壓芯片并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)置。

于一實(shí)施例中，所述第一預(yù)定材料為鋁(Al)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、及鎳(Ni) 四者其中之一，所述第二預(yù)定材料為鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、及鉑(Pt)四者其中之一，其中所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳同時(shí)接觸到一預(yù)定液體以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定初始電壓的電力，所述電力的所述預(yù)定初始電壓通過(guò)所述升壓芯片的整流后以調(diào)升至一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓，所述發(fā)光單元通過(guò)所述預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

于一實(shí)施例中，所述發(fā)光單元包括一發(fā)光二極管芯片。

于一實(shí)施例中，所述升壓芯片通過(guò)兩個(gè)第一導(dǎo)電線以電性連接于所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳，所述發(fā)光二極管芯片通過(guò)兩個(gè)第二導(dǎo)電線以電性連接于所述升壓芯片。

于一實(shí)施例中，還包括：一不透光絕緣框架及一透光封裝膠體，其中所述不透光絕緣框架包括一用于包覆所述承載基板的一部分、所述正極導(dǎo)電引腳的一部分、及所述負(fù)極導(dǎo)電引腳的一部分的包覆部及一設(shè)置在所述包覆部上且環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片及所述升壓芯片的環(huán)形反光部，且所述透光封裝膠體被填充在一被所述環(huán)形反光部所圍繞的容置腔室內(nèi)。

本發(fā)明另外一實(shí)施例所提供的一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括：一基板單元及一發(fā)光二極管芯片。所述基板單元包括一承載基板、一正極導(dǎo)電引腳、及一負(fù)極導(dǎo)電引腳，其中所述正極導(dǎo)電引腳由一金屬氧化還原電位屬于正電位的第一預(yù)定材料所制成，所述負(fù)極導(dǎo)電引腳由一金屬氧化還原電位屬于負(fù)電位的第二預(yù)定材料所制成；所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述承載基板上且電性連接于所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳。

于一實(shí)施例中，所述第一預(yù)定材料為鋁(Al)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、及鎳(Ni)四者其中之一，所述第二預(yù)定材料為鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、及鉑(Pt)四者其中之一，其中所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳同時(shí)接觸到一預(yù)定液體以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的電力，所述發(fā)光二極管芯片通過(guò)所述預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

于一實(shí)施例中，還包括：一不透光絕緣框架及一透光封裝膠體，其中所述不透光絕緣框架包括一用于包覆所述承載基板的一部分、所述正極導(dǎo) 電引腳的一部分、及所述負(fù)極導(dǎo)電引腳的一部分的包覆部及一設(shè)置在所述包覆部上且環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片的環(huán)形反光部，且所述透光封裝膠體被填充在一被所述環(huán)形反光部所圍繞的容置腔室內(nèi)。

本發(fā)明另外再一實(shí)施例所提供的一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置，其包括：一保護(hù)殼體、一預(yù)定液體、及一發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。所述保護(hù)殼體具有一第一容置空間、一第二容置空間、及一設(shè)置在所述第一容置空間及所述第二容置空間之間的隔離件；所述預(yù)定液體容置于所述第一容置空間內(nèi)；所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)容置于所述第二容置空間內(nèi)，其中所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括：一基板單元及一發(fā)光單元。所述基板單元包括一承載基板、一與所述承載基板彼此分離一預(yù)定距離的正極導(dǎo)電引腳、及一與所述承載基板彼此分離一預(yù)定距離的負(fù)極導(dǎo)電引腳，其中所述正極導(dǎo)電引腳由一金屬氧化還原電位屬于正電位的第一預(yù)定材料所制成，所述負(fù)極導(dǎo)電引腳由一金屬氧化還原電位屬于負(fù)電位的第二預(yù)定材料所制成；所述發(fā)光單元設(shè)置在所述承載基板上。

