本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法。

背景技術(shù)：

在目前的阻擋層的貼附制程，若是長條或單一面板尺寸的阻擋層集材，則是先將大板玻璃切割成小的模組板后再進行鐳射激光取下剝離；但是，因為此做法在模組段需要有較多的人力及鐳射激光設(shè)備的需求，所以采用大板鐳射激光設(shè)備不僅可降低設(shè)備及人力成本，并且也可以提生產(chǎn)線的效率。

現(xiàn)有的基于激光剝離技術(shù)的大板激光剝離工藝，通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)。

如圖1a～1c所示，現(xiàn)有的大板激光剝離工藝如下，如圖1a所示，將大板玻璃2及聚酰亞胺薄膜層3貼附與封裝壓臺設(shè)備內(nèi)承載臺1上，于所述聚酰亞胺薄膜層3表面旋轉(zhuǎn)貼附一層保護層4，如圖1b所示，將依次貼附有保護層4、聚酰亞胺薄膜層3的大板玻璃放置于激光剝離設(shè)備的承載臺5上，通過鐳射裝置6將大板玻璃2與聚酰亞胺薄膜層3分離，去除大板玻璃層2，如圖1c所示，于聚酰亞胺薄膜層3上端沉積有支撐性薄膜7。此種方式對全尺寸的面板的封裝較簡單，如圖2a所示，但是對于設(shè)置有外部鍵合點4’長條狀或單一 尺寸面板的封裝較困難，如圖2b所示，在將長條狀或單一尺寸面板傳輸至放置于激光剝離設(shè)備的承載臺5上，因長條狀或單一尺寸面板設(shè)置有外部鍵合點4’，復(fù)數(shù)個外部鍵合點4’之間存在有間隙，進而使得面板不能完全平整(面板與承載臺之間是點接觸，面板底部受力不均，進而出現(xiàn)表面不平整現(xiàn)象)的設(shè)置承載臺5上，進而導(dǎo)致鐳射裝置剝離過程中，出現(xiàn)激光鐳射不穩(wěn)定的現(xiàn)象，造成成品率下降，另外因聚酰亞胺薄膜層3表面不平整，在貼附支撐性薄膜7時，容易在支撐性薄膜表面形成氣泡，導(dǎo)致支撐性薄膜貼附的穩(wěn)定性下降，導(dǎo)致成品率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種針對條狀或單一尺寸面板封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法。

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，包括：

提供第一工作平臺，且所述第一工作平臺包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面設(shè)置有若干凸起機構(gòu)；

提供待剝離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有凹凸不平的下表面及相對于所述下表面的上表面；

將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于所述第一工作平臺上，所述第一工作平臺上設(shè)置的所述若干凸起機構(gòu)支撐所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的下表面，以使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面處于水平面上；以及

對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述上表面進行激光剝離工藝。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

一大板玻璃基板；以及

聚酰亞胺薄膜和封裝薄膜,依序設(shè)置于所述大板玻璃基板的表面；以及

阻水氧薄膜,設(shè)置于所述封裝薄膜表面,所述阻水氧薄膜使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有凹凸不平的所述下表面。。

優(yōu)選的，上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離工藝，其中，對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述上表面進行激光剝離步驟包括：

利用激光對所述大板玻璃基板進行剝離。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述大板玻璃基板設(shè)置有外引線焊接區(qū)(OLB)及鄰接所述外引線焊接區(qū)的封裝區(qū)，以及

所述阻水氧薄膜覆蓋所述封裝薄膜位于所述封裝區(qū)的表面，并將所述封裝薄膜位于所述外引線焊接區(qū)的表面予以暴露，以形成所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的表面。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的阻水氧薄膜乃于一第二工作平臺上施作,其中所述第二工作平臺為封裝壓合設(shè)備內(nèi)的工作平臺。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，以轉(zhuǎn)貼的方式依次將所述聚酰亞胺薄膜和所述封裝薄膜貼附至所述大板玻璃基板的表面上。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述大板激光剝離工藝還包括：

在所述激光剝離工藝之后，于剝離后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上貼附支撐薄膜。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述若干凸起機構(gòu)的材質(zhì)與所述第一工作平臺的材質(zhì)相異。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述若干凸起機構(gòu)的材質(zhì)為聚醚醚酮或聚四氟乙烯，所述第一工作平臺的材質(zhì)為鋁鎂合金材料。

優(yōu)選地，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，所述第一工作平臺為鐳射激光剝離設(shè)備中的工作平臺。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點是：

將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于所述第一工作平臺上，且所述第一工作平臺上設(shè)置的所述若干凸起與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的下表面契合，以使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面處于同一水平面上，使得大板玻璃基板表面處于同一水平位置上，因聚酰亞胺薄膜層表面平整，在貼附支撐性薄膜時，避免表面產(chǎn)生氣泡，提高支撐性薄膜貼附的穩(wěn)定性，提升產(chǎn)品成品率。

附圖說明

圖1a～1c為現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)封裝工藝流程圖；

圖2a～2c為現(xiàn)有的設(shè)置有外部鍵合點的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)封裝工藝 流程圖；

圖3a～3d為本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法流程圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，包括：

