本發(fā)明是關(guān)于一種封裝裝置及其導(dǎo)線架及導(dǎo)線架的制作方法，特別關(guān)于一種利用增層法制作的封裝裝置及其導(dǎo)線架及導(dǎo)線架的制作方法。

背景技術(shù)：

在高度信息化社會(huì)的今日，多媒體應(yīng)用市場(chǎng)不斷地急速擴(kuò)張，集成電路封裝技術(shù)也朝集成電路封裝的數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、區(qū)域連接化以及使用人性化的趨勢(shì)發(fā)展。為達(dá)到上述的要求，電子組件必須配合高速處理化、多功能化、集成化（Integrated）以及小型輕量化等多方面的要求，也因此集成電路封裝技術(shù)也跟著朝向微型化、高密度化發(fā)展。其中球柵陣列封裝（Ball Grid Array，BGA）、芯片尺寸封裝（Chip-Scale Package，CSP）、覆晶封裝（Flip Chip Package，F(xiàn)/C）、多芯片模塊（Multi-Chip Module，MCM）以及四方扁平無腳封裝（Quad Flat No-lead Package, QFN）等高密度集成電路封裝技術(shù)也因應(yīng)而生。

其中，QFN封裝技術(shù)為了因應(yīng)高通訊速度以及高頻操作而使用的導(dǎo)線架，將使集成電路封裝具有低功率電路、高頻收發(fā)等產(chǎn)品特性。現(xiàn)行的導(dǎo)線架皆是利用減層法所制作，其除了限制其線寬及線距，亦有導(dǎo)電線路外露的缺陷。以下是以圖1A至圖1L簡(jiǎn)單說明現(xiàn)行的導(dǎo)線架制作方法。

如圖1A所示，是于一載板10上形成一導(dǎo)電層11，其可利用壓合組板的方式形成。再如圖1B所示，是于載板10上以曝光顯影技術(shù)形成一圖案化光阻層12。接著，再如圖1C所示，于圖案化光阻層12中以電鍍技術(shù)形成銅柱層13。接著，再搭配圖1D所示，以蝕刻技術(shù)移除圖案化光阻層12，而于載板10上留下銅柱層13。

再如圖1E所示，接著以壓模的方式形成介電材料層14包覆銅柱層13。再如圖1F所示，研磨介電材料層14以露出銅柱層13的上表面131。接著，如圖1G所示，利用激光切割技術(shù)將載板10與導(dǎo)電層11分離。再如圖1H所示，利用回蝕（Etch back）技術(shù)降低銅柱層13的高度。

接著請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1I所示，利用壓膜技術(shù)于前述半成品二側(cè)形成光阻層15。再如圖1J所示，利用曝光顯影技術(shù)將靠近導(dǎo)電層11一側(cè)的光阻層圖案化，形成一圖案化光阻層151。接著，搭配圖1K所示，再利用蝕刻技術(shù)，并依據(jù)圖案化光阻層151而移除對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電層11，以形成一圖案化導(dǎo)電層111。最后再搭配圖1L所示，移除光阻層15以及圖案化光阻層151，形成一導(dǎo)線架1。

承圖1L所示，導(dǎo)線架1的圖案化導(dǎo)電層111為導(dǎo)電線路，然而其是外露于介電材料層，因此在后續(xù)使用、制作或運(yùn)送的過程中容易造成損傷。另外，由于導(dǎo)線架若應(yīng)用于高通訊速度以及高頻操作的狀態(tài)下，其抗干擾的能力也將不可忽視，因此如何改善以及精進(jìn)上述問題，實(shí)屬當(dāng)前一重要課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的一目的在于提供一種具有干擾消除功能的封裝裝置及其導(dǎo)線架及導(dǎo)線架的制作方法，以加強(qiáng)其抗干擾的能力。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種封裝裝置及其導(dǎo)線架及導(dǎo)線架的制作方法以避免在導(dǎo)線架的使用、制作及運(yùn)送過程中損傷其導(dǎo)電線路。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種導(dǎo)線架，其包括一圖案化導(dǎo)線層、一圖案化導(dǎo)電柱層以及一介電材料層。圖案化導(dǎo)線層具有多個(gè)第一開孔。圖案化導(dǎo)電柱層具有多個(gè)第二開孔及至少一干擾消除槽。其中，干擾消除槽是對(duì)應(yīng)于至少一第一開孔而設(shè)置。介電材料層形成于第一開孔及第二開孔中。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電材料層至少包含一鑄模化合物，其具有酚醛基樹脂、環(huán)氧基樹脂或硅基樹脂至少一。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電材料層具有相對(duì)設(shè)置的一第一表面及一第二表面，第一表面是突出于圖案化導(dǎo)電柱層的一表面，而第二表面是突出于圖案化導(dǎo)線層的一表面。

