本發(fā)明涉及有關(guān)于發(fā)光元件，特別是有關(guān)于發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(light-emitting diodes,LEDs)屬半導(dǎo)體元件的一種，由于發(fā)光二極管具有輕薄短小、自發(fā)光、反應(yīng)時間短、壽命長及耗電量低等優(yōu)點，帶動了LED的蓬勃發(fā)展。

一般而言，LED晶片可分為兩種基本結(jié)構(gòu)，橫向結(jié)構(gòu)(lateral)和垂直結(jié)構(gòu)(vertical)。在橫向結(jié)構(gòu)中，LED晶片的兩個電極位于LED晶片的同一側(cè)，而在垂直結(jié)構(gòu)中，LED晶片的兩個電極分別在LED晶片的兩側(cè)。相較于橫向結(jié)構(gòu)LED晶片，垂直結(jié)構(gòu)LED晶片可以改善橫向結(jié)構(gòu)LED晶片的電流分布問題，具有較佳電流分布(current spreading)、熱冷卻(thermal cooling)和高發(fā)光效率等優(yōu)點，并可解決電極的遮光問題，提升LED的發(fā)光面積。因此垂直結(jié)構(gòu)LED晶片吸引了越來越多的研究人員的注意，并可望在未來成為主要的LED晶片結(jié)構(gòu)，特別是用于普通照明。

雖然現(xiàn)有的LED制造方法已大致足以實現(xiàn)LED晶片的預(yù)期目的，但它們并非在每個方面都令人完全滿意，現(xiàn)有的LED制造方法仍有許多改善的空間。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實施例提供一種發(fā)光元件，包括：一基板；一反射層，設(shè)置于該基板上；一圖案化接觸層，設(shè)置于該反射層上；一發(fā)光單元，設(shè)置于該圖案化接觸層上；一第一電極，設(shè)置于該發(fā)光單元的上表面；以及一第二電極，設(shè)置于該基板的下表面，其中該第一電極與該圖案化接觸層在該基板上的投影互補(bǔ)。

在上述發(fā)光元件中，部分該反射層穿過該圖案化接觸層連接該發(fā)光單 元，且該圖案化接觸層與該發(fā)光單元形成歐姆接觸，而該反射層與該發(fā)光單元不形成歐姆接觸。

于一實施例中，部分該反射層穿過該圖案化接觸層連接該發(fā)光單元。

于一實施例中，該圖案化接觸層與該發(fā)光單元形成歐姆接觸。

于一實施例中，該反射層與該發(fā)光單元不形成歐姆接觸。

于一實施例中，該發(fā)光單元包括依序疊置的一第一型半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、以及一第二型半導(dǎo)體層。

于一實施例中，該反射層為一連續(xù)膜層。

于一實施例中，該反射層的材質(zhì)為金屬。

于一實施例中，該反射層的材質(zhì)包括：銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)或鈀(Pd)。

于一實施例中，該圖案化接觸層的材質(zhì)包括：氧化銦(In2O3)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦鋅(IZO)、銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈀(Pd)或其組合。

于一實施例中，還包括：

一接合層，設(shè)置于該反射層與該基板之間。

于一實施例中，還包括：

一阻障層，設(shè)置于該接合層與該反射層之間。

本發(fā)明另一實施例提供一種發(fā)光元件，包括：一基板；一第一反射層，設(shè)置于該基板上；一圖案化第二反射層，設(shè)置于該第一反射層上；一發(fā)光單元，設(shè)置于該圖案化第二反射層上；一第一電極，設(shè)置于該發(fā)光單元的上表面；以及一第二電極，設(shè)置于該基板的下表面，其中該第一電極與該圖案化第二反射層在該基板上的投影互補(bǔ)。

于一實施例中，部分該第一反射層穿過該圖案化第二反射層連接該發(fā)光單元。

于一實施例中，該圖案化第二反射層與該發(fā)光單元形成歐姆接觸。

于一實施例中，該第一反射層與該發(fā)光單元不形成歐姆接觸。

于一實施例中，該發(fā)光單元包括依序疊置的一第一型半導(dǎo)體層、一發(fā) 光層、以及一第二型半導(dǎo)體層。

于一實施例中，該第一反射層為一連續(xù)膜層。

于一實施例中，該第一反射層的材質(zhì)為金屬。

于一實施例中，該第一反射層的材質(zhì)包括：銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)或鈀(Pd)。

