本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及制造領(lǐng)域，特別涉及一種納米線的制造方法及用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

納米線是具有納米單位尺寸的納米結(jié)構(gòu)，具有幾納米到幾百納米直徑的尺寸。納米尺寸的晶體管器件具有超低的靜態(tài)功耗和較高的驅(qū)動(dòng)電流，是集成電路22納米以下極有潛力的器件結(jié)構(gòu)。

納米線的制造是納米線技術(shù)中的關(guān)鍵。在硅襯底上制作出III-V族材料的納米線，是納米線制造的一個(gè)研究熱點(diǎn)，III-V族材料與Si襯底之間存在較大的晶格失配和熱失配，會(huì)產(chǎn)生大量的錯(cuò)位，目前，通常采用金屬液滴誘導(dǎo)生長(zhǎng)的方法，具體的，在硅襯底上形成金屬滴誘導(dǎo)，而后利用外延生長(zhǎng)的方法，如MOCVD或MBE等，在金屬滴誘導(dǎo)上生長(zhǎng)出III-V族材料的納米線，這樣可以獲得較高質(zhì)量的納米線。

然而，在金屬液滴誘導(dǎo)生長(zhǎng)的方法中，由于采用金屬液滴誘導(dǎo)，會(huì)在III-V族材料的納米線中引入深能級(jí)，造成污染，影響后續(xù)器件的制作以及器件的性能的穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種納米線的制造方法，提供高質(zhì)量且性能穩(wěn)定的納米線。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明有如下技術(shù)方案：

一種用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)，包括：

襯底；

襯底上的溝槽，溝槽為介質(zhì)材料；

溝槽中的Si或Ge的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，其中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層上表面上形成有掩蓋層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層在溝槽中具有{111}面。

可選的，所述襯底為Si或Ge的半導(dǎo)體襯底，所述溝槽的介質(zhì)材料以及掩蓋層的材料為半導(dǎo)體襯底的氧化物。

可選的，所述半導(dǎo)體誘導(dǎo)層位于溝槽的端部或中部。

可選的，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面為與溝槽底面垂直且相互之間成60°角的兩個(gè)面，或者為與溝槽底面成60°角的斜面。

此外，本發(fā)明還提供了一種納米線的制造方法，包括：

提供襯底；

在襯底上形成溝槽，溝槽為介質(zhì)材料；

在溝槽中形成Si或Ge的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，其中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層上表面上形成有掩蓋層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層在溝槽中具有{111}面；

進(jìn)行外延生長(zhǎng)，沿半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面在溝槽中形成半導(dǎo)體材料的納米線。

可選的，所述半導(dǎo)體材料的納米線為Ge、GeSn或III-V族半導(dǎo)體化合物。

可選的，所述襯底為Si或Ge的半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成溝槽以及在溝槽中形成半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的步驟包括：

在掩膜層的掩蔽下，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成溝槽，溝槽端部或中部任意位置處的半導(dǎo)體襯底為半導(dǎo)體誘導(dǎo)層；

進(jìn)行氧化工藝，至少在溝槽內(nèi)壁上形成氧化層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層上形成有氧化層或刻蝕所述半導(dǎo)體層時(shí)所用的掩膜層；

刻蝕半導(dǎo)體誘導(dǎo)層朝向溝槽的端部，形成朝向溝槽的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面。

可選的，所述襯底為Si或Ge的半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成溝槽以及在溝槽中形成半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的步驟包括：

刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，以形成溝槽以及溝槽中具有{111}面的半導(dǎo)體誘導(dǎo) 層；

進(jìn)行氧化工藝，至少在溝槽內(nèi)壁上形成氧化層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層上形成有氧化層或刻蝕所述半導(dǎo)體層時(shí)所用的掩膜層；

通過(guò)刻蝕，暴露出半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面。

可選的，采用MOCVD或MBE方法進(jìn)行外延生長(zhǎng)。

可選的，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面為與溝槽底面垂直且相互之間成60°角的兩個(gè)面，或者為與溝槽底面成60°角的斜面。