另外，為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種封裝裝置，其包括一圖案化導(dǎo)線層、一圖案化導(dǎo)電柱層、一介電材料層以及一主動(dòng)組件。圖案化導(dǎo)線層具有多個(gè)第一開孔。圖案化導(dǎo)電柱層具有多個(gè)第二開孔及至少一干擾消除槽。其中，干擾消除槽是對(duì)應(yīng)于該些第一開孔的至少一個(gè)而設(shè)置。介電材料層形成于第一開孔及第二開孔中。主動(dòng)組件是至少部分對(duì)應(yīng)于干擾消除槽而設(shè)置于圖案化導(dǎo)線層。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電材料層至少包含一鑄模化合物，其具有酚醛基樹脂、環(huán)氧基樹脂和硅基樹脂至少其中一種。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電材料層具有相對(duì)設(shè)置的一第一表面及一第二表面，第一表面是突出于圖案化導(dǎo)電柱層的一表面，而第二表面是突出于圖案化導(dǎo)線層的一表面。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，主動(dòng)組件是產(chǎn)生一無線信號(hào)、一微波信號(hào)或一輻射信號(hào)。前述的該些信號(hào)在由主動(dòng)組件本體發(fā)射后，將有部分進(jìn)入干擾消除槽，再搭配將干擾消除槽接地，以消除該些信號(hào)對(duì)主動(dòng)組件本身或?qū)ζ渌M件的干擾。

另外，為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種導(dǎo)線架的制作方法，其包括步驟S01至步驟S10。步驟S01是于一載板的一表面形成一第一圖案化光阻層，且第一圖案化光阻層具有多個(gè)第一開孔。步驟S02是于第一圖案化光阻層的該些第一開孔中形成一圖案化導(dǎo)線層。步驟S03是于第一圖案化光阻層及圖案化導(dǎo)線層上形成一第二圖案化光阻層，且第二圖案化光阻層具有多個(gè)第二開孔。步驟S04是于第二圖案化光阻層的該些第二開孔中形成一圖案化導(dǎo)電柱層。步驟S05是移除第一圖案化光阻層及第二圖案化光阻層，以形成對(duì)應(yīng)于第一圖案化光阻層及第二圖案化光阻層的多個(gè)第三開孔。步驟S06是于第三開孔中形成一介電材料層。步驟S07是移除載板，以暴露與圖案化導(dǎo)電柱層對(duì)向側(cè)的圖案化導(dǎo)線層及部分的介電材料層。步驟S08是于圖案化導(dǎo)線層及暴露的介電材料層形成一第三圖案化光阻層，其具有至少一第四開孔。步驟S09是移除與第四開孔對(duì)應(yīng)位置的圖案化導(dǎo)線層以及部分的圖案化導(dǎo)電柱層，以形成一干擾消除槽。步驟S10是移除第三圖案化光阻層。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，載板是由金屬?gòu)?fù)合材或金屬與非金屬疊設(shè)而成。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，圖案化導(dǎo)線層是通過電鍍技術(shù)、無電鍍技術(shù)、濺鍍技術(shù)或蒸鍍技術(shù)所形成。另外，介電材料層是通過真空壓模技術(shù)或鑄模技術(shù)所形成。

依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，于介電材料層形成后，介電材料層的一表面是突出于圖案化導(dǎo)電柱層的一表面。另外，于移除第三圖案化光阻層后，介電材料層的一表面是突出于圖案化導(dǎo)線層的一表面。換句話說，圖案化導(dǎo)電柱層以及圖案化導(dǎo)線層皆是內(nèi)縮于介電材料層，以避免刮傷。

