本公開涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種終端殼體及終端。
背景技術(shù):
隨著通信技術(shù)的發(fā)展,終端功能越來越多樣化和復(fù)雜化,終端機(jī)體內(nèi)部需要安裝的元器件也越來越多,使得終端機(jī)體內(nèi)部用于設(shè)計天線的凈空區(qū)域越來越小。因此,很多終端以終端殼體上的金屬邊框來代替天線,以減少對凈空區(qū)域的占用。
相關(guān)技術(shù)中,在有限的凈空區(qū)域內(nèi)利用金屬邊框代替單支天線,可滿足第二代移動通信技術(shù)和第三代移動通信技術(shù)的要求。但是對于LTE-A(Long Term Evolution Advanced,長期演進(jìn)技術(shù)升級版)規(guī)范中引入的載波聚合技術(shù)中的帶間載波聚合來說,由于聚合的載波處于不同的工作頻段,在設(shè)計終端的天線時,要求將終端天線分為低中頻天線和高頻天線。因此,在利用金屬邊框代替天線的情況下,如何在有限的凈空區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)兩支天線,并保證天線之間的高隔離度是亟需解決的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題,本公開提供一種終端殼體及終端,所述技術(shù)方案如下:
根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面,提供一種終端殼體,所述終端殼體包括:殼體本體、金屬邊框、第一饋電單元、第二饋電單元和主板接地區(qū)域,
所述金屬邊框包圍于所述殼體本體的側(cè)邊緣部分;
所述金屬邊框包括頂部邊框、兩個側(cè)邊框和底部邊框,所述底部邊框包括由兩條縫隙分割而成的一段水平部分和兩段垂直部分;
所述主板接地區(qū)域位于所述終端殼體內(nèi)部的指定區(qū)域,并與所述金屬邊框的兩個側(cè)邊框相連接;
所述終端殼體內(nèi)部還包括位于所述主板接地區(qū)域與所述底部邊框之間的凈空區(qū)域;
所述第一饋電單元和所述第二饋電單元位于所述凈空區(qū)域內(nèi);
所述第一饋電單元與所述底部邊框的水平部分構(gòu)成第一天線單元,所述第二饋電單元與所述底部邊框的任一段垂直部分構(gòu)成與所述第一天線單元正交的第二天線單元。
可選地,所述第一饋電單元包括第一饋電部分、第一接地部分和第一枝節(jié),所述第一饋電部分通過所述第一枝節(jié)與所述底部邊框的水平部分相連接,所述第一接地部分與所述底部邊框的水平部分連接,使得所述第一饋電單元和所述底部邊框的水平部分構(gòu)成所述第一天線單元;
所述第一饋電部分、所述第一接地部分和所述第一枝節(jié)均由導(dǎo)電物質(zhì)填充。
可選地,所述第一枝節(jié)與所述底部邊框的水平部分的連接點(diǎn),和所述第一接地部分與所述底部邊框的水平部分的連接點(diǎn)之間的距離為10毫米至20毫米。
可選地,所述第一接地部分和所述第一枝節(jié)均通過彈片與所述底部邊框的水平部分連接,所述彈片為導(dǎo)電物質(zhì)。
可選地,所述第二饋電單元包括第二饋電部分、第二接地部分和第二枝節(jié),所述第二饋電部分與所述第二接地部分位于同一導(dǎo)電物質(zhì)填充區(qū)域,所述第二枝節(jié)由導(dǎo)電物質(zhì)填充,并與所述底部邊框的任一段垂直部分連接;
所述第二枝節(jié)位于所述第二饋電部分的下方,并與所述第二饋電部分之間存在縫隙,用于與所述第二饋電部分進(jìn)行耦合饋電,使得所述第二饋電單元與所述底部邊框的任一段垂直部分構(gòu)成所述第二天線單元。
可選地,所述第二枝節(jié)與所述第二饋電部分之間的縫隙寬度為1毫米至4毫米。
可選地,所述第二枝節(jié)通過彈片與所述底部邊框的任一段垂直部分連接,所述彈片為導(dǎo)電物質(zhì)。
可選地,所述底部邊框上的兩條縫隙均由非導(dǎo)電介質(zhì)填充。
可選地,所述非導(dǎo)電介質(zhì)為塑料介質(zhì)。
可選地,所述底部邊框上的兩條縫隙之間的距離為40毫米至50毫米。
可選地,所述底部邊框上的兩條縫隙以所述金屬邊框的中垂線為對稱軸對稱。
可選地,所述第一天線單元和所述第二天線單元均為平面倒F形天線PIFA。
可選地,所述第一天線單元為低中頻天線,所述第二天線單元為高頻天線;或,所述第一天線單元為高頻天線,所述第二天線單元為低頻天線。
可選地,所述第一天線單元的極化方式為水平極化,所述第二天線單元的極化方式為垂直極化。
可選地,所述底部邊框的兩段垂直部分為具有指定弧度的金屬邊框。