于一實施例中，該圖案化第二反射層的材質(zhì)包括：銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈀(Pd)或其組合。

于一實施例中，還包括：

一接合層，設(shè)置于該第一反射層與該基板之間。

在上述發(fā)光元件中，部分該第一反射層穿過該圖案化第二反射層連接該發(fā)光單元，且該圖案化第二反射層與該發(fā)光單元形成歐姆接觸，而該第一反射層與該發(fā)光單元不形成歐姆接觸。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例示出發(fā)光元件制造中間階段的剖面示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一實施例所示出的發(fā)光元件的剖面示意圖；

圖3A-3B是根據(jù)本發(fā)明一實施例示出發(fā)光元件部分結(jié)構(gòu)于基板上的投影示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例所示出的發(fā)光元件的剖面示意圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

磊晶基板～110；

發(fā)光單元～120；

第一型半導(dǎo)體層～122；

發(fā)光層～124；

第二型半導(dǎo)體層～126；

圖案化接觸層～130；

反射層～140；

發(fā)光二極管～200；

基板～210；

接合層～212；

阻障層～214；

第一電極～250；

第二電極～260；

下表面～210A；

上表面～120A；

發(fā)光二極管～400；

第一反射層～420；以及

圖案化第二反射層～430。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點能更清楚易懂，下文特舉出較佳實施例并配合所附附圖，對本發(fā)明的應(yīng)用方式作詳細(xì)說明。本發(fā)明的實施例提供許多合適的發(fā)明概念而可廣泛地實施于各種特定背景。本說明書中所舉例討論的特定實施例僅用于說明制造與使用本發(fā)明的特定方式，而非用以局限本發(fā)明的范圍。

應(yīng)了解的是，本說明書以下的公開內(nèi)容提供許多不同的實施例或范例，以實施本發(fā)明的不同特征。而本說明書以下的公開內(nèi)容是敘述各個構(gòu)件及其排列方式的特定范例，以求簡化發(fā)明的說明。然而，這些特定的范例并非用以限定本發(fā)明。舉例而言，若本說明書以下的公開內(nèi)容述及將第一特征形成于第二特征的上或上方時，即表示其包含了第一特征與第二特征是直接接觸的實施例；然其亦包括具有額外的特征形成于第一特征與第二特征之間，而使第一特征與第二特征并未直接接觸的實施例。

再者，于描述中，相對性用語例如：”較低”、”較高”、”上方”、”下方”、”的上”、”的下”、”上”、”下”、”頂端”、”底端”及其衍生詞(例如：”向下”、”向上”等)，應(yīng)依據(jù)后續(xù)所描述或該討論所附附圖所顯示的位向建構(gòu)。這些相對用語是方便描述而非限制元件必須建構(gòu)或操作于一特定方向。

此外，根據(jù)常規(guī)的作法，附圖中各種特征并未依比例示出。相反地，為簡化或是方便標(biāo)示，各種特征的尺寸可能任意擴(kuò)張或縮小。再者，本說明書可能在不同范例中使用重復(fù)的參考符號及/或用字，這些重復(fù)符號或用字為了簡化與清晰的目的，并非用以限定各個實施例及/或所述外觀結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。

根據(jù)公知的LED結(jié)構(gòu)，LED晶片通常包括電流阻擋層，其相關(guān)技術(shù)可參照美國專利公開號US 20130221320 A1或中國大陸專利公開號CN 101075651 A。一般而言，在垂直結(jié)構(gòu)LED晶片底部中包括反射層以反射從發(fā)光層發(fā)出的光，且垂直結(jié)構(gòu)LED晶片包括電流阻擋層設(shè)置于上電極的下方或正下方，其可增加電流分布范圍以避免電流擁擠(current crowding)現(xiàn)象。

然而，電流阻擋層可能對反射層造成不良的影響(例如:減少反射層的反射面積或遮蔽反射層反射的光線等)，造成元件亮度減損。此外，一般而言，電流阻擋層包括絕緣材料，例如：介電材料。因此，電流阻擋層的形成涉及沉積介電材料和圖案化介電材料。但是，這些工藝不僅需要額外的制造工具而且還可能會導(dǎo)致器件性能降低，例如：由于不均勻的器件表面導(dǎo)致電流泄漏及/或操作電壓上升。

