本發(fā)明屬于平板顯示
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層一般由主體材料摻雜染料構(gòu)成，傳統(tǒng)的雙主體發(fā)光層為：雙主體摻雜熒光或磷光染料，這種雙主體發(fā)光層的主體材料不具備熱延遲熒光效應(yīng)，染料也沒有熱延遲熒光特性。在電致激發(fā)的條件下，有機電致發(fā)光器件會產(chǎn)生25%的單線態(tài)和75%的三線態(tài)。傳統(tǒng)的熒光材料由于自旋禁阻的原因只能利用25%的單線態(tài)激子，從而外量子效率僅僅限定在5%以內(nèi)。幾乎所有的三線態(tài)激子只能通過熱的形式損失掉。為了提高有機電致發(fā)光器件的效率，必須充分利用三線態(tài)激子。為了利用三線態(tài)激子，研究者提出了許多方法。最為顯著的是磷光材料的利用。磷光材料由于引入了重原子，存在旋軌耦合效應(yīng)，因此可以充分利用75%的三線態(tài)，從而實現(xiàn)100%的內(nèi)量子效率。然而磷光材料由于使用了稀有的重金屬，使得材料昂貴，不利于降低產(chǎn)品的成本。如果熒光器件能夠很好的利用三線態(tài)激子則能很好地解決這個問題。研究者提出了在熒光器件中利用三線態(tài)淬滅產(chǎn)生單線態(tài)來提高熒光器件的效率，但是這種方法理論能達到的最大外量子效率僅僅有62.5%，遠低于磷光材料。因此尋找新的技術(shù)充分利用熒光材料的三線態(tài)能級提高發(fā)光效率是非常必要的。目前，OLED發(fā)光材料共分為三種類型，熒光材料，磷光材料和熱活化延遲熒光（TADF）材料。其中，熒光材料的理論最大內(nèi)量子效率僅有25%，效率極低；磷光材料的理論最大內(nèi)量子效率雖然可以達到100%，但是磷光器件性能不穩(wěn)定，深藍色極難達到，另外，磷光材料使用的Ir，Pt等重金屬價格昂貴，造成磷光材料的高成本情況；熱活化敏化熒光材料具有熒光材料和磷光材料的優(yōu)點，不足之處在于熱活化敏化熒光器件存在效率滾降現(xiàn)象，且其中的主體材料TADF種類單一，無法滿足生產(chǎn)需求。磷光OLED發(fā)光層常用的摻雜類型：常用的摻雜類型為常規(guī)主體（如CBP）與磷光染料搭配，但由于激子是主體的三線態(tài)通過短程Dexter傳遞給磷光的三線態(tài)上，這樣導(dǎo)致了磷光材料的摻雜濃度較高（>10wt%），原因在于高的摻雜濃度可以減小主客體之間的距離，促進能量完全傳遞，但是，過高的濃度會導(dǎo)致器件效率衰減，同時磷光材料使用的均為貴金屬材料，較高的磷光摻雜濃度使得成本增加。技術(shù)實現(xiàn)要素：為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層采用TADF材料做主體，離子型的有機自由基發(fā)光材料做客體，有利于主客體之間的能量傳遞，降低器件的驅(qū)動電壓，提高器件效率，實現(xiàn)100%的激子發(fā)光效率。本發(fā)明提供的一種有機電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，其發(fā)光層包括主體材料和摻雜在主體材料中的發(fā)光染料，所述主體材料為熱活化延遲熒光材料，所述發(fā)光染料為有機自由基發(fā)光材料。優(yōu)選地，所述有機自由基發(fā)光材料在發(fā)光層中所占比例為1重量%~10重量%，優(yōu)選3重量%。優(yōu)選地，所述有機自由基發(fā)光材料的通式如下：式Ⅰ其中，R為氫基或電子給體基團。優(yōu)選地，所述電子給體基團選自吲哚并咔唑基，咔唑基，聯(lián)咔唑基，三苯胺基，吩噁嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吲哚并咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的聯(lián)咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的三苯胺基，或者C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噁嗪基。優(yōu)選地，所述有機自由基發(fā)光材料為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：式（1-1），式（1-2），式（1-3），式（1-4），式（1-5），式（1-6）式（1-7），式（1-8），式（1-9），式（1-10），式（1-11），式（1-12）。優(yōu)選地，所述熱活化延遲熒光材料為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：式Ⅱ，式Ⅲ，式Ⅱ和式Ⅲ中，m是1或者2，n是1或者2，p是1,2或者3，q可以是1,2或者3；Ar1是C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的苯基；Ar2，Ar4選自：咔唑基，聯(lián)咔唑基，聯(lián)苯胺基，吲哚并咔唑基，三苯胺基，吩噻嗪基，吩噁嗪基，吖啶基，9,9-二甲基吖啶基，9-甲基吩嗪基，9-苯基吩嗪基，4-吩噁嗪基-1-苯基，4-吩噻嗪基-1-苯基，4-（9,9-二甲基）吖啶基-1-苯基，4-（9-甲基）吩嗪基-1-苯基，4-（9-苯基）吩嗪基-1-苯基，3,5-二咔唑基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的聯(lián)咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的聯(lián)苯胺基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吲哚并咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噁嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噻嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的三苯胺基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吖啶基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