技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種利用可控缺陷石墨烯插入層制備金屬-半導(dǎo)體合金的方法，包括以下步驟：1）提供半導(dǎo)體襯底；2）在半導(dǎo)體襯底表面形成石墨烯；3）對(duì)石墨烯進(jìn)行離子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金屬層；5）對(duì)步驟4）得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火處理，形成金屬-半導(dǎo)體合金層。通過在半導(dǎo)體襯底與金屬層之間形成石墨烯插入層，可以有效地改善半導(dǎo)體襯底與金屬-半導(dǎo)體合金層的界面的接觸特性，外延得到的金屬-半導(dǎo)體合金層質(zhì)量更好、性能更加穩(wěn)定；石墨烯插入層具有較高的電子遷移率，可以有效地降低外延生長的金屬-半導(dǎo)體合金層電阻及半導(dǎo)體襯底與金屬-半導(dǎo)體合金層的接觸電阻，從而提高其電學(xué)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張波;孟驍然;俞文杰;狄增峰;張苗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
文檔號(hào)碼：201510792045
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.17
技術(shù)公布日：2017.05.24