承上所述，依據(jù)本發(fā)明的一種封裝裝置及其導(dǎo)線架及導(dǎo)線架的制作方法是利用增層法制作導(dǎo)線架，使介電材料層能夠突出于圖案化導(dǎo)線層，因此能夠減少作為導(dǎo)電線路的圖案化導(dǎo)電層于使用、制作或運(yùn)送的過程中受損的機(jī)率。另外，在制程當(dāng)中，可一并于導(dǎo)線架上制作至少一干擾消除槽，并將會(huì)產(chǎn)生干擾信號(hào)的主動(dòng)組件對(duì)應(yīng)干擾消除槽設(shè)置，將可吸收干擾信號(hào)而使得封裝裝置得以正常運(yùn)作。

在參閱圖式及隨后描述的實(shí)施方式后，所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者便可了解本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明的技術(shù)手段及實(shí)施態(tài)樣。

附圖說明

圖1A至圖1L為現(xiàn)有的一種導(dǎo)線架的制作方法示意圖。

圖2是本發(fā)明的實(shí)施例的導(dǎo)線架的示意圖。

圖3是圖2的導(dǎo)線架的分解示意圖。

圖4是圖2的部分導(dǎo)線架的俯視示意圖。

圖5是本發(fā)明的實(shí)施例的封裝裝置的示意圖。

圖6A至圖6J是本發(fā)明的實(shí)施例的一種導(dǎo)線架的制作方法示意圖。

附圖標(biāo)記

1 導(dǎo)線架

10載板

11導(dǎo)電層

111圖案化導(dǎo)電層

12圖案化光阻層

13銅柱層

131上表面

14介電材料層

15光阻層

151圖案化光阻層

2 導(dǎo)線架

21圖案化導(dǎo)線層

211第一開孔

212表面

21A主動(dòng)組件設(shè)置區(qū)

21B電性連接墊

21C導(dǎo)電線路

22圖案化導(dǎo)電柱層

221第二開孔

222干擾消除槽

223表面

23介電材料層

231第一表面

232第二表面

3封裝裝置

31主動(dòng)組件

4導(dǎo)線架

40載板

401表面

41第一圖案化光阻層

411第一開孔

42圖案化導(dǎo)線層

421表面

43第二圖案化光阻層

431第二開孔

44圖案化導(dǎo)電柱層

441第三開孔

442表面

443干擾消除槽

45介電材料層

451表面

452表面

46保護(hù)層

47第三圖案化光阻層

471第四開孔。

具體實(shí)施方式

以下將通過實(shí)施例來解釋本發(fā)明內(nèi)容，本發(fā)明的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明須在如實(shí)施例所述的任何特定的環(huán)境、應(yīng)用或特殊方式方能實(shí)施。因此，關(guān)于實(shí)施例的說明僅為闡釋本發(fā)明的目的，而非用以限制本發(fā)明。須說明的是，以下實(shí)施例及圖式中，與本發(fā)明非直接相關(guān)的組件已省略而未繪示；且圖式中各組件間的尺寸關(guān)系僅為求容易了解，非用以限制實(shí)際比例。

本發(fā)明的一種導(dǎo)線架是應(yīng)用于集成電路封裝領(lǐng)域，例如是球柵陣列封裝（Ball Grid Array，BGA）、芯片尺寸構(gòu)裝（Chip-Scale Package，CSP）、覆晶構(gòu)裝（Flip Chip Package，F(xiàn)/C）、多芯片模塊（Multi-Chip Module，MCM）或四方扁平無腳封裝（Quad Flat No-lead Package, QFN），尤其是對(duì)于需要應(yīng)用高速或高頻操作的集成電路封裝。請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種導(dǎo)線架2其包括一圖案化導(dǎo)線層21、一圖案化導(dǎo)電柱層22以及一介電材料層23。而為便于說明，圖3是圖2所示的導(dǎo)線架2的分解圖。

請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3所示，圖案化導(dǎo)線層21具有多個(gè)第一開孔211。于本實(shí)施例中，圖案化導(dǎo)線層21是可具有導(dǎo)電線路以及電性連接墊，其材質(zhì)為金屬，例如但不限于選自銅、鐵、銀、鎳及其組合，且依據(jù)不同的材質(zhì)可應(yīng)用電鍍技術(shù)、無電鍍（Electroless Plating）技術(shù)、濺鍍(Sputtering Coating）技術(shù)或蒸鍍（Thermal Coating）技術(shù)所形成。其中，導(dǎo)電線路是作為信號(hào)或電源傳導(dǎo)用，而電性連接墊則是用以與例如主動(dòng)組件或被動(dòng)組件等電子組件電性連接。

