本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED像素單元的制備方法及OLED顯示面板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的OLED(Organic Light-Emitting Diode有機電激光顯示)裝置，如圖1所示，現(xiàn)有的一種OLED裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，于一玻璃基板上依次設(shè)置陽極5’、空穴注入和傳輸層4’、有機發(fā)光層3’，電子傳輸和注入層2’、陰極1’，形成一平行反射結(jié)構(gòu)，OLED裝置在使用過程中，在陽極5’和陰極1’之間施加一個電壓，電流從陰極1’流向陽極5’，并經(jīng)過有機發(fā)光層3’(電流指電子的流動)，陰極1’向有機發(fā)光層3’輸出電子，陽極5’吸收從有機發(fā)光層3’傳來的電子(這可以視為陽極5’向傳導(dǎo)層輸出空穴，兩者效果相等)，在有機發(fā)光層3’和空穴傳輸層的交界處，電子會與空穴結(jié)合，電子遇到空穴時，會填充空穴(電子會落入缺失電子的原子中的某個能級)。這一過程發(fā)生時，電子會以光子的形式釋放能量。進而使得OLED裝置發(fā)光。依據(jù)配方不同，調(diào)節(jié)有機發(fā)光層3’的有機物分子的類型，可以產(chǎn)生紅、綠、藍三原色，構(gòu)成基本色彩，其光的亮度或強度則與電流成正比(電流越大，光的亮度或強度就越高)，但是現(xiàn)有 的OLED裝置，由于OLED裝置發(fā)光為特殊的平行反射結(jié)構(gòu)，大部分發(fā)出的光在界面(OLED裝置內(nèi)部層與層之間的連接處稱為界面)處形成全反射，大約只有20％的光能從OLED裝置中透射出來進入空氣中而被利用，其光提取效率較低，而未被提取的光則以熱能的形式損耗，影響OLED裝置的使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明提供一種OLED像素單元的制備方法及OLED顯示面板，用于OLED像素單元上設(shè)置一光提取層，于光提取層上端繼續(xù)設(shè)置一光提取共通層，提高光取出效果。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：

提供一基板；

于所述基板上制備一陽極層；

于所述陽極層上制備一有機發(fā)光層；

于所述有機發(fā)光層上制備一陰極層；以及

于所述陰極層之上制備一用以提取所述有機發(fā)光層發(fā)射光線波長的光提取層；其中，

所述陰極層的折射率低于所述光提取層的折射率。

優(yōu)選地，上述的OLED像素單元的制備方法，其中所述光提取層包括一層或多層光提取薄膜。

優(yōu)選地，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，采用蒸鍍工藝或濕法工藝制備所述光提取薄膜。

優(yōu)選地，OLED像素單元的制備方法，其中，所述光提取層包括疊置的多層光提取薄膜，且沿所述有機發(fā)光層發(fā)射光線延伸的方向所述疊置的多層光提取薄膜的折射率逐層增大。

優(yōu)選地，OLED像素單元的制備方法，其中，有機發(fā)光層包括紅色子像素單元、綠色子像素單元、藍色子像素單元，所述光提取層包括提取所述紅色子像素單元發(fā)射光線波長的紅色子像素單元提取層、提取所述綠色子像素單元發(fā)射光線波長的綠色子像素單元提取層、提取所述藍色子像素單元發(fā)射光線波長的藍色子像素單元提取層。

優(yōu)選地，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，還包括于所述光提取層之上制備一共通層，其中所述光提取層的折射率低于所述共通層的折射率。

優(yōu)選地，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，所述方法中，于所述基板上制備一陽極層的步驟包括，

于所述基板上制備一金屬陽極層；

于所述金屬陽極層之上制備一空穴注入層；

于所述空穴注入層之上制備一空穴傳輸層；以及

所述有機發(fā)光層位于所述空穴傳輸層之上。

優(yōu)選地，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，所述方法中，于所述有機發(fā)光層上制備一陰極層的步驟包括：