的9,9-二甲基吖啶基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的9-甲基吩嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的9-苯基吩嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-吩噁嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-吩噻嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-（9,9-二甲基）吖啶基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-（9-甲基）吩嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-（9-苯基）吩嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的3,5-二咔唑基-1-苯基；R1是氰基。優(yōu)選地，所述熱活化延遲熒光材料為如下化合物：式（2-1），式（2-2），式（2-3），式（2-4），式（2-5），式（2-6），式（2-7），式（2-8），式（2-9），式（2-10），式（2-11），式（2-12），式（2-13），式（2-14）。本發(fā)明上述的有機電致發(fā)光器件，包括：在基板上依次沉積彼此層疊的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。優(yōu)選地，所述陽極和空穴傳輸層之間還設(shè)有空穴注入層。本發(fā)明能夠達到以下有益效果：本發(fā)明用延遲熒光主體材料替代傳統(tǒng)熒光主體材料，有機自由基發(fā)光材料作為客體材料，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的能量傳遞，降低器件的驅(qū)動電壓，提高器件發(fā)光效率。附圖說明圖1是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。圖2是本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。如圖1所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括：在基板01上依次沉積彼此層疊的陽極02、空穴注入層04、空穴傳輸層05、發(fā)光層06、電子傳輸層07及陰極03。本發(fā)明的發(fā)光層包括主體材料和客體材料，所述客體材料為摻雜在主體材料中的發(fā)光染料，所述主體材料為熱活化延遲熒光材料，所述發(fā)光染料為有機自由基發(fā)光材料。有機自由基發(fā)光材料在發(fā)光層中所占比例為1重量%~10重量%。有機自由基發(fā)光材料是電子通過在中性自由基分子不同的軌道間躍遷發(fā)光，此躍遷是完全自旋允許的，是一種雙重激發(fā)態(tài)類型，此自由基發(fā)光材料的理論內(nèi)量子效率可達到100%。本發(fā)明的發(fā)光原理：如圖2所示，由陽極注入的空穴首先傳輸?shù)脚c中性自由基分子相鄰的空穴傳輸材料分子或者TADF主體材料的HOMO（最高占據(jù)分子軌道）上，然后再跳躍到有機自由基發(fā)光材料分子的SOMO（單電子占據(jù)分子軌道）上。由于有機自由基發(fā)光材料分子的SOMO軌道上只有一個電子，在接收一個空穴后，SOMO軌道就成為了一個空軌道。由陰極注入的電子首先傳輸?shù)脚c有機自由基發(fā)光材料分子相鄰的電子傳輸材料分子或者TADF主體材料的LUMO（最低未占據(jù)分子軌道）上，然后再跳躍到有機自由基發(fā)光材料分子的LUMO上，最后向未被電子占據(jù)的SOMO空軌道上躍遷，發(fā)出光子。另外，熱活化延遲熒光材料作為主體材料的三線態(tài)能級與單線態(tài)能級差較?。éST<0.3eV，優(yōu)選ΔEST<0.15eV）。在TADF材料做主體并摻雜磷光染料的發(fā)光層中，在主體材料向染料能量傳遞過程中，激子在從TADF主體材料的三線態(tài)能級反系間竄躍到其單線態(tài)能級，然后再從主體的單線態(tài)能級經(jīng)由長程F?rest能量躍遷到高能分子軌道上，之后輻射躍遷，回到SOMO軌道。由于電子從有機自由基發(fā)光材料分子的高能分子軌道向空的SOMO軌道的躍遷不存在自旋禁阻，所以理論上器件的內(nèi)量子效率的上限是100%。有機自由基發(fā)光材料的通式如下：式Ⅰ其中，R為氫基或電子給體基團。具體地，有機自由基發(fā)光材料可選為以下化合物，但不以此為限：式（1-1），式（1-2），式（1-3），式（1-4），式（1-5），式（1-6），式（1-7），式（1-8），式（1-9），式（1-10），式（1-11），式（1-12）。上述化合物的合成如下：原料的合成步驟參考FengLi在Angew.Chem.Int.Ed，2015,54,1-6上的合成步驟。aHTTM合成：將1，3，5-三氯苯（55.9mmol），無水氯仿（6.3mmol）和AlCl3（6.8mmol）混合物在反應(yīng)瓶中80℃加熱2.5小時，隨后冷卻至室溫。將混合物倒入冰/1M濃鹽過濾，用氯仿抽濾多次。收集有機相并使用無水硫酸鎂除水，然后將液體真空旋蒸。粗產(chǎn)物經(jīng)硅膠柱色譜提純，得到aHTTM，產(chǎn)率81%。TTM合成：在黑暗條件，氮氣保護下，2.0M的Bu4NOH溶液（14.3mmol）加入到aHTTM（10mmol）溶液中，經(jīng)THF（175mL）蒸餾。隨后混合溶液在室溫下攪拌5小時5小時，將四氯對苯醌（27.1mmol）加入正在反應(yīng)的混合溶液中，再反應(yīng)1小時。反應(yīng)完成后，經(jīng)真空旋蒸去掉溶液，獲得粗產(chǎn)物。粗產(chǎn)物經(jīng)硅膠柱色譜提純，得到TTM，產(chǎn)率85%。各化合物的制備方法如下：合成實施例1合成式（1-1）所示結(jié)構(gòu)化合物：在氮氣保護下，黑暗條件中將TTM（1.81mmol），2，3，6，7-四咔唑基咔唑（9.0mmol），無水Cs2CO3（2.9mmol），和DMF（20mL）混合物在160℃下攪拌2.5小時。