1.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：
在半導(dǎo)體襯底上方形成介電層；
在所述介電層上方形成掩模層，其中，所述掩模層具有暴露所述介電層的部分的開口；
穿過所述開口去除所述介電層的所述部分，從而在所述介電層中形成凹槽；
去除所述掩模層；以及
對所述介電層實(shí)施等離子體清洗工藝，其中，所述等離子體清洗工藝使用含有二氧化碳的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述掩模層包括有機(jī)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述介電層的所述部分的去除包括：
實(shí)施等離子體蝕刻工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述等離子體蝕刻工藝使用含碳的氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述含碳的氣體包括甲烷、八氟環(huán)丁烯或乙炔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述等離子體清洗工藝去除由所述掩模層形成的殘留物，以及所述殘留物包括碳。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，還包括：
在所述等離子體清洗工藝之后，對所述介電層實(shí)施濕清洗工藝。
8.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：
在半導(dǎo)體襯底上方形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
形成位于所述半導(dǎo)體襯底上方并且覆蓋所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電層；
在所述介電層上方形成掩模層，其中，所述掩模層具有暴露所述介電 層的部分的開口；
去除所述介電層的所述部分以在所述介電層中形成凹槽，其中，所述凹槽暴露所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；
去除掩模層；以及
對所述介電層和所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)實(shí)施等離子體清洗工藝以在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方形成金屬氧化物層，其中，所述等離子體清洗工藝使用含有二氧化碳的氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，其中，所述金屬氧化物層的第一寬度基本上等于所述凹槽的第二寬度。
10.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：
在半導(dǎo)體襯底上方形成介電層；
在所述介電層上方形成聚合物掩模層，其中，所述聚合物掩模層具有暴露所述介電層的部分的開口；
去除所述介電層的所述部分以在所述介電層中形成凹槽；
去除所述聚合物掩模層；以及
對所述介電層實(shí)施等離子體清洗工藝，其中，所述等離子體清洗工藝使用含有二氧化碳的氣體。