圖案化導(dǎo)電柱層22具有多個(gè)第二開孔221及至少一干擾消除槽222。與圖案化導(dǎo)線層21相似，圖案化導(dǎo)電柱層22的材質(zhì)為金屬，例如但不限于選自銅、鐵、銀、鎳及其組合，且依據(jù)不同的材質(zhì)可應(yīng)用無電鍍（Electroless Plating）技術(shù)、濺鍍(Sputtering Coating）技術(shù)或蒸鍍（Thermal Coating）技術(shù)所形成。干擾消除槽222是對(duì)應(yīng)于圖案化導(dǎo)線層21的該些第一開孔211的至少一個(gè)而設(shè)置。于本實(shí)施例中，是以二個(gè)干擾消除槽222分別對(duì)應(yīng)一個(gè)第一開孔211為例說明。

介電材料層23是形成于圖案化導(dǎo)線層21的第一開孔211及圖案化導(dǎo)電柱層22的第二開孔221中，以達(dá)到絕緣隔離以及保護(hù)圖案化導(dǎo)線層21的功效。介電材料層23的材質(zhì)是可選用芯片封裝用的鑄模化合物(Molding Compound），其例如但不限于具有酚醛基樹脂（Novolac-Based Resin）、環(huán)氧基樹脂（Epoxy-Based Resin）、硅基樹脂(Silicone-Based Resin）或其他適當(dāng)?shù)蔫T模化合物，且鑄模化合物亦可包含適當(dāng)?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀二氧化硅?/p>

在本實(shí)施例中，介電材料層23具有一第一表面231，其是可突出于圖案化導(dǎo)電柱層22的一表面223，另外，介電材料層23具有與第一表面231相對(duì)設(shè)置的一第二表面232，其是突出于圖案化導(dǎo)線層21的一表面212。換句話說，不論是圖案化導(dǎo)電柱層22或是圖案化導(dǎo)線層21皆是內(nèi)縮于介電材料層23的第一表面231及第二表面232，因而不易在使用、制程或運(yùn)送的過程中受到損傷。

另外，值得一提的是，干擾消除槽222是利用槽型結(jié)構(gòu)，使得干擾信號(hào)在進(jìn)入干擾消除槽222后能在其中進(jìn)行反射，再輔以將干擾消除槽222區(qū)域接地（Grounding），將可導(dǎo)引干擾信號(hào)至接地端。

請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖4所示，圖4是圖2的導(dǎo)線架2的俯視示意圖，其中，圖4僅繪示部分的導(dǎo)線架2，而圖2是圖4中A-A線段的一剖面圖。

導(dǎo)線架2的圖案化導(dǎo)線層21是至少可區(qū)分為一主動(dòng)組件設(shè)置區(qū)21A、一電性連接墊21B以及一導(dǎo)電線路21C。主動(dòng)組件，例如芯片是對(duì)應(yīng)于主動(dòng)組件設(shè)置區(qū)21A設(shè)置。在本實(shí)施例中，主動(dòng)組件是以黏合方式固定于主動(dòng)組件設(shè)置區(qū)21A并對(duì)應(yīng)于干擾消除槽222，再利用打線技術(shù)將主動(dòng)組件與電性連接墊21B電性連接。導(dǎo)電線路21C是可在導(dǎo)線架2中扮演繞線的角色，以使得導(dǎo)線架2的線路布局可以更為靈活，使其應(yīng)用更加廣泛。