反應(yīng)后的混合物冷卻至室溫，用1M濃鹽酸將產(chǎn)物過濾，抽濾提純，隨后粗產(chǎn)物經(jīng)柱色譜（石油醚：二氯甲烷=5:1v/v）提純，得到式（1-1），產(chǎn)率40%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1402.96。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：71.06；H：3.74；Cl：20.22；N：4.99。合成實施例2合成式（1-2）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為（3,6-二叔丁基）-2,3,6,7-四咔唑-咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-2）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率39%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1835.77。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：74.59；H：6.15；Cl：15.45；N：3.81。合成實施例3合成式（1-3）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為（3,6-二甲醚基）-2,3,6,7-四咔唑-咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-3）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率35%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1626.22。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：66.43；H：3.96；Cl：17.43；N：4.30；O：7.87。合成實施例4合成式（1-4）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為（3,6-二苯基）-2,3,6,7-四咔唑-咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-4）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率41%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1995.39。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：78.24；H：4.04；Cl：14.21；N：3.51。合成實施例5合成式（1-5）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四（二苯胺基）咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-5）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率35%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1410.23。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：70.65；H：4.29；Cl：20.10；N：4.96。合成實施例6合成式（1-6）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四[(對叔丁基)二苯胺基）]咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-6）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率42%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1843.70。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：74.26；H：6.56；Cl：15.38；N：3.80。合成實施例7合成式（1-7）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四[(甲醚基)二苯胺基）]咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-7）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率44%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1635.29。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：66.11；H：4.44；Cl：17.35；N：4.28；O：7.83。合成實施例8合成式（1-8）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四吖啶基咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-8）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率56%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1442.20。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：71.58；H：3.91；Cl：19.65；N：4.85。合成實施例9合成式（1-9）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四吩噁嗪基咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-9）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率39%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1450.12。