于一實(shí)施例中，還包括：一升壓芯片、一不透光絕緣框架、及一透光封裝膠體；

其中所述升壓芯片設(shè)置在所述承載基板上且鄰近所述發(fā)光單元，其中所述發(fā)光單元與所述升壓芯片以并聯(lián)或串聯(lián)的方式電性連接于所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳；

其中所述不透光絕緣框架包括一用于包覆所述承載基板的一部分、所述正極導(dǎo)電引腳的一部分、及所述負(fù)極導(dǎo)電引腳的一部分的包覆部及一設(shè)置在所述包覆部上且環(huán)繞所述發(fā)光單元及所述升壓芯片的環(huán)形反光部；

所述透光封裝膠體被填充在一被所述環(huán)形反光部所圍繞的容置腔室內(nèi)，以包覆所述發(fā)光單元及所述升壓芯片；

當(dāng)所述隔離件被移動(dòng)時(shí)，所述第一容置空間及所述第二容置空間會(huì)彼此相連通，以使所述預(yù)定液體從所述第一容置空間流到所述第二容置空間，其中所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳同時(shí)接觸到所述預(yù)定液體以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定初始電壓的電力，所述電力的所述預(yù)定初始電壓通過(guò)所述升壓芯片的整流后以調(diào)升至一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓，所述發(fā)光單元通過(guò)所述預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實(shí)施例所提供的無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置及其發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其可通過(guò)“所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳同時(shí)接觸到所述預(yù)定液體以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定初始電壓的電力，所述電力的所述預(yù)定初始電壓通過(guò)所述升壓芯片的整流后以調(diào)升至一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓”或“所述正極導(dǎo)電引腳與所述負(fù)極導(dǎo)電引腳同時(shí)接觸到一預(yù)定液體以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的電力”的設(shè)計(jì)，以使得至少一所述發(fā)光二極管芯片能通過(guò)所述預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所附附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖2為本發(fā)明無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的上視示意圖。

圖3為圖2的A-A割面線的剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于浮標(biāo)的示意圖。

圖5為本發(fā)明無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于救生衣的示意圖。

圖6為本發(fā)明無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置的隔離件被拉動(dòng)前的示意圖。

圖7為本發(fā)明無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置的隔離件被拉動(dòng)后的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：

可攜式發(fā)光裝置 D

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) Z

保護(hù)殼體 P

第一容置空間 P11

第二容置空間 P12

隔離件 P13

基板單元 1

承載基板 10

正極導(dǎo)電引腳 11

負(fù)極導(dǎo)電引腳 12

發(fā)光單元 2

發(fā)光二極管芯片 20

升壓芯片 3

不透光絕緣框架 4

包覆部 41

環(huán)形反光部 42

容置腔室 R

透光封裝膠體 5

預(yù)定液體 L

第一導(dǎo)電線 W1

第二導(dǎo)電線 W2

浮標(biāo) B1

救生衣 B2

具體實(shí)施方式

以下是通過(guò)特定的具體實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明所公開(kāi)有關(guān)“無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置及其發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)”的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明可通過(guò)其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。另外，本發(fā)明的附圖僅為簡(jiǎn)單示意說(shuō)明，并非依實(shí)際尺寸的描繪，先予敘明。以下的實(shí)施方式將進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，但所揭示的內(nèi)容 并非用以限制本發(fā)明的技術(shù)范疇。

請(qǐng)參閱圖1至圖3所示，本發(fā)明提供一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源(例如任何預(yù)先儲(chǔ)存的內(nèi)建電源或外接電源)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z，其包括：一基板單元1、一發(fā)光單元2、一升壓芯片3、一不透光絕緣框架4、及一透光封裝膠體5。

首先，配合圖1及圖2所示，基板單元1包括一承載基板10、一與承載基板10彼此分離一預(yù)定距離的正極導(dǎo)電引腳11、及一與承載基板10彼此分離一預(yù)定距離的負(fù)極導(dǎo)電引腳12，其中正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間具有一最佳化的最小間距范圍(約0.1毫米)，以使得正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12在這最小間距范圍內(nèi)所進(jìn)行的氧化還原反應(yīng)的效果最佳。