于所述有機發(fā)光層上制備一電子傳輸層；

于所述電子傳輸層上制備一金屬陰極層。

一種OLED顯示面板，其中，包括設(shè)置于基板上的復(fù)數(shù)個像素單元， 每個所述像素單元均包括，

金屬陽極層，設(shè)置于所述基板之上；

發(fā)光層，設(shè)置于所述金屬陽極層之上；

陰極層，設(shè)置于所述發(fā)光層之上；

光提取層，設(shè)置于所述陰極層之上；其中，

所述陰極層的折射率低于所述光提取層的折射率。

優(yōu)選地，上述的OLED顯示面板，其中，所述發(fā)光層具體包括：

空穴注入層，設(shè)置于所述金屬陽極層之上；

空穴傳輸層，設(shè)置于所述空穴注入層之上；

有機發(fā)光層，設(shè)置于所述空穴傳輸層之上；

電子傳輸層、設(shè)置于所述有機發(fā)光層之上。

優(yōu)選地，上述的OLED顯示面板，其中，于所述光提取層之上設(shè)置一共通層，其中所述陰極層的折射率低于所述光提取層的折射率。

優(yōu)選地，上述的OLED顯示面板，其中，所述有機發(fā)光層包括紅色子像素單元、綠色子像素單元、藍色子像素單元。

優(yōu)選地，上述的OLED顯示面板，其中，所述光提取層包括提取所述紅色子像素單元發(fā)射光線波長的紅色子像素單元提取層、提取所述綠色子像素單元發(fā)射光線波長的綠色子像素單元提取層、提取所述藍色子像素單元發(fā)射光線波長的藍色子像素單元提取層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點是：

(1)在陰極層之上制備一光提取層，且所述陰極層的折射率低于所述光提取層的折射率，因所述陰極層的折射率低于所述光提取層 的折射率，即于OLED像素單元內(nèi)部進行光提取操作，可以對OLED像素單元內(nèi)部被損耗的80％的光進行提取，避免了部分光線在傳輸過程中發(fā)生內(nèi)部全反射，大大提高了OLED像素單元的出光效率。同時大大減少了OLED像素單元內(nèi)部的光損耗，即大大減少了OLED像素單元內(nèi)部的熱損耗(OLED像素單元內(nèi)部的未被提取的光通常轉(zhuǎn)化為熱量予以消耗)，進一步提高了OLED像素單元的使用壽命。

(2)光提取層由多層光提取薄膜形成，采用蒸鍍工藝或濕法工藝制備形成上述光提取薄膜，有利于光提取層薄膜間的相互結(jié)合，同時具有一定的封裝效果。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的一種OLED顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的一種OLED像素單元的制備方法的工藝流程圖；

圖3為本發(fā)明的OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施 例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

本申請在OLED上層制作光提取層，在光提取層上端繼續(xù)設(shè)置一共通層，通過光提取層破壞OLED裝置內(nèi)部的界面全反射，提高光取出效率，另外通過光提取層和共通層調(diào)高光提高光輸出的純度。

如圖2所示，一種OLED像素單元的制備方法，其中，包括

提供一基板；

于所述基板上制備一陽極層；

于所述陽極層上制備一有機發(fā)光層；

于所述有機發(fā)光層上制備一陰極層；以及

于所述陰極層之上制備一用以提取所述有機發(fā)光層發(fā)射光線波長的光提取層；其中所述陰極層的折射率低于所述光提取層的折射率。進一步地，所述有機發(fā)光層包括紅色子像素單元、綠色子像素單元、藍色子像素單元，所述光提取層包括提取所述紅色子像素單元發(fā)射光線波長的紅色子像素單元提取層、提取所述綠色子像素單元發(fā)射光線波長的綠色子像素單元提取層、提取所述藍色子像素單元發(fā)射光線波長的藍色子像素單元提取層。

本發(fā)明的工作原理為：在陰極層之上制備一用以提取不同波長光線的提取層，且上述陰極層的折射率低于上述光提取層的折射率，因 上述陰極層的折射率低于上述光提取層的折射率，即對OLED像素單元內(nèi)部進行光提取操作，可以對OLED像素單元內(nèi)部被損耗的80％的光進行提取，避免了部分光線在傳輸過程中發(fā)生內(nèi)部全反射，大大提高了OLED像素單元的出光效率。同時大大減少了OLED像素單元內(nèi)部的光損耗，即大大減少了OLED像素單元的熱損耗(OLED像素單元內(nèi)部的未被提取的光通常轉(zhuǎn)化為熱量予以消耗)，進一步提高了OLED像素單元的使用壽命。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，所述光提取層包括一層或多層光提取薄膜。進一步地，所述光提取層包括疊置的多層光提取薄膜，且沿所述有機發(fā)光層發(fā)射光線延伸的方向所述疊置的多層光提取薄膜的折射率逐層增大，通過一層或多層的光提取薄膜，有利于進一步提高光提取效率。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，采用蒸鍍工藝或濕法工藝制備形成上述光提取薄膜，有利于光提取層薄膜間的相互結(jié)合，同時具有一定的封裝效果。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，還包括于上述光提取層之上制備一共通層，。其中，上述光提取層的折射率低于上述共通層的折射率。因上述光提取層的折射率低于上述共通層的折射率，進一步破壞了OLED像素單元內(nèi)部的全反射，進一步提高了OLED像素單元的出光效率。進一步地，光提取層可采用吸光材料形成(但不局限于吸光材料)，通過吸光材料對光進行集中，有益于提高出光的純度。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，所述方法于所述基板上制備一陽極層的步驟包括，