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：67.88；H：3.33；Cl：19.55；N：4.83；O：4.41。合成實施例10合成式（1-10）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四（9,9-二甲基吖啶基）咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-10）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率37%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1555.33。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：72.59；H：4.67；Cl：18.24；N：4.50。合成實施例11合成式（1-11）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為2,3,6,7-四吩噻嗪基咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-11）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率33%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1514.02。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：65.00；H：3.19；Cl：18.72；N：4.62；S：8.47。合成實施例12合成式（1-12）所示結(jié)構(gòu)化合物：反應(yīng)物2，3，6，7-四咔唑基咔唑替換為5-苯基-吲哚并[2,3-b]咔唑，經(jīng)過與實施例1相同的合成方法，得式（1-12）所示結(jié)構(gòu)化合物，產(chǎn)率54%。質(zhì)譜分析得到的分子量：1386.14。元素分析得到的各元素相對分子質(zhì)量百分比：C：71.01；H：3.49；Cl：20.45；N：5.05。本發(fā)明的以下實施例中采用的熱活化延遲熒光材料可選為具有如下結(jié)構(gòu)的化合物：式Ⅱ，式Ⅲ，式Ⅱ和式Ⅲ中，m是1或者2，n是1或者2，p是1,2或者3，q可以是1,2或者3；Ar1是C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的苯基；Ar2，Ar4選自：咔唑基，聯(lián)咔唑基，聯(lián)苯胺基，吲哚并咔唑基，三苯胺基，吩噻嗪基，吩噁嗪基，吖啶基，9,9-二甲基吖啶基，9-甲基吩嗪基，9-苯基吩嗪基，4-吩噁嗪基-1-苯基，4-吩噻嗪基-1-苯基，4-（9,9-二甲基）吖啶基-1-苯基，4-（9-甲基）吩嗪基-1-苯基，4-（9-苯基）吩嗪基-1-苯基，3,5-二咔唑基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的聯(lián)咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的聯(lián)苯胺基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吲哚并咔唑基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噁嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吩噻嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的三苯胺基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的吖啶基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的9,9-二甲基吖啶基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的9-甲基吩嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的9-苯基吩嗪基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-吩噁嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-吩噻嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-（9,9-二甲基）吖啶基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-（9-甲基）吩嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的4-（9-苯基）吩嗪基-1-苯基，C1-6的烷基、甲氧基、乙氧基或苯基中一種以上的基團取代的3,5-二咔唑基-1-苯基；R1是氰基。具體地，本發(fā)明的以下實施例采用的熱活化延遲熒光材料為：式（2-1），式（2-2），式（2-3），式（2-4），式（2-5），式（2-6），式（2-7），式（2-8），式（2-9），式（2-10），式（2-11），式（2-12），式（2-13），式（2-14）。本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器件實施例：陽極可以采用無機材料或有機導(dǎo)電聚合物。無機材料一般為氧化銦錫（ITO）、氧化鋅（ZnO）、氧化銦鋅（IZO）等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬，優(yōu)選ITO；有機導(dǎo)電聚合物優(yōu)選為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉（以下簡稱PEDOT/PSS）、聚苯胺（以下簡稱PANI）中的一種。陰極一般采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。本發(fā)明中陰極優(yōu)選為層疊的LiF層和Al層（LiF層在外側(cè)）?？