根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面,提供一種終端,所述終端包第一方面所述的終端殼體。
本公開的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果:
本公開實(shí)施例提供的終端殼體,金屬邊框的底部邊框上的兩條縫隙將底部邊框分割成一段水平部分和兩段垂直部分;并在凈空區(qū)域內(nèi)設(shè)置了第一饋電單元和第二饋電單元,第一饋電單元與底部邊框的水平部分構(gòu)成第一天線單元,第二饋電單元和任一段垂直部分構(gòu)成與所述第一天線單元正交的第二天線單元。由于在有限的凈空區(qū)域內(nèi)分別利用金屬邊框的底部邊框的水平部分和任一段垂直部分代替兩支天線,并利用二者之間互相垂直的關(guān)系,使得兩支天線極化正交,因此保證了兩支天線的高隔離度。
應(yīng)當(dāng)理解的是,以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本公開。
附圖說明
此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分,示出了符合本公開的實(shí)施例,并與說明書一起用于解釋本公開的原理。
圖1A是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種終端殼體示意圖。
圖1B是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種終端殼體示意圖。
圖2是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種終端殼體示意圖。
圖3是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種第一天線單元的回波損耗曲線圖。
圖4是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種第二天線單元的回波損耗曲線圖。
圖5是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種第一天線單元和第二天線單元之間的隔離度曲線圖。
具體實(shí)施方式
為使本公開的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本公開實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
這里將詳細(xì)地對示例性實(shí)施例進(jìn)行說明,其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時,除非另有表示,不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實(shí)施例中所描述的實(shí)施方式并不代表與本公開相一致的所有實(shí)施方式。相反,它們僅是與如所附權(quán)利要求書中所詳述的、本公開的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
圖1A和圖1B是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種終端殼體的結(jié)構(gòu)示意圖,該圖1A和圖1B為從終端背面觀察的后視圖,該終端包括該終端殼體。如圖1A所示,該終端殼體包括殼體本體、金屬邊框101、第一饋電單元102、第二饋電單元103和主板接地區(qū)域104。
其中,金屬邊框101包圍于殼體本體的側(cè)邊緣部分,圖1B為該金屬邊框101的結(jié)構(gòu)示意圖,該金屬邊框101包括頂部邊框101a、兩個側(cè)邊框101b和底部邊框101c,該底部邊框101c包括由兩條縫隙分割而成的一段水平部分101c-1和兩段垂直部分101c-2,其中兩段垂直部分101c-2可為具有指定弧度的金屬邊框,該指定弧度的數(shù)值可為0、π/12、π/6、π/3、π/2等,本公開實(shí)施例對此不進(jìn)行具體限定。
需要說明的是,該底部邊框101c上的兩條縫隙之間的距離D1為40毫米至50毫米,優(yōu)選45毫米,該兩條縫隙均由非導(dǎo)電介質(zhì)填充,其中,該非導(dǎo)電介質(zhì)可為塑料介質(zhì)、橡膠介質(zhì)等,本公開實(shí)施例對此不進(jìn)行具體限定。
該主板接地區(qū)域104位于終端殼體內(nèi)部的指定區(qū)域,該指定區(qū)域可為終端殼體內(nèi)部的中部區(qū)域,該主板接地區(qū)域104與金屬邊框101的兩個側(cè)邊框101b相連接,使得兩個側(cè)邊框101b接地。需要說明的是,該主板接地區(qū)域104為終端內(nèi)部其他元器件的共同接地區(qū)域。