以下請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種封裝裝置3，其是包括前述實(shí)施例的導(dǎo)線架2以及至少一主動(dòng)組件31。主動(dòng)組件31是至少部分對(duì)應(yīng)于干擾消除槽222而設(shè)置于圖案化導(dǎo)線層21，其可利用例如但不限于打線接合技術(shù)或表面黏著技術(shù)而設(shè)置于圖案化導(dǎo)線層21的電性連接墊。在本實(shí)施例中，主動(dòng)組件會(huì)產(chǎn)生一無線信號(hào)、一微波信號(hào)或一輻射信號(hào)等會(huì)干擾其他電子組件的干擾信號(hào)（尤其是具有高頻的干擾信號(hào)）。由于主動(dòng)組件31是至少部分對(duì)應(yīng)于干擾消除槽222，因此當(dāng)干擾信號(hào)由主動(dòng)組件31發(fā)射到外界后，將有部分會(huì)經(jīng)由反射進(jìn)入干擾消除槽222，進(jìn)而經(jīng)由干擾消除槽222導(dǎo)引接地，以消除干擾信號(hào)。如此一來，封裝裝置3可以避免產(chǎn)生干擾信號(hào)而影響其他電子組件，或遭受其他干擾信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作。

以下，請(qǐng)參照?qǐng)D6A至圖6J所示，依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種導(dǎo)線架4的制作方法包括步驟S01至步驟S10。

如圖6A所示，步驟S01是于一載板40的一表面401形成一第一圖案化光阻層41，且第一圖案化光阻層41具有多個(gè)第一開孔411。第一圖案化光阻層41是應(yīng)用曝光顯影技術(shù)所形成。在本實(shí)施例中，載板40是由一金屬?gòu)?fù)合材或金屬與非金屬疊設(shè)而成，當(dāng)然依據(jù)不同的技術(shù)需求，載板40的組成是可任意變化的。

搭配圖6B所示，步驟S02是在第一圖案化光阻層41的該些第一開孔411中形成一圖案化導(dǎo)線層42。于本實(shí)施例中，圖案化導(dǎo)線層42是可具有導(dǎo)電線路以及電性連接墊（圖中未顯示），其材質(zhì)為金屬，例如但不限于選自銅、鐵、銀、鎳及其組合，且依據(jù)不同的材質(zhì)可應(yīng)用電鍍技術(shù)、無電鍍（Electroless Plating）技術(shù)、濺鍍(Sputtering Coating）技術(shù)或蒸鍍（Thermal Coating）技術(shù)所形成。其中，導(dǎo)電線路是作為信號(hào)或電源傳導(dǎo)用，而電性連接墊則是用以與例如主動(dòng)組件或被動(dòng)組件等電子組件電性連接。

如圖6C所示，步驟S03是于第一圖案化光阻層41及圖案化導(dǎo)線層42上形成一第二圖案化光阻層43，且第二圖案化光阻層43具有多個(gè)第二開孔431。第二圖案化光阻層43的形成方式與第一圖案化光阻層41相似，是應(yīng)用曝光顯影技術(shù)所形成。

再搭配圖6D所示，步驟S04是于第二圖案化光阻層43的該些第二開孔431中形成一圖案化導(dǎo)電柱層44。與圖案化導(dǎo)線層42相似，圖案化導(dǎo)電柱層44的材質(zhì)為金屬，例如但不限于選自銅、鐵、銀、鎳及其組合，且依據(jù)不同的材質(zhì)可應(yīng)用電鍍技術(shù)、無電鍍技術(shù)、濺鍍技術(shù)或蒸鍍技術(shù)所形成。

再搭配圖6E所示，步驟S05是移除第一圖案化光阻層41及第二圖案化光阻層43，以形成對(duì)應(yīng)于第一圖案化光阻層41及第二圖案化光阻層43的多個(gè)第三開孔441。于本實(shí)施例中，第一圖案化光阻層41及第二圖案化光阻層43是可應(yīng)用蝕刻技術(shù)加以移除。

再搭配圖6F所示，步驟S06是于第三開孔441中形成一介電材料層45。于本實(shí)施例中，介電材料層45是可應(yīng)用真空壓模技術(shù)或是鑄模技術(shù)所形成。當(dāng)應(yīng)用鑄模技術(shù)時(shí)，介電材料層45的材質(zhì)是可選用芯片封裝用的鑄模化合物，其例如但不限于具有酚醛基樹脂、環(huán)氧基樹脂、硅基樹脂或其他適當(dāng)?shù)蔫T?；衔?，且鑄模化合物亦可包含適當(dāng)?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀二氧化硅?/p>

