技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種堆疊電容器的制作方法，包括：首先提供一MOS管，所述MOS管至少包括：形成在襯底中的阱區(qū)；形成于所述阱區(qū)之中和/或表面的第一介質(zhì)層；形成在所述第一介質(zhì)層表面的柵極層、第二介質(zhì)層；覆蓋在所述第二介質(zhì)層及襯底表面的連接層；然后去除部分所述連接層和第二介質(zhì)層，暴露出柵極層，同時(shí)去除襯底表面的部分連接層暴露出所述襯底；暴露的柵極層電連至第一金屬層，所述第二介質(zhì)層表面的連接層和襯底表面的連接層通過(guò)第二金屬層電連。所述阱區(qū)、第一介質(zhì)層以及柵極層構(gòu)成第一電容器，所述柵極層、第二介質(zhì)層以及連接層構(gòu)成第二電容器。通過(guò)本發(fā)明的制作方法，便于在MTE平臺(tái)的器件中制作堆疊電容器結(jié)構(gòu)，工藝簡(jiǎn)單，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：楊曉芳;蔡建祥;辜良智
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號(hào)碼：201510887802
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.04
技術(shù)公布日：2017.06.13