技術總結
一種半導體結構及其形成方法，所述半導體結構的形成方法包括：提供半導體襯底；在半導襯底表面形成具有開口的掩膜層；沿所述開口刻蝕半導體襯底，形成第一凹槽；形成位于第一凹槽和開口內的隔離層，所述隔離層表面與掩膜層表面齊平；去除掩膜層，形成第二凹槽；在第二凹槽內形成表面低于隔離層表面的第一鍺硅層；在第一鍺硅層表面形成填充滿第二凹槽且覆蓋隔離層的無定形鍺硅層；采用固相外延生長工藝，使第一鍺硅層表面的部分無定形鍺硅層轉變?yōu)榈谌N硅層；以隔離層作為停止層，對無定形鍺硅層和第三鍺硅層進行平坦化；回刻蝕所述隔離層，使隔離層表面低于第三鍺硅層表面。上述方法可以提高半導體結構的性能。

技術研發(fā)人員：鄧浩
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510906938
技術研發(fā)日：2015.12.09
技術公布日：2017.06.16