該終端殼體內(nèi)部還包括凈空區(qū)域105,該凈空區(qū)域位于該主板接地區(qū)域104與該底部邊框101c之間,由該主板接地區(qū)域104的下邊沿與該底部邊框101c包圍形成。由于終端中元器件的增多,凈空區(qū)域的高度D2一般在6毫米至9毫米之間,因此設(shè)計天線的區(qū)域是有限的,本公開實(shí)施例便是利用這樣有限的凈 空區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了帶間載波聚合要求的低中頻天線和高頻天線。
該第一饋電單元102和該第二饋電單元103位于該凈空區(qū)域105內(nèi)。該第一饋電單元與該底部邊框的水平部分101c-1構(gòu)成第一天線單元106,該第二饋電單元與該底部邊框的任一段垂直部分101c-2構(gòu)成第二天線單元107,該第一天線單元106和該第二天線單元107用于實(shí)現(xiàn)LTE帶間載波聚合。其中,該底部邊框的水平部分101c-1為該第一天線單元106的輻射枝節(jié),該底部邊框的任一段垂直部分101c-2為第二天線單元107的輻射枝節(jié)。
在本公開實(shí)施例中,該第一天線單元106和該第二天線單元107均為PIFA(Planar Inverted F-shaped Antenna,平面倒F形天線)。該第一天線單元106為低中頻天線,其帶寬為800MHz-2170MHz,其中800MHz-960MHz為低頻段,1710MHz-2170MHz為中頻段。該第二天線單元107為高頻天線,其帶寬為2300MHz-2690MHz。該第一天線單元106的極化方式為水平極化,該第二天線單元107的極化方式為垂直極化,使得第一天線單元106和第二天線單元107之間極化正交、方向圖正交,保證了二者之間的隔離度,提高了輻射效率。
在另一實(shí)施例中,第一天線單元106可為高頻天線,第二天線單元107可為低中頻天線,此時僅需對第一天線單元106和第二天線單元107包括的各部分的尺寸和間距進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整即可。
需要說明的是,為了使終端的外觀更加美觀,可在金屬邊框101的頂部邊框同樣設(shè)置兩條對稱的縫隙,該兩條對稱的縫隙可與底部邊框上的縫隙對稱,本公開實(shí)施例對是否在頂部邊框設(shè)置縫隙和縫隙的位置不進(jìn)行具體限定。
圖2是根據(jù)以示例性實(shí)施例示出的一種終端殼體的示意圖,該圖2為從終端背面觀察的后視圖,該終端包括該終端殼體。參見圖2,該終端殼體除包括圖1A和圖1B所示的終端殼體包括的結(jié)構(gòu)外,第一饋電單元102還包括第一饋電部分201、第一接地部分202和第一枝節(jié)203,第二饋電單元103還包括第二饋電部分204、第二接地部分205和第二枝節(jié)206。為了便于觀察,圖2僅對金屬邊框101、第一天線單元106和第二天線單元107的詳細(xì)結(jié)構(gòu),對于除金屬邊框101、第一天線單元和第二天線單元之外已在圖1A和圖1B中進(jìn)行標(biāo)注的終端殼體的其他部分,在此不再進(jìn)行標(biāo)注。
該第一饋電部分102通過第一枝節(jié)203與底部邊框101c的水平部分101c-1相連接,該第一接地部分也與底部邊框101c的水平部分101c-1相連接,使得該 第一饋電單元和底部邊框101c的水平部分101c-1構(gòu)成第一天線單元106。
其中,該第一饋電部分201、該第一接地部分202和該第一枝節(jié)203均由導(dǎo)電物質(zhì)填充,在具體實(shí)施時可在相應(yīng)電路區(qū)域采用印刷的方式填充導(dǎo)電物質(zhì)。第一枝節(jié)203與底部邊框101c的水平部分101c-1的連接點(diǎn),和第一接地部分102與底部邊框101c的水平部分101c-1的連接點(diǎn)之間的底部邊框?yàn)榈谝惶炀€單元106的回地枝節(jié)(即PIFA地角),該回地枝節(jié)的長度D3為10毫米至20毫米,優(yōu)選為15毫米。
該第二饋電部分204與該第二接地部分205位于同一導(dǎo)電物質(zhì)填充區(qū)域。該第二枝節(jié)206由導(dǎo)電物質(zhì)填充,并與底部邊框101c的任一段垂直部分101c-2連接。
其中,該第二枝節(jié)206位于該第二饋電部分204的下方,并與該第二饋電部分204之間存在縫隙,用于與該第二饋電部分204之間形成耦合電路、進(jìn)行耦合饋電,使得第二饋電單元103與底部邊框101c的任一段垂直部分101c-2構(gòu)成第二天線單元。其中,該第二枝節(jié)206與該第二饋電部分204之間的縫隙寬度D4為1毫米至4毫米,優(yōu)選縫隙寬度為2毫米。
