1.一種監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，包括步驟：
提供晶圓，在所述晶圓上形成至少一層二氧化硅；
將所述晶圓放置在基座上；
升至制程所需的溫度，并向反應腔室通入氫氣；
卸載晶圓，測試晶圓表面二氧化硅光學特性的變化，獲得溫度的均勻性。
2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，測試晶圓表面的二氧化硅光學特性的變化包括步驟：
在晶圓表面形成至少一層二氧化硅之后，對所述二氧化硅的光學特性進行第一次測量；
在晶圓經(jīng)過升溫和通入氫氣反應后，對所述二氧化硅的光學特性進行第二次測量，由第一次測量和第二次測量的差值獲得光學特性的變化。
3.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，所述二氧化硅為2層。
4.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，所述二氧化硅采用化學氣相沉積形成。
5.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度范圍是50埃～500埃。
6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，所述制程所需的溫度大于等于1000攝氏度。
7.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，測試晶圓表面若干點處的二氧化硅光學特性的變化，獲得晶圓表面二氧化硅光學特性變化的均勻性。
8.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測基座溫度均勻性的方法，其特征在于，所述光學特性包括折射率及消光系數(shù)。