為克服上述問題，本發(fā)明一實施例提供LED中改良的接觸層及反射層結(jié)構(gòu)設(shè)計。在此設(shè)計中，接觸層與反射層進(jìn)行整合，且接觸層與上電極在基板上的投影為互補(bǔ)。通過接觸層、反射層與上電極的位置排列及接觸層、反射層與發(fā)光單元的電性連接關(guān)系，此改良的接觸層及反射層結(jié)構(gòu)設(shè)計可于LED中提供等同于電流阻擋層的功能，又不減損反射層的反射效果。

以下說明本案一實施例中具有改良的接觸層及反射層結(jié)構(gòu)設(shè)計的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)及其制造方法。圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例示出發(fā)光二極管200制造中間階段的剖面示意圖，而圖2是根據(jù)本發(fā)明一實施例示出發(fā)光二極管200的剖面示意圖。請參照圖2，發(fā)光二極管200包括：基板210、接合層212、阻障層214、反射層140、圖案化接觸層130、發(fā)光單元120、第一電極250及第二電極260，其中接合層212、阻障層214、反射層140、圖案化接觸層130及發(fā)光單元120依序?qū)盈B于基板210上，而第一電極 250及第二電極260分別設(shè)置于發(fā)光單元120的上表面120A及基板210的下表面210A。

請參照圖1，發(fā)光二極管200的制造方法是首先于先于磊晶基板110上形成發(fā)光單元120，其中發(fā)光單元120包括第二型半導(dǎo)體層126、發(fā)光層124及第一型半導(dǎo)體層122依序疊置于磊晶基板110上。

磊晶基板110可包括藍(lán)寶石基板(Al2O3,Sapphire)、硅基板、碳化硅(SiC)基板，且基板可以具有摻雜或非摻雜。此外，亦可使用具有不同面位向的基板，像是(111)、(100)、或(110)等面位向。

一般來說，第一型半導(dǎo)體層122以及第二型半導(dǎo)體層126分別為不同摻雜型態(tài)的半導(dǎo)體層，例如：p型半導(dǎo)體層及n型半導(dǎo)體層。舉例而言，發(fā)光單元120中的第一型半導(dǎo)體層122可由具有第一型態(tài)導(dǎo)電性質(zhì)摻雜物的III-V族化合物所構(gòu)成，例如：具有p-型導(dǎo)電性質(zhì)的氮化鎵(p-GaN)，第二型半導(dǎo)體層126可由具有第二型態(tài)導(dǎo)電性質(zhì)摻雜物的III-V族化合物所構(gòu)成，例如：具有n-型導(dǎo)電性質(zhì)的氮化鎵(n-GaN)。

于一實施例中，第一型半導(dǎo)體層122以及第二型半導(dǎo)體層126的形成方法可包括磊晶成長工藝，像是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)、氫化物氣相磊晶(HVPE)、及液相磊晶(LPE)或其他適宜的化學(xué)氣相沉積方法?？墒褂闷渌鸌II-V族化合物，例如：氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦鎵(InxGa(1-x)N)、氮化鋁鎵(AlxGa(1-x)N)、或氮化鋁銦鎵(AlxInyGa(1-x-y)N)等，其中0<x≤1、0<y≤1且0≤x+y≤1。

發(fā)光層124夾于第一型半導(dǎo)體層122以及第二型半導(dǎo)體層126所形成的PN接面中，以調(diào)整特性并提升性能。發(fā)光層124可包括：均質(zhì)接面、異質(zhì)接面、單一量子井(SQW)、或多重量子井(MQW)結(jié)構(gòu)。同樣地，該發(fā)光層124的形成方法可包括金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)、氫化物氣相磊晶(HVPE)、及液相磊晶(LPE)或其他適宜的化學(xué)氣相沉積方法。

然后，繼續(xù)參照圖1，依序于發(fā)光單元120的第一型半導(dǎo)體層122上形成圖案化接觸層130及反射層140。于一實施例中，反射層140可為連續(xù)膜層，且部分反射層140穿過圖案化接觸層130連接發(fā)光單元120。如圖1所示，圖案化接觸層130包埋(embeded)于反射層140中。

可先于第一型半導(dǎo)體層122上沉積接觸層(未示出)，經(jīng)光光刻工藝形成圖案化接觸層130，再毯覆性沉積反射層140于圖案化接觸層130上?？捎糜谛纬煞瓷鋵?40及圖案化接觸層130的沉積方式包括：物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)或其他合適的方法。