需要說明的是,在第一接地部分202、第一枝節(jié)203、第二枝節(jié)204均可通過彈片與該底部邊框101c連接,其中該彈片為導(dǎo)電物質(zhì),此種連接方式為接觸式連接;還可通過固定螺栓與該底部邊框101c連接,此種連接方式為固定式連接,本公開實(shí)施例對連接方式不進(jìn)行具體限定。
需要說明的是,圖2中僅示出了該第二枝節(jié)206與左端垂直部分101c-2連接、該第一枝節(jié)203與水平部分101c-1的連接點(diǎn)在第一接地部分與水平部分101c-1的右側(cè),且更靠近右端縫隙的情況。在另一實(shí)施例中,該第二枝節(jié)206還可與右端垂直部分101c-2連接、該第一枝節(jié)203與水平部分101c-1的連接點(diǎn)在第一接地部分與水平部分101c-1的左側(cè),且更靠近左端縫隙,本公開實(shí)施例對此不進(jìn)行具體限定。
圖3是根據(jù)一示例性實(shí)施例提供的一種第一天線單元的回波損耗曲線圖。以該第一天線單元為低中頻天線,凈空區(qū)域的高度D2為8毫米,該底部邊框101c上的兩條縫隙之間的距離D1為45毫米,第一枝節(jié)203與底部邊框101c的水平部分101c-1的連接點(diǎn),和第一接地部分102與底部邊框101c的水平部分101c-1的連接點(diǎn)之間的距離D3為15毫米為例,如圖3所示,該第一天線單元 在低頻段800MHz-960MHz和中頻段1710MHz-2170MHz的回波損耗均在-5dB以下,滿足天線的設(shè)計要求。
圖4是根據(jù)一示例性實(shí)施例提供的一種第二天線單元的回波損耗曲線圖。以該第二天線單元為高頻天線,凈空區(qū)域的高度D2為8毫米,第二枝節(jié)206與第二饋電部分204之間的縫隙寬度D4為2毫米為例,如圖4所示,該第二天線單元在高頻段2300MHz-2690MHz的回波損耗均在-5dB以下,滿足天線的設(shè)計要求。
圖5是根據(jù)一示例性實(shí)施例提供的一種第一天線單元與第二天線單元之間的隔離度曲線圖。以該第一天線單元為低中頻天線,D1等于45毫米,D2等于15毫米,該第二天線單元為高頻天線,D3等于2毫米為例,如圖5所示,第一天線單元與第二天線單元之間在LTE全頻段800MHz-2690MHz內(nèi)的隔離度均在-15dB以下,滿足LTE帶間載波聚合技術(shù)對天線隔離度的要求。
本公開實(shí)施例提供的終端殼體,金屬邊框的底部邊框上的兩條縫隙將底部邊框分割成一段水平部分和兩段垂直部分;并在凈空區(qū)域內(nèi)設(shè)置了第一饋電單元和第二饋電單元,第一饋電單元與底部邊框的水平部分構(gòu)成第一天線單元,第二饋電單元和任一段垂直部分構(gòu)成與所述第一天線單元正交的第二天線單元。由于在有限的凈空區(qū)域內(nèi)分別利用金屬邊框的底部邊框的水平部分和任一段垂直部分代替兩支天線,并利用二者之間互相垂直的關(guān)系,使得兩支天線極化正交,因此保證了兩支天線的高隔離度。
本公開實(shí)施例還提供了一種終端,該終端包括上述實(shí)施例中涉及的終端殼體,包含該終端殼體的全部結(jié)構(gòu)和功能,在此不再贅述。當(dāng)然,該終端還包括終端前殼、終端顯示屏以及終端內(nèi)其他電子元器件,由上述終端殼體內(nèi)所形成的第一天線單元和第二天線單元與終端內(nèi)的其他電子元件配合工作,以實(shí)現(xiàn)終端的通信功能,本公開對其具體組成不做限定。
本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后,將容易想到本公開的其它實(shí)施方案。本申請旨在涵蓋本公開的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化,這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開的一般性原理并包括本公開未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的,本公開的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。
應(yīng)當(dāng)理解的是,本公開并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu),并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限制。