提供第一工作平臺，且第一工作平臺具有用于放置器件的工作表面；第一工作平臺為鐳射激光剝離設(shè)備中的工作平臺。

于第一工作平臺的工作表面上固定設(shè)置若干凸起機構(gòu)；進一步地，若干凸起機構(gòu)的材質(zhì)與第一工作平臺的材質(zhì)相異。上述凸起機構(gòu)的材質(zhì)可為上述第一工作平臺材質(zhì)的相吸材料，也可與上述第一工作 平臺材質(zhì)的相斥材料。當(dāng)上述凸起機構(gòu)的材質(zhì)為上述第一工作平臺材質(zhì)的相吸材料時，即凸起機構(gòu)固定設(shè)置在上述第一工作平臺上，可用于同一規(guī)則或同一形狀或同一類型的面板的重復(fù)封裝，此處的封裝方式，無需每次單獨沉積凸起，可進行批量重復(fù)封裝，節(jié)省凸起機構(gòu)材質(zhì)，另外也減少封裝時間，提高生產(chǎn)效率。當(dāng)上述凸起機構(gòu)材質(zhì)為上述第一工作平臺材質(zhì)的相斥材料時，即凸起機構(gòu)僅僅是暫時固定設(shè)置在上述第一工作平臺上，當(dāng)封裝工藝完畢后，可輕松去除，此種方式可用于不規(guī)則或規(guī)則的面板的封裝，此處的封裝方式，在完成一次封裝工藝后，能夠輕松去除第一工作平臺表面沉積的填充物，清理較方便。進一步地，若干凸起機構(gòu)的材質(zhì)為聚醚醚酮或聚四氟乙烯，第一工作平臺的材質(zhì)為鋁鎂合金材料。

提供待剝離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有凹凸不平的下表面及相對于下表面的上表面。

將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于第一工作平臺上，且第一工作平臺上設(shè)置的若干凸起機構(gòu)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的下表面契合，以使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面處于同一水平面上；以及對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面進行激光剝離工藝。

上述設(shè)置的若干凸起機構(gòu)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的下表面契合；凸起機構(gòu)提供輔助支撐力，使得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)受力均等，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)處于平整狀態(tài))，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面處于同一水平面上，使得半導(dǎo)體表面的聚酰亞胺薄膜層表面平整，在貼附支撐性薄膜時，避免表面產(chǎn)生氣泡，提高支撐性薄膜貼附的穩(wěn)定性，提升產(chǎn)品成品率。

作為進一步優(yōu)選實施方案，上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，包括如下步驟：

提供一大板玻璃基板，于上述大板玻璃基板依次沉積有一聚酰亞胺薄膜和封裝薄膜；以及

將表面制備有聚酰亞胺薄膜和封裝薄膜的大板玻璃基板置放于第二工作平臺上；進一步地，第二工作平臺為封裝壓合設(shè)備內(nèi)的工作平臺。

于封裝薄膜的表面貼附非全基板尺寸的阻水氧薄膜，以形成具有凹凸不平表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；其中，利用激光剝離工藝剝離大板玻璃基板。

在激光剝離工藝之后，于剝離后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上貼附支撐薄膜。

作為進一步優(yōu)選實施方案，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離方法，其中，大板玻璃基板設(shè)置有外引線焊接區(qū)(OLB)及鄰接外引線焊接區(qū)的封裝區(qū)，以及非全基板尺寸的阻水氧薄膜覆蓋封裝薄膜位于封裝區(qū)之上的表面，并將封裝薄膜位于外引線焊接區(qū)之上的表面予以暴露，以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的表面。

作為進一步優(yōu)選實施方案，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離工藝，其中：具體包括：非全基板尺寸的阻水氧薄膜為條形尺寸的阻水氧薄膜或單元面板尺寸的阻水氧薄膜，可為長條形。

列舉一具體實施方式：如圖3a～3d所示，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)激光剝離工藝，其中：包括如下步驟：

提供一大板玻璃基板10，于大板玻璃基板依次沉積有一聚酰亞 胺薄膜和封裝薄膜層20；

將表面制備有所述聚酰亞胺薄膜和所述封裝薄膜20的所述大板玻璃基板10置放于第二工作平臺上；

于所述阻水氧薄膜30的表面貼附非全基板尺寸的封裝薄膜10，以形成具有凹凸不平表面的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

于所述第一工作平臺50的所述工作表面51上固定設(shè)置若干凸起機構(gòu)60；

將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于所述第一工作平臺50上，且所述第一工作平臺上10設(shè)置的所述若干凸起機構(gòu)60與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的下表面契合，以使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面處于同一水平面上；

對所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述上表面進行激光剝離工藝；

在所述激光剝離工藝之后，于剝離后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上貼附支撐薄膜70。

上述實施例的工作原理是：

將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置于所述第一工作平臺上，且所述第一工作平臺上設(shè)置的所述若干凸起機構(gòu)與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具有凹凸不平的下表面契合，以使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面處于同一水平面上，使得大板玻璃基板表面處于同一水平位置上，因聚酰亞胺薄膜層表面平整，在貼附支撐性薄膜時，避免表面產(chǎn)生氣泡，提高支撐性薄膜貼附的穩(wěn)定性，提升產(chǎn)品成品率。

以上上述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的實施 方式及保護范圍，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識到凡運用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。