另外，當(dāng)應(yīng)用鑄模技術(shù)時(shí)，形成介電材料層45的步驟還可包括：提供一鑄?；衔?，其中鑄?；衔锞哂袠渲胺蹱畹亩趸?；加熱鑄?；衔镏烈后w狀態(tài)；注入呈液態(tài)的鑄模化合物于第三開孔441中，并使鑄模化合物在高溫和高壓下包覆圖案化導(dǎo)線層42以及圖案化導(dǎo)電柱層44；固化鑄?；衔?，使鑄?；衔镄纬山殡姴牧蠈?5；應(yīng)用磨削（Grinding)的方式移除鑄?；衔锏囊徊糠?，以露出圖案化導(dǎo)電柱層44上表面。需注意的是，形成介電材料層45的步驟并不以此為限。更甚者，為了保護(hù)圖案化導(dǎo)電柱層44，亦可對(duì)其研磨，使得介電材料層45的一表面451突出于圖案化導(dǎo)電柱層44的一表面442。

再搭配圖6G所示，步驟S07是移除載板40，以暴露與圖案化導(dǎo)電柱層44對(duì)向側(cè)的圖案化導(dǎo)線層42及部分的介電材料層45。于本實(shí)施例中，載板40的移除是可應(yīng)用例如但不限于蝕刻（Etching）技術(shù)、剝離（Debonding）技術(shù)或研磨技術(shù)。

值得一提的是，在移除載板40前，為了保護(hù)外露的圖案化導(dǎo)電柱層44及介電材料層45，其是可先于其外露的表面形成一保護(hù)層46，其例如但不限于光阻。

如圖6H所示，步驟S08是于圖案化導(dǎo)線層42及暴露的介電材料層45形成一第三圖案化光阻層47，其具有至少一第四開孔471。于本實(shí)施例中，第三圖案化光阻層47是應(yīng)用曝光顯影技術(shù)，而形成于與圖案化導(dǎo)電柱層44相對(duì)側(cè)的外露的圖案化導(dǎo)線層42及介電材料層45上。

再搭配圖6I所示，步驟S09是移除與第四開孔471對(duì)應(yīng)位置的圖案化導(dǎo)線層42以及部分的圖案化導(dǎo)電柱層44，以形成一干擾消除槽443。于此步驟中，移除的方式例如但不限于蝕刻技術(shù)，另外，依據(jù)實(shí)際的需求可選用等向性蝕刻或非等向性蝕刻，于此亦無限制。

再搭配圖6J所示，步驟S10是移除第三圖案化光阻層47，以形成導(dǎo)線架4。于本實(shí)施例中，第三圖案化光阻層47與前述第一圖案化光阻層41及第二圖案化光阻層43的移除相同，是可應(yīng)用蝕刻技術(shù)加以移除的。需注意的是，在移除第三圖案化光阻層47的同時(shí)，亦可一并移除先前所形成的保護(hù)層46。然，保護(hù)層46并非為必要組件，因此若于先前步驟并無保護(hù)層46的配置，當(dāng)然于此亦無移除的必要。

另外，值得一提的是，為了保護(hù)圖案化導(dǎo)線層42，亦可對(duì)其研磨，使得介電材料層45的一表面452突出于圖案化導(dǎo)線層42的一表面421。另外，亦可在蝕刻移除第三圖案化光阻層47時(shí)選用能夠?qū)D案化導(dǎo)線層42產(chǎn)生反應(yīng)的蝕刻液，如此一來將可于移除第三圖案化光阻層47后，同時(shí)使得介電材料層45的表面452突出于圖案化導(dǎo)線層42的表面421。

綜上所述，在導(dǎo)線架完成后，由于介電材料層的二個(gè)相對(duì)表面是分別突出于圖案化導(dǎo)電柱層以及圖案化導(dǎo)線層，因此能夠減少導(dǎo)線架于使用、制作或運(yùn)送的過程中受損的機(jī)率。另外，在后續(xù)形成封裝裝置時(shí)，可令會(huì)產(chǎn)生干擾信號(hào)的主動(dòng)組件對(duì)應(yīng)于干擾消除槽而設(shè)置，并將干擾消除槽接地，如此一來，在封裝裝置運(yùn)作的過程中，主動(dòng)組件所產(chǎn)生的干擾信號(hào)，如在反射至干擾消除槽后，將會(huì)被導(dǎo)引至接地端，而可消除干擾。

上述的實(shí)施例僅用來例舉本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何熟悉此技術(shù)者可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的范圍為準(zhǔn)。