于所述基板上制備一金屬陽極層；

于所述金屬陽極層之上制備一空穴注入層；

于所述空穴注入層之上制備一空穴傳輸層；以及

所述有機發(fā)光層位于所述空穴傳輸層之上。

于陽極和陰極之間施加預(yù)定電壓情況下，陽極與陰極之間電壓差產(chǎn)生電流，金屬陽極層的電流驅(qū)動空穴注入層的空穴遷移，空穴遷移方向與電流流向一致，空穴進入空穴傳輸層后被傳輸至有機發(fā)光層，空穴在有機發(fā)光層與電子(陰極遷移出來的)進行復(fù)合，在復(fù)合過程產(chǎn)生光子，光子即光線。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED像素單元的制備方法，其中，所述方法中于所述有機發(fā)光層上制備一陰極層的步驟包括：

于所述有機發(fā)光層上制備一電子傳輸層；

于所述電子傳輸層上制備一金屬陰極層。

于陽極層和陰極層之間施加預(yù)定電壓情況下，陽極與陰極之間電壓差產(chǎn)生電流，金屬陰極層的電流驅(qū)動金屬陰極層內(nèi)的電子進入至電子傳輸層，電子進入電子傳輸層后被傳輸至有機發(fā)光層，電子在有機發(fā)光層與空穴進行復(fù)合，在復(fù)合過程產(chǎn)生光子，光子即光線。陰極層通常采用低功函數(shù)的材料形成，進而能夠有效地將金屬陰極層的電子注入至電子傳輸層。

如圖3所示，本發(fā)明同時提供一種OLED顯示面板，其中，包括設(shè) 置于基板上的復(fù)數(shù)個像素單元，每個所述像素單元均包括，

金屬陽極層6，設(shè)置于上述基板上；

發(fā)光層；設(shè)置于所述金屬陽極層6之上；

陰極層1，設(shè)置于所述發(fā)光層之上；以及

光提取層7，設(shè)置于所述陰極層1之上，且與所述有機發(fā)光層3發(fā)射光線波長匹配；其中

所述陰極層1的折射率低于所述光提取層7的折射率。

進一步地，發(fā)光層包括：

空穴注入層，設(shè)置于所述金屬陽極層6之上；

空穴傳輸層，設(shè)置于所述空穴注入層之上；

有機發(fā)光層3，設(shè)置于上述空穴傳輸層上，進一步地，所述有機發(fā)光層包括紅色子像素單元、綠色子像素單元、藍色子像素單元。

電子傳輸層2、設(shè)置于所述有機發(fā)光層3之上。

在陰極層1之上設(shè)置一光提取層7，且上述陰極層1的折射率低于上述光提取層7的折射率，因上述陰極層1的折射率低于上述光提取層7的折射率，即于像素單元內(nèi)部進行光提取操作，可以對像素單元內(nèi)部被損耗的80％的光進行提取，避免了部分光線在傳輸過程中發(fā)生內(nèi)部全反射，大大提高了單個像素單元的出光效率。同時大大減少了像素單元內(nèi)部的光損耗，即減少了像素單元內(nèi)部的熱損耗(像素單元內(nèi)部的未被提取的光通常轉(zhuǎn)化為熱量予以消耗)，進一步提高了像素單元的使用壽命。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED顯示面板，其中，于上 述光提取層7之上設(shè)置一共通層8。其中，上述光提取層7的折射率低于上述共通層8的折射率。因上述光提取層7的折射率低于上述共通層8的折射率，進一步破壞了OLED像素單元內(nèi)部的全反射，進一步提高了OLED像素單元的出光效率。進一步地，提取層7和共通層8采用吸光材料形成，通過吸光材料對不需要的光進行吸收，有益于提高出光的純度。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED顯示面板，其中，還包括于上述金屬陽極層6之上設(shè)置一空穴注入層5；于上述空穴注入層5之上設(shè)置一空穴傳輸層4。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED顯示面板，其中，還包括于上述有機發(fā)光層3之上設(shè)置一陰極層3。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的OLED顯示面板，其中，進一步地，所述光提取層包括與所述有機發(fā)光層(紅色子像素單元、綠色子像素單元、藍色子像素單元)匹配的藍色子像素單元提取層71、綠色子像素單元提取層72、紅色子像素單元光線提取層73。因不同子像素的光波長不同，其每個子像素所對應(yīng)的折射率也不相同，所以每個子像素設(shè)置一單獨匹配的子像素光提取層(藍色子像素單元提取層71、綠色子像素單元提取層72、紅色子像素單元光線提取層73)，用以進一步提供光提取的效率及光提取質(zhì)量。

以上所述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的實施方式及保護范圍，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識到凡運用本發(fā) 明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。