更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，正極導(dǎo)電引腳11可由一金屬氧化還原電位屬于正電位的第一預(yù)定材料所制成，并且負(fù)極導(dǎo)電引腳12可由一金屬氧化還原電位屬于負(fù)電位的第二預(yù)定材料所制成。舉例來(lái)說(shuō)，依據(jù)不同的設(shè)計(jì)需求，金屬氧化還原電位屬于正電位的第一預(yù)定材料可為鋁(Al)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、及鎳(Ni)四者其中之一，金屬氧化還原電位屬于負(fù)電位的第二預(yù)定材料可為鉛(Pb)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、及鉑(Pt)四者其中之一，然而本發(fā)明不以上述所舉的例子為限。

承上，在另外一種可行的實(shí)施例中，負(fù)極導(dǎo)電引腳12也可以一體成型的方式連接于承載基板10，而只讓正極導(dǎo)電引腳11與承載基板10彼此分離一預(yù)定距離。當(dāng)然，相反的，正極導(dǎo)電引腳11也可以一體成型的方式連接于承載基板10，而只讓負(fù)極導(dǎo)電引腳12與承載基板10彼此分離一預(yù)定距離。因此，關(guān)于基板單元1的設(shè)計(jì)，可以依據(jù)不同的使用需求來(lái)進(jìn)行變更，所以本發(fā)明不以上述所舉的例子為限。

再者，配合圖1至圖3所示，發(fā)光單元2包括至少一發(fā)光二極管芯片20或多個(gè)發(fā)光二極管芯片20(以下都以至少一發(fā)光二極管芯片20為例子來(lái)作說(shuō)明)。另外，發(fā)光二極管芯片20直接被設(shè)置在承載基板10上，升壓芯片3也是直接被設(shè)置在承載基板10上且鄰近發(fā)光二極管芯片20，并且發(fā)光二極管芯片20與升壓芯片3會(huì)以并聯(lián)或串聯(lián)的方式電性連接于正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間。

舉例來(lái)說(shuō)，配合圖2及圖3所示，發(fā)光二極管芯片20可通過(guò)兩個(gè)第一導(dǎo)電線W1的打線(wire-bonding)方式，以電性連接于正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間，并且升壓芯片3會(huì)通過(guò)兩個(gè)第二導(dǎo)電線W2，以電性連接于發(fā)光二極管芯片20。再者，另外一可行的實(shí)施例是，將發(fā)光二極管芯片20及升壓芯片3的位置對(duì)調(diào)，如此的話，升壓芯片3可通過(guò)兩個(gè)第一導(dǎo)電線W1，以電性連接于正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間，并且發(fā)光二極管芯片20可通過(guò)兩個(gè)第二導(dǎo)電線W2，以電性連接于升壓芯片3。發(fā)光二極管芯片20亦可不需通過(guò)兩個(gè)第一導(dǎo)電線W1，而是改成通過(guò)錫球的覆晶(flip-chip)方式，以電性連接于正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間。因此，不管是使用上述何種方式，只要能夠使得發(fā)光二極管芯片20與升壓芯片3以并聯(lián)的方式電性連接于正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間，都在本發(fā)明所保護(hù)的范疇內(nèi)。

此外，配合圖1至圖3所示，不透光絕緣框架4包括一包覆部41及一環(huán)形反光部42。承載基板10的一部分、正極導(dǎo)電引腳11的一部分、及負(fù)極導(dǎo)電引腳12的一部分都被包覆部41所包覆，藉此以固定承載基板10、正極導(dǎo)電引腳11、及負(fù)極導(dǎo)電引腳12之間的距離，并且承載基板10的其余部分、正極導(dǎo)電引腳11的其余部分、及負(fù)極導(dǎo)電引腳12的其余部分則都會(huì)裸露在包覆部41的外部。另外，環(huán)形反光部42設(shè)置在包覆部41上且環(huán)繞發(fā)光二極管芯片20及升壓芯片3，并且透光封裝膠體5被填充在一被環(huán)形反光部42所圍繞的容置腔室R(如圖3所示)內(nèi)，藉以包覆發(fā)光二極管芯片20及升壓芯片3。舉例來(lái)說(shuō)，不透光絕緣框架4及透光封裝膠體5可以使用硅膠或環(huán)氧樹(shù)脂。