本發(fā)明實(shí)施例提供的用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)以及納米線的制造方法，在溝槽中形成有半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層在溝槽中具有{111}面，進(jìn)而可以通過(guò)半導(dǎo)體誘導(dǎo)層{111}面進(jìn)行納米線的生長(zhǎng)，納米線會(huì)從沿著{111}面在溝槽中生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出的納米線具有更好的晶格匹配性，不會(huì)引入深能級(jí)，且生長(zhǎng)出的納米線形狀更為規(guī)整，具有高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1和圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)的立體示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的納米線的制造方法的流程示意圖；

圖4-圖10A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的制造方法制造納米線的過(guò)程中的中間結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖4-圖10為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖5A-圖10A分別為圖5-圖10的AA向截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11-圖18A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的制造方法制造納米線的過(guò)程中的中間結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖11-圖18為俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖11-圖18A分別為圖11-圖18的AA向截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。

其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。

正如背景技術(shù)的描述，在現(xiàn)有技術(shù)中，采用金屬滴誘導(dǎo)的方式進(jìn)行III-V族材料的納米線的生長(zhǎng)，這種方法可以獲得較高質(zhì)量的納米線，但會(huì)在納米線中引入深能級(jí)，造成污染，影響后續(xù)器件的制作以及器件性能的穩(wěn)定性。

為此，本發(fā)明提出了一種用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)以及納米線的制造方法，在溝槽中形成有半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層在溝槽中具有{111}面，進(jìn)而可以通過(guò)半導(dǎo)體誘導(dǎo)層{111}面進(jìn)行納米線的生長(zhǎng)，納米線會(huì)從沿著{111}面在溝槽中生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出具有更好的晶格匹配性，不會(huì)引入深能級(jí)，且生長(zhǎng)出的納米線形狀更為規(guī)整，具有高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。

參考圖1和圖2所示，所述用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)包括：

襯底100；

襯底100上的溝槽110，溝槽110為介質(zhì)材料；

溝槽100中的Si或Ge的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，其中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120上表面上形成有掩蓋層1202，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120在溝槽中具有{111}面1201。

在本發(fā)明中，所述襯底100為支撐襯底，可以為任意合適材料的襯底，在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，所述襯底為Si、Ge襯底，例如可以為Si襯底、 Ge襯底、SiGe襯底、SOI(絕緣體上硅，Silicon On Insulator)或GOI(絕緣體上鍺，Germanium On Insulator)等，還可以為疊層結(jié)構(gòu)，例如Si/SiGe等，還可以其他外延結(jié)構(gòu)，例如SGOI(絕緣體上鍺硅)等。

在本發(fā)明的溝槽結(jié)構(gòu)中，溝槽為介質(zhì)材料，也就是說(shuō)至少溝槽的內(nèi)壁，即側(cè)壁和底壁，是介質(zhì)材料形成的，介質(zhì)材料例如可以為氧化物、氮化物或氮氧化物等，溝槽的深度和寬度可以由所需形成的納米線的尺寸來(lái)確定。

半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120由Si或Ge的半導(dǎo)體晶體材料形成，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層可以形成在溝槽110的端部或者溝槽中部的任意位置處，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120在溝槽中具有{111}面1201，即半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面朝向溝槽方向，以便于沿著溝槽進(jìn)行納米線的外延生長(zhǎng)。對(duì)于形成在溝槽110端部的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，僅其朝向溝槽一端具有{111}面1201，對(duì)于在溝槽110中部任意位置處的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，其朝向溝槽的一端或兩端都可以具有{111}面1201，若半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的兩端都具有{111}面1201，在外延生長(zhǎng)時(shí)，具有更高的生長(zhǎng)效率，一次生長(zhǎng)可以在一個(gè)溝槽中形成兩條納米線。

如圖1所示，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面可以為與溝槽底面垂直且相互之間成60°角的兩個(gè)面，如圖2所示，在另一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面可以為與溝槽底面成60°角的斜面。同時(shí)，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的上表面上形成有掩蓋層1202，掩蓋層1202為介質(zhì)材料，可以與溝槽具有相同或不同的介質(zhì)材料。這樣，在進(jìn)行外延生長(zhǎng)時(shí)，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120僅朝向溝槽的{111}面進(jìn)行外延生長(zhǎng)，Si或Ge的{111}面與Ge、GeSn、III-V族半導(dǎo)體化合物等半導(dǎo)體材料晶體具有更好的晶格匹配性，且沿著{111}面在溝槽中生長(zhǎng)，通過(guò)該溝槽結(jié)構(gòu)形成納米線，不會(huì)引入深能級(jí)，且生長(zhǎng)出的納米線形狀更為規(guī)整，具有高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。

