1.一種雙溝道FinFET器件，其特征在于，包括：基片、第一溝道、源漏區(qū)、第一鈍化層、第二溝道、第二鈍化層及柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述第一溝道及源漏區(qū)均形成在所述基片內(nèi)，所述源漏區(qū)分別位于所述第一溝道的兩端，所述第一鈍化層、第二溝道、第二鈍化層及柵極結(jié)構(gòu)依次形成在所述第一溝道及源漏區(qū)上，所述第一鈍化層和第二鈍化層為氟化石墨烯，第二溝道為石墨烯。
2.如權(quán)利要求1所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、柵極及側(cè)墻，所述柵介質(zhì)層形成在所述第二鈍化層上，所述柵極形成在所述柵介質(zhì)層上，所述側(cè)墻形成在所述柵介質(zhì)層及柵極的兩側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述柵介質(zhì)層為二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯或氧化鉿，其厚度范圍是1nm～3nm。
4.如權(quán)利要求2所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述柵極材質(zhì)為NiAu或CrAu，其厚度范圍是100nm～300nm。
5.如權(quán)利要求2所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，還包括源漏電極，所述源漏電極形成在所述側(cè)墻的兩側(cè)，位于所述源漏區(qū)之上。
6.如權(quán)利要求1所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述基片為絕緣體上硅或者絕緣體上鍺。
7.一種雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括步驟：
提供基片，所述基片上形成有鰭形結(jié)構(gòu)；
在所述鰭形結(jié)構(gòu)上依次形成第一鈍化層、第二溝道、第二鈍化層、柵介質(zhì)層及柵極，所述第一鈍化層和第二鈍化層均為氟化石墨烯，第二溝道為石墨烯；
在所述基片內(nèi)形成源漏區(qū)，所述源漏區(qū)位于所述柵極兩側(cè)的基片內(nèi)；
在所述柵極及柵介質(zhì)層兩側(cè)形成側(cè)墻。
8.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層的形成步驟包括：
在所述鰭形結(jié)構(gòu)表面形成石墨烯；
對所述石墨烯進(jìn)行氟化處理，形成氟化石墨烯作為第一鈍化層。
9.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述第二溝道及第二鈍化層的形成步驟包括：
在所述第一鈍化層表面形成石墨烯；
對所述石墨烯進(jìn)行表面部分氟化處理，形成氟化石墨烯作為第二鈍化層，所述石墨烯作為第二溝道。
10.如權(quán)利要求8或9所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述氟化處理采用CF4或C4F8對石墨烯進(jìn)行等離子體處理。
11.如權(quán)利要求8或9所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，采用CVD、PVD、ALD、ALE、MBE、MOCVD、UHCVD、RTCVD或者M(jìn)EE工藝形成石墨烯。
12.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述基片的形成步驟包括：
提供絕緣體上硅或者絕緣體上鍺，并進(jìn)行N型或者P型離子注入形成阱區(qū)；
對所述絕緣體上硅或者絕緣體上鍺進(jìn)行干法刻蝕，形成鰭形結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層采用CVD、ALD或者M(jìn)OCVD工藝形成。
14.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述柵極采用PVD、MOCVD或者ALD工藝形成。
15.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述柵極的形成步驟包括：
在所述柵介質(zhì)層表面形成金屬層；
采用干法刻蝕所述金屬層及柵介質(zhì)層，形成柵極，所述柵極及柵介質(zhì)層位于所述第一溝道上方。
16.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，注入N型離子或者P型離子至所述基片內(nèi)形成源漏區(qū)。
17.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，在形成所述側(cè)墻之后，在所述側(cè)墻兩側(cè)的第二鈍化層表面形成源漏區(qū)電極。
18.如權(quán)利要求17所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述源漏區(qū)電極包括Ti和形成在Ti表面的Au。
19.如權(quán)利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，在所述雙溝道FinFET器件的源漏區(qū)形成肖特基接觸。