于一實施例中，反射層140的材質(zhì)可包括金屬。舉例而言，反射層140的材質(zhì)可包括：銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈀(Pd)或其組合，但不限于此。于一實施例中，圖案化接觸層130的材質(zhì)可包括透明導(dǎo)電氧化物(TCO)或金屬。舉例而言，透明導(dǎo)電氧化物可包括：氧化銦(In2O3)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銦鋅(IZO)，但不限于此；金屬可包括：銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈀(Pd)或其組合，但不限于此。

在此設(shè)計中，圖案化接觸層130可與發(fā)光單元120形成較佳的電性連接；而反射層140與發(fā)光單元120則形成較差的電性連接，以在后續(xù)形成的第一電極250正下方提供類似電流阻擋層的功效，防止電流以最短路徑(直線)導(dǎo)通。此外，圖案化接觸層130形成于反射層140中，為透明導(dǎo)電材料，故不會遮蔽反射層140所反射的光，而可避免元件亮度下降的問題。

在完成上述步驟后，請參照圖2，將磊晶基板110上的堆疊結(jié)構(gòu)(包括反射層140、圖案化接觸層130及發(fā)光單元120)通過形成于基板210上的接合層212接合至基板210上，并將磊晶基板110自堆疊結(jié)構(gòu)移除。于一實施例中，堆疊結(jié)構(gòu)的反射層140經(jīng)由接合層212接合至基板210。亦即，接合層212設(shè)置于基板210與反射層140之間以提供所需的接合作用。于一實施例中，基板210可以是硅基板、電路板、金屬基板等。于一實施例中，接合層212的材質(zhì)可以是金屬材料或具有導(dǎo)電粒子的有機(jī)材料。

于一實施例中，可形成阻障層214于接合層212與反射層140之間，以避免反射層140的金屬擴(kuò)散至基板210。舉例而言，阻障層材質(zhì)可包括：鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鈷(Co)、鎢(W)或其組合。 可經(jīng)由物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)、化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)或其他合適的方法沉積阻障層。

最后，在發(fā)光單元120的第二型半導(dǎo)體層126上設(shè)置第一電極250及在基板210相反于接合層212的一側(cè)上設(shè)置第二電極260，以完成發(fā)光二極管200。

再回到圖2，如前所述，反射層140與發(fā)光單元120在第一電極250正下方形成較差的電性連接，以提供類似電流阻擋層的功效，亦即，在垂直基板的方向上，圖案化接觸層130的位置與第一電極250具有錯位。更精確而言，在垂直基板的方向上，在對應(yīng)于第一電極250的位置不形成圖案化接觸層130。請參照圖3A-3B，圖3A示出發(fā)光二極管200的第一電極250于基板200上的投影示意圖；而圖3B示出發(fā)光二極管200的圖案化接觸層130于基板200上的投影示意圖。如圖3A-3B的投影示意圖所示，圖案化接觸層130與第一電極250于基板210上的投影為互補(bǔ)。亦即，在垂直基板的方向上，圖案化接觸層130與第一電極250的位置互不重疊。

于一實施例中，圖案化接觸層130可與發(fā)光單元120形成歐姆接觸(ohmic contact)以提供較佳的電性連接；而反射層140與發(fā)光單元120則不形成歐姆接觸，以在第一電極250正下方提供類似電流阻擋層的功效。于一實施例中，圖案化接觸層130的材質(zhì)為氧化銦錫，其易于與發(fā)光單元120的第一型半導(dǎo)體層122(p-GaN)形成歐姆接觸以提供較佳的電性連接，且氧化銦錫為透明，不會阻擋或遮蔽反射層140反射的光線。于一實施例中，反射層140的材質(zhì)為銀或鋁以提供較佳的反射效果，而不與發(fā)光單元120的第一型半導(dǎo)體層122(p-GaN)形成歐姆接觸。

在上述實施例中，圖案化接觸層及反射層被整合成單一膜層結(jié)構(gòu)。亦即，圖案化接觸層排列于反射層中，因而不會遮蔽或反射反射層反射的光。此外，相較于反射層，圖案化接觸層與發(fā)光單元間可提供較佳的電性接觸，故可經(jīng)由調(diào)整圖案化接觸層的位置，達(dá)到電流阻擋的效果。因此，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)不需經(jīng)由額外的工藝形成電流阻擋層即可達(dá)成電流分布的功效，并可避免電流阻擋層遮蔽反射層引起元件亮度下降的問題。