以上對(duì)本發(fā)明的用于制造納米線的溝槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此外，本發(fā)明還提供了一種納米線的制造方法，參考圖3所示，該方法包括：

S01，提供襯底；

S02，在襯底上形成溝槽，溝槽為介質(zhì)材料；

S03，在溝槽中形成Si或Ge的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，其中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層上表面上形成有掩蓋層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層在溝槽中具有{111}面；

S04，進(jìn)行外延生長(zhǎng)，沿半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面在溝槽中形成半導(dǎo)體材料的納米線。

在該方法中，溝槽中形成有半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層在溝槽中具有{111}面，進(jìn)通過(guò)半導(dǎo)體誘導(dǎo)層{111}面進(jìn)行納米線的生長(zhǎng)，納米線會(huì)從沿著{111}面在溝槽中生長(zhǎng)，生長(zhǎng)出納米線具有更好的晶格匹配性，不會(huì)引入深能級(jí)，且生長(zhǎng)出的納米線形狀更為規(guī)整，具有高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)效果，以下將結(jié)合具體的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。

實(shí)施例一

在步驟S101，提供襯底100，參考圖4所示。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述襯底100可以為Si、Ge襯底，例如可以為Si襯底、Ge襯底、SiGe襯底、SOI(絕緣體上硅，Silicon On Insulator)或GOI(絕緣體上鍺，Germanium On Insulator)等，還可以為疊層結(jié)構(gòu)，例如Si/SiGe等，還可以其他外延結(jié)構(gòu)，例如SGOI(絕緣體上鍺硅)等。

在步驟S102和步驟S103，在襯底100上形成溝槽110，溝槽110為介質(zhì)材料，以及在溝槽110中形成Si或Ge的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，其中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120上表面上形成有掩蓋層130，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120在溝槽110中具有{111}面1201，參考圖7和圖7A(圖7的AA向截面示意圖)，以及圖9和圖9A(圖9的AA向截面示意圖)所示。

在本實(shí)施例中，具體的，首先，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100，以形成溝槽110，溝槽110端部或中部的任意位置的半導(dǎo)體襯底100為半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，參考圖5和圖5A(圖5的AA向截面示意圖)所示。

可以通過(guò)在襯底上形成掩膜層(圖未示出)，掩膜層例如可以為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或他們的疊層，在掩膜層的掩蔽下，采用刻蝕技術(shù)，進(jìn)行半導(dǎo)體襯底100的刻蝕，刻蝕出所需深度和寬度的溝槽110，溝槽110的寬度 和深度可以由所需形成的納米線的尺寸來(lái)確定，溝槽110的寬度和深度為納米級(jí)尺寸，如幾納米、幾十納米或一百多納米等。在該實(shí)施例中，刻蝕出的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120通常為長(zhǎng)方形(俯視圖)，還沒(méi)有暴露出{111}面。

對(duì)于形成的掩膜層，在一些實(shí)施例中，可以進(jìn)一步將其去除，在另一些實(shí)施例中，可以將該掩膜層保留，保留下來(lái)的掩膜層可以作為半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120之上的掩蓋層。

而后，進(jìn)行氧化工藝，至少在溝槽110內(nèi)壁上形成氧化層110，參考圖6和圖6A(圖6的AA向截面示意圖)所示。

進(jìn)行氧化工藝后，暴露的半導(dǎo)體材料的表面上都形成了氧化層，在去除掩膜層的實(shí)施例中，在溝槽110的內(nèi)壁、半導(dǎo)體襯底100的表面以及半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的表面上都覆蓋了氧化層130，如圖6和圖6A所示，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的表面上覆蓋的氧化層130為其上表面上的掩蓋層。在未去除掩膜層的實(shí)施例中，在溝槽110的內(nèi)壁上覆蓋了氧化層(圖未示出)。