藉此，當(dāng)正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12同時(shí)接觸到一預(yù)定液體L(例如一般的水或含有電解質(zhì)的水)以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)時(shí)，本發(fā)明即可產(chǎn)生一具有一預(yù)定初始電壓的電力。另外，電力的預(yù)定初始電壓會(huì)通過(guò)升壓芯片3的整流后以調(diào)升至一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓，所以發(fā)光二極管芯片20將可通過(guò)預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以采用鋁(Al)來(lái)作為金屬氧化還原電位屬于正電位的第一預(yù)定材料，采用銅(Cu)來(lái)作為金屬氧化還原電位屬于負(fù)電位的第二預(yù)定材料，并且采用可產(chǎn)生紅色光源的發(fā)光二極管芯片20來(lái)作為發(fā)光 單元2。當(dāng)正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12同時(shí)接觸到一預(yù)定液體L以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)時(shí)，即可產(chǎn)生具有大約0.6V的電力。然后，具有大約0.6V的電力會(huì)通過(guò)升壓芯片3以調(diào)升至大約1.8V的驅(qū)動(dòng)電壓，所以發(fā)光二極管芯片20將可通過(guò)大約1.8V的驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一紅色的指示光源。然而，本發(fā)明不以上述所舉的例子為限。

值得一提的是，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z可以依據(jù)不同的需求以應(yīng)用在不同的物體上。舉例來(lái)說(shuō)，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z可以應(yīng)用在浮標(biāo)B1上(如圖4所示)，或是救生衣上(如圖5所示)。

請(qǐng)參閱圖2、圖6及圖7所示，本發(fā)明還提供一種無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置D，其包括：一保護(hù)殼體P、一預(yù)定液體L、及一發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z。保護(hù)殼體P具有一第一容置空間P11、一第二容置空間P12、及一設(shè)置在第一容置空間P11及第二容置空間P12之間的隔離件P13。預(yù)定液體L容置于第一容置空間P11內(nèi)。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z容置于第二容置空間P12內(nèi)，并且發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z包括：一基板單元1、一發(fā)光單元2、一升壓芯片3、一不透光絕緣框架4、及一透光封裝膠體5。

藉此，當(dāng)隔離件P13被移動(dòng)時(shí)(例如，如圖6所示，隔離件P13被往外拉動(dòng))，第一容置空間P11及第二容置空間P12會(huì)彼此相連通，以使預(yù)定液體L從第一容置空間P11流到第二容置空間P12。當(dāng)正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12同時(shí)接觸到一預(yù)定液體L(例如一般的水或含有電解質(zhì)的水，如海水或雨水)以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)時(shí)，本發(fā)明即可產(chǎn)生一具有一預(yù)定初始電壓的電力。另外，電力的預(yù)定初始電壓會(huì)通過(guò)升壓芯片3的整流后以調(diào)升至一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓，所以發(fā)光二極管芯片20將可通過(guò)預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

綜上所述，本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明實(shí)施例所提供的無(wú)需使用預(yù)儲(chǔ)電源的可攜式發(fā)光裝置D及其發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Z，其可通過(guò)“正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12同時(shí)接觸到預(yù)定液體L以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定初始電壓的電力，且電力的預(yù)定初始電壓通過(guò)升壓芯片3的整流后以調(diào)升至一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓”或“正極導(dǎo)電引腳11與負(fù)極導(dǎo)電引腳12同時(shí)接觸到一預(yù)定液體L以進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，藉 此以產(chǎn)生一具有一預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的電力”的設(shè)計(jì)，以使得發(fā)光二極管芯片20能通過(guò)預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)以提供一指示光源。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。