本發(fā)明另一實施例提供LED中改良的反射結(jié)構(gòu)。此改良的反射結(jié)構(gòu)包括圖案化反射層及連續(xù)反射層。其中，圖案化反射層整合于連續(xù)反射層中，且圖案化反射層與上電極在基板上的投影為互補(bǔ)。通過圖案化反射層、連續(xù)反射層及上電極的位置排列及圖案化反射層、連續(xù)反射層及發(fā)光單元的電性連接關(guān)系，此改良的反射結(jié)構(gòu)可用以作為反射層，并可提供等同于電流阻擋層的功能。

圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例示出發(fā)光二極管400的剖面示意圖。請參照圖4，發(fā)光二極管400包括：基板210、接合層212、阻障層214、第一反射層420、圖案化第二反射層430、發(fā)光單元120、第一電極250及第二電極260，其中發(fā)光單元120還包括依序疊置的第一型半導(dǎo)體層122、發(fā)光層144及第二型半導(dǎo)體層146。接合層212、阻障層214、第一反射層420、圖案化第二反射層430及發(fā)光單元120依序?qū)盈B于基板210上，而第一電極250及第二電極260分別設(shè)置于發(fā)光單元120的上表面120A及基板210的下表面210A。發(fā)光二極管400的結(jié)構(gòu)是大致相同發(fā)光二極管200，唯發(fā)光二極管400中以圖案化第二反射層430取代發(fā)光二極管200的圖案化接觸層130，及以第一反射層420取代發(fā)光二極管200的反射層140。

可使用前述相同的材料及方式形成發(fā)光單元400中與發(fā)光單元200相應(yīng)的結(jié)構(gòu)，于此不再重復(fù)贅述。發(fā)光二極管400中第一反射層420大致相同于發(fā)光二極管200的反射層140。發(fā)光二極管400中圖案化第二反射層430的結(jié)構(gòu)是大致相同于發(fā)光二極管200的圖案化接觸層130。如前所述，可在形成發(fā)光單元120后，依序于發(fā)光單元120的第一型半導(dǎo)體層122上形成圖案化第二反射層430及第一反射層420。舉例而言，可先于發(fā)光單元120的第一型半導(dǎo)體層122上沉積反射材料層(未示出)，經(jīng)光光刻工藝形成圖案化第二反射層430，再毯覆性沉積第一反射層420于圖案化第二反射層430上。

于一實施例中，第一反射層420可為連續(xù)膜層，且部分第一反射層420穿過圖案化第二反射層430連接發(fā)光單元120。于一實施例中，在垂直基板的方向上，圖案化第二反射層430的位置與第一電極250具有錯位，且第一電極250與圖案化第二反射層430在基板210上的投影互補(bǔ)。第一 反射層420可與發(fā)光單元120形成較差的電性連接，以在第一電極250正下方提供類似電流阻擋層的功效。于一實施例中，圖案化第二反射層430與發(fā)光單元120形成歐姆接觸，而第一反射層420與發(fā)光單元120不形成歐姆接觸。

可使用相同或不同的材料形成第一反射層420及圖案化第二反射層430。于一實施例中，第一反射層420及圖案化第二反射層430的材質(zhì)可包括金屬。舉例而言，第一反射層420及圖案化第二反射層430的材質(zhì)可包括：銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、釕(Ru)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎂(Mg)、鈀(Pd)或其組合，但不限于此。

舉例而言，于一實施例中，第一反射層420的材質(zhì)為鋁，而圖案化第二反射層430的材質(zhì)為銀。相較于鋁，銀較容易與發(fā)光單元120形成歐姆接觸以提供較佳的電性連接。于另一實施例中，第一反射層420及圖案化第二反射層430的材質(zhì)都為銀，但在形成圖案化第二反射層430后經(jīng)退火使其與發(fā)光單元120形成歐姆接觸，而在形成，第一反射層420后則不經(jīng)退火使其不與發(fā)光單元120形成歐姆接觸。

在上述實施例中，圖案化第二反射層與發(fā)光單元間可提供較佳的電性接觸，故改良的反射結(jié)構(gòu)在不減損反射功能的情況下，經(jīng)由調(diào)整圖案化第二反射層的位置可達(dá)成等同電流阻擋層的電流分布效果。因此，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)不需經(jīng)由額外的工藝形成電流阻擋層即可達(dá)成電流分布的功效，并可避免電流阻擋層遮蔽反射層引起元件亮度下降的問題。

應(yīng)了解的是，本發(fā)明雖以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。