接著，刻蝕半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120朝向溝槽110的端部，形成朝向溝槽110的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面，參考圖7和圖7A(圖7的AA向截面示意圖)，以及圖9和圖9A(圖9的AA向截面示意圖)所示。

在該步驟中，僅刻蝕半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120朝向溝槽110的端部，以形成朝向溝槽的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面1201。具體地，首先，在溝槽110中形成填充層(圖未示出)，通過(guò)沉積填充材料，例如多晶硅，而后進(jìn)行平坦化，從而在溝槽110中形成填充層，而后，在半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120上形成另一掩膜層，在該掩膜層的掩蔽下，采用濕法或干法刻蝕，進(jìn)行半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的端部的刻蝕，對(duì)于形成在溝槽110端部的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的實(shí)施例，僅刻蝕其朝向溝槽110的一個(gè)端部，以形成半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201，對(duì)于在溝槽110中部任意位置處的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的實(shí)施例，可以刻蝕其朝向溝槽的一端或兩端，使得半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的一個(gè)端部或兩個(gè)端部具有{111}面1201，若半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的兩端都具有{111}面1201，在外延生長(zhǎng)時(shí)，具有更高的生長(zhǎng)效率，一次生長(zhǎng)可以在一個(gè)溝槽中形成兩條納米線。通過(guò)對(duì)掩膜 層的圖形的設(shè)置，以及刻蝕工藝的調(diào)整，可以在半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的端部形成不同結(jié)構(gòu)的{111}面1201，如圖7和圖7A所示，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201為與溝槽底面垂直且相互之間成60°角的兩個(gè)面；如圖9和圖9A所示，在另一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201為與溝槽底面成60°角的斜面。而后，將溝槽中的填充層(圖未示出)，此步驟中的掩膜層可以進(jìn)一步去除或保留。

在步驟S104，進(jìn)行外延生長(zhǎng)，沿半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面在溝槽中形成半導(dǎo)體材料的納米線，參考圖8和圖8A(圖8的AA向截面示意圖)，以及圖10和圖10A所示(圖10的AA向截面示意圖)。

可以采用MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法)或MBE(分子束外延)或其他合適的方法進(jìn)行半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)，半導(dǎo)體材料可以為Ge、GeSn或III-V族半導(dǎo)體化合物等，在外延生長(zhǎng)的過(guò)程中，晶體會(huì)從半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201沿著溝槽進(jìn)行生長(zhǎng)，從{111}面1201生長(zhǎng)的納米線，尤其是III-V族半導(dǎo)體化合物的納米線，具有更好的晶格匹配，且不會(huì)引入深能級(jí)，且生長(zhǎng)出的納米線形狀更為規(guī)整，具有高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。

至此，形成了本發(fā)明實(shí)施例的納米線結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)需要進(jìn)一步將形成的納米線進(jìn)行釋放，或進(jìn)一步在納米線上進(jìn)行器件的加工。

實(shí)施例二

在實(shí)施例中，提供了一種納米線的不同的實(shí)現(xiàn)方法，與實(shí)施例一相比，主要是形成溝槽及半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的形成方法不同，以下主要對(duì)與實(shí)施例一中不同的部分進(jìn)行描述，相同部分將不再贅述。

在步驟S201，提供襯底100，參考圖4所示。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述襯底100可以為Si、Ge襯底，例如可以為Si襯底、Ge襯底、SiGe襯底、SOI(絕緣體上硅，Silicon On Insulator)或GOI(絕緣體上鍺，Germanium On Insulator)等，還可以為疊層結(jié)構(gòu)，例如Si/SiGe等，還可以其他外延結(jié)構(gòu)，例如SGOI(絕緣體上鍺硅)等。

在步驟S202和步驟S203，在襯底100上形成溝槽110，溝槽110為介質(zhì) 材料，以及在溝槽110中形成Si或Ge的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，其中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120上表面上形成有掩蓋層130，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120在溝槽110中具有{111}面1201，參考圖11和圖11A(圖11的AA向截面示意圖)，以及圖15和圖15A(圖15的AA向截面示意圖)所示。

