1.一種集成電路制造的方法，其特征在于，包含：
接收一集成電路的一標的布局；
分解該標的布局為用于一多重圖案工藝的多個次布局，其中該些次布局包含多個圖案邊緣，每一該些圖案邊緣在一個別自由區(qū)域中為可重新設(shè)置；
重新設(shè)置該些圖案邊緣以增加該集成電路的可制造率并產(chǎn)生多個經(jīng)修飾的次布局；
分別對該些經(jīng)修飾的次布局進行光學(xué)鄰近校正工藝；以及
儲存該些經(jīng)修飾的次布局至一實體計算機可讀媒介中，以用于后續(xù)集成電路工藝階段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路制造的方法，其特征在于，重新設(shè)置該些圖案邊緣包含：
基于一標的工藝選擇一評估指標；
在該些圖案邊緣的一或多個圖案邊緣的個別自由區(qū)域中移動該一或多個圖案邊緣；
基于該評估指標計算一分數(shù)；以及
重復(fù)該移動步驟和該計算步驟，直到該分數(shù)滿足一門檻值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路制造的方法，其特征在于，該評估指標包含選自關(guān)鍵尺寸變異預(yù)算、疊對預(yù)算、焦點深度、強度對數(shù)斜率、掩膜誤差增強因子、數(shù)據(jù)誤差增強因子、最小區(qū)域、最小關(guān)鍵尺寸、以及最小間隔所構(gòu)成的群組的一或多個因子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路制造的方法，其特征在于，該些經(jīng)修飾的次布局包含一第一經(jīng)修飾的次布局及一第二經(jīng)修飾的次布局，且該方法更包含：
使用該第一經(jīng)修飾的次布局以形成一第一掩膜；
使用該第二經(jīng)修飾的次布局以形成一第二掩膜；
使用該第一掩膜以對一晶圓進行一第一光微影工藝；以及
使用該第二掩膜以對該晶圓進行一第二光微影工藝；
其中該第一光微影工藝及該第二光微影工藝的每一者使用一紫外線微影工藝和一極端紫外線微影工藝中的一者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路制造的方法，其特征在于，該些經(jīng)修飾的次布局包含一第一經(jīng)修飾的次布局及一第二經(jīng)修飾的次布局，且該方法更包含：
使用該第一經(jīng)修飾的次布局以對一晶圓進行一第一無掩膜光微影工藝；以及
使用該第二經(jīng)修飾的次布局以對該晶圓進行一第二無掩膜光微影工藝。
6.一種集成電路制造的方法，其特征在于，包含：
接收一集成電路的一標的布局；
分解該標的布局為一第一次布局和一第二次布局，其中該第一次布局的多個多邊形圖案與該第二次布局的多個多邊形圖案部分重疊，該第一次布局和該第二次布局分別包含多個第一可重新設(shè)置邊緣和多個第二可重新設(shè)置邊緣，且每一該些第一可重新設(shè)置邊緣和第二可重新設(shè)置邊緣與可供其置放的一個別自由區(qū)域相關(guān)；
對該些第一可重新設(shè)置邊緣和該些第二可重新設(shè)置邊緣進行一邊緣重新設(shè)置工藝，藉以分別產(chǎn)生一第一經(jīng)修飾的次布局和一第二經(jīng)修飾的次布局，其中該邊緣重新設(shè)置工藝包含：
基于一標的工藝選擇一評估指標；
在該些第一可重新設(shè)置邊緣和該些第二可重新設(shè)置邊緣的一或多個邊緣的個別自由區(qū)域中移動該一或多個邊緣；
基于該評估指標計算一可制造率分數(shù)；以及
重復(fù)該移動步驟和該計算步驟，直到該分數(shù)達到一局部最大值；
使用該第一經(jīng)修飾的次布局以形成一第一掩膜；以及
使用該第二經(jīng)修飾的次布局以形成一第二掩膜，其中該第一掩膜和該第二掩膜是用于對一晶圓所進行的一第一工藝和一第二工藝中，以共同形成該集成 電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路制造的方法，其特征在于，該評估指標包含多個邊緣置放誤差，該些邊緣置放誤差是用于多個不可重新設(shè)置的邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路制造的方法，其特征在于，移動該一或多個邊緣包含：
在該些第一邊緣的個別初始位置中固定該些第一邊緣；以及
在該些第二邊緣的個別自由區(qū)域中移動該些第二邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路制造的方法，其特征在于，更包含：
在形成該第一掩膜前對該第一經(jīng)修飾的次布局進行一第一光學(xué)鄰近校正工藝；以及
在形成該第二掩膜前對該第二經(jīng)修飾的次布局進行一第二光學(xué)鄰近校正工藝。
10.一種集成電路制造的方法，其特征在于，包含：
接收一集成電路的一標的布局；
分解該標的布局為一第一次布局和一第二次布局，其中該第一次布局的部分圖案與該第二次布局的部分圖案部分重疊；
辨別在該第一次布局和該第二次布局中的多個可重新設(shè)置邊緣；
使每一該些可重新設(shè)置邊緣與可供其置放的一個別自由區(qū)域相關(guān)；
對該些可重新設(shè)置邊緣進行一邊緣重新設(shè)置工藝，藉以分別產(chǎn)生一第一修飾的次布局和一第二經(jīng)修飾的次布局，其中該邊緣重新設(shè)置工藝包含：
基于一標的工藝選擇一評估指標；
在該些可重新設(shè)置邊緣的一或多個邊緣的個別自由區(qū)域中移動該一或多個邊緣；
基于該評估指標計算一可制造率分數(shù)；以及
重復(fù)該移動步驟和該計算步驟，直到該分數(shù)滿足一門檻值；
使用該第一經(jīng)修飾的次布局以對一晶圓進行一第一標的工藝；以及
使用該第二經(jīng)修飾的次布局以對該晶圓進行一第二標的工藝。