在該實(shí)施例中，具體的，首先，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100，以形成溝槽110以及溝槽110中具有{111}面1201的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，參考圖11和圖11A以及圖15和圖15A。

可以通過(guò)在襯底上形成掩膜層(圖未示出)，掩膜層例如可以為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或他們的疊層，在掩膜層的掩蔽下，采用刻蝕技術(shù)，進(jìn)行半導(dǎo)體襯底100的刻蝕，刻蝕出所需深度和寬度的溝槽110，溝槽110的寬度和深度可以由所需形成的納米線的尺寸來(lái)確定，溝槽110的寬度和深度為納米級(jí)尺寸，如幾納米、幾十納米或一百多納米等。在該實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)掩膜層的圖形的設(shè)置，以及刻蝕工藝的調(diào)整，形成端部為{111}面1201的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的端部可以形成不同結(jié)構(gòu)的{111}面1201，如圖11和圖11A所示，在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201為與溝槽底面垂直且相互之間成60°角的兩個(gè)面；如圖15和圖15A所示，在另一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201為與溝槽底面成60°角的斜面。半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120可以形成在溝槽的端部或者溝槽中部的任意位置處，對(duì)于在溝槽110中部任意位置處的半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的實(shí)施例，可以刻蝕其朝向溝槽的一端或兩端，使得半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的一個(gè)端部或兩個(gè)端部具有{111}面1201，若半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的兩端都具有{111}面1201，在外延生長(zhǎng)時(shí)，具有更高的生長(zhǎng)效率，一次生長(zhǎng)可以在一個(gè)溝槽中形成兩條納米線。

而后，將溝槽中的填充層(圖未示出)，此步驟中的掩膜層可以進(jìn)一步去除或保留，保留下來(lái)的掩膜層可以作為半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120之上的掩蓋層。

而后，進(jìn)行氧化工藝，至少在溝槽110內(nèi)壁上形成氧化層130，參考圖12以及圖12A(圖12的AA向截面示意圖)，以及圖16A(圖16的AA向截面示意圖)所示。

進(jìn)行氧化工藝后，暴露的半導(dǎo)體材料的表面上都形成了氧化層，在去除掩膜層的實(shí)施例中，在溝槽110的內(nèi)壁、半導(dǎo)體襯底100的表面以及半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的表面上都覆蓋了氧化層130，如圖12以及圖12A所示，半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的表面上覆蓋的氧化層130為其上表面上的掩蓋層。在未去除掩膜層的實(shí)施例中，在溝槽110的內(nèi)壁上覆蓋了氧化層(圖未示出)。

接著，通過(guò)刻蝕，暴露出半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面1201，參考圖13和圖13A(圖7的AA向截面示意圖)，以及17和圖17A(圖17的AA向截面示意圖)。

該步驟中，通過(guò)刻蝕工藝，僅去除半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面1201上的覆蓋層，覆蓋層可以為刻蝕半導(dǎo)體襯底形成溝槽的步驟中的掩膜層，也可以為氧化工藝中形成的氧化層。具體地，在溝槽110中形成填充層(圖未示出)，通過(guò)沉積填充材料，例如多晶硅，而后進(jìn)行平坦化，從而在溝槽110中形成填充層，而后，在半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120上形成另一掩膜層，在該掩膜層的掩蔽下，采用濕法或干法刻蝕，進(jìn)行半導(dǎo)體誘導(dǎo)層120的{111}面1201進(jìn)行刻蝕，去除其上的覆蓋層，暴露出半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面1201，如圖13和圖13A，以及圖17和圖17A所示。

最后，在步驟S204，進(jìn)行外延生長(zhǎng)，沿半導(dǎo)體誘導(dǎo)層的{111}面在溝槽中形成半導(dǎo)體材料的納米線，參考圖14和圖14A(圖14的AA向截面示意圖)，以及圖18和圖18A所示(圖18的AA向截面示意圖)。

同實(shí)施例一的步驟S104。

至此，形成了本發(fā)明實(shí)施例的納米線結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)需要進(jìn)一步將形成的納米線進(jìn)行釋放，或進(jìn)一步在納米線上進(jìn)行器件的加工。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所 做的任何的簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。