昭▊鬏攲拥牟牧峡梢赃x自芳胺類和枝聚物類低分子材料，優(yōu)選NPB。電子傳輸層的材料可采用有機金屬配合物（如Alq3、Gaq3、BAlq或Ga（Saph-q））或其他常用于電子傳輸層的材料，如芳香稠環(huán)類（如pentacene、苝）或鄰菲咯啉類（如Bphen、BCP）化合物。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件還可在陽極和空穴傳輸層之間具有空穴注入層，所述空穴注入層的材料例如可采用4,4',4''-三（3-甲基苯基苯胺）三苯胺摻雜F4TCNQ，或者采用銅酞菁（CuPc），或可為金屬氧化物類，如氧化鉬，氧化錸。上述各層的厚度可采用本領(lǐng)域中這些層常規(guī)的厚度。本發(fā)明還提供所述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括在基板01上依次沉積彼此層疊的陽極02、空穴注入層04、空穴傳輸層05、發(fā)光層06、電子傳輸層07及陰極03，然后封裝?；蹇梢允遣ＡЩ蚴侨嵝曰?，所述柔性基片可采用聚酯類、聚酰亞胺類化合物材料或者薄金屬片。所述層疊及封裝可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意合適方法。對比例1：本對比例以ITO(氧化銦錫)作為陽極；以HATCN作為空穴注入層1；以NPB和TCTA作為空穴傳輸層2；發(fā)光層3采用CBP作為磷光主體材料，紅色磷光材料Ir(piq)2（acac）作為紅色磷光染料（染料在發(fā)光層中摻雜的質(zhì)量百分比為3%）；Bphen作為電子傳輸層5；LiF/Al作為陰極。結(jié)構(gòu)如下：ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/CBP:3wt%Ir(piq)2(acac)[30nm]/Bphen[40nm]/LiF[0.5nm]/Al[150nm]HATCN，NPB，CBP，Ir(piq)2(acac)，TCTA，Alq3，BCP。對比例2：本對比例的結(jié)構(gòu)與對比例1相同區(qū)別僅在于發(fā)光層采用的主體材料為式（2-13）的TADF材料。ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/式（2-13）:3wt%Ir(piq)2(acac)[30nm]/Bphen[40nm]/LiF[0.5nm]/Al[150nm]實施例1本實施例的結(jié)構(gòu)與對比例1的區(qū)別僅在于發(fā)光層采用的主體材料為式（2-13）的TADF材料，發(fā)光染料采用有機自由基發(fā)光材料式(1-1)化合物。ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/式（2-13）:3wt%式(1-1)[30nm]/Bphen[40nm]/LiF[0.5nm]/Al[150nm]編號亮度cd/m2驅(qū)動電壓V電流效率cd/A流明效率lm/Wx(V)y(V)對比例110007124.20.660.33對比例210006.4144.60.660.31實施例110005.3176.50.630.29從上表可以看出，本發(fā)明所保護的有機自由基發(fā)光材料所在的實施例1的電學性能比普通主體CBP做主體的對比例1優(yōu)異。另外，以同為TADF材料做主體分別敏化有機自由基發(fā)光材料（實施例1）和磷光材料的（對比例2）的器件進行對比顯示，實施例1的驅(qū)動電壓比對比例2的驅(qū)動電壓低，且電流效率高，這是因為TADF敏化磷光材料只是采取了F?rest能量轉(zhuǎn)移方式，但是TADF敏化有機自由基發(fā)光材料同時采用了HOMO-SOMO-LUMO的能量傳遞和F?rest能量轉(zhuǎn)移方式，進而提高了器件效率。實施例2~4實施例2~4的結(jié)構(gòu)與實施例1相同，區(qū)別僅在于有機自由基發(fā)光材料的摻雜濃度。ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/式（2-13）:1~10wt%式(1-1)[30nm]/Bphen[40nm]/LiF[0.5nm]/Al[150nm]編號摻雜濃度亮度cd/m2驅(qū)動電壓V電流效率cd/A流明效率lm/Wx(V)y(V)實施例13wt%10005.3176.50.630.29實施例21wt%10004.795.60.630.29實施例35wt%10008.61211.50.640.30實施例410wt%10009.01012.30.640.31從上表看出，隨有機自由基發(fā)光材料的摻雜濃度的提高，器件的驅(qū)動電壓逐步增加，電流效率先增后降，在摻雜濃度為3wt%時達到最大值，說明有機自由基發(fā)光材料可以保持在較低摻雜濃度下，仍有較高的電流效率，具有較高的量產(chǎn)潛力。實施例5結(jié)構(gòu)與實施例1相同，區(qū)別僅在于有機自由基發(fā)光材料的摻雜濃度為5wt%，發(fā)光層采用不同的TADF材料和有機自由基發(fā)光材料。ITO/HATCN[5nm]/NPB[30nm]/TCTA[10nm]/TADF材料:5wt%有機自由基發(fā)光材料[30nm]/Bphen[40nm]/LiF[0.5nm]/Al[150nm]編號發(fā)光層所采用的TADF材料發(fā)光層所采用的有機自由基發(fā)光材料亮度cd/m2電壓V電流效率cd/A流明效率lm/Wx(V)y(V)OLED1式（2-8）式（1-1）10003.2188.590.560.35OLED2式（2-2）式（1-2）10004.9128.110.370.46OLED3式（2-7）式（1-3）10004.5159.340.540.32OLED4式（2-10）式（1-4）10004.0147.290.590.34OLED5式（2-6）式（1-5）10004.0147.150.570.31OLED6式（2-5）式（1-6）10003.695.430.270.60OLED7式（2-1）式（1-7）10005.2169.560.450.42OLED8式（2-9）式（1-8）10003.797.110.450.37OLED9式（2-14）式（1-9）10003.9118.970.590.34OLED10式（2-11）式（1-10）10004.6138.620.600.29OLED11式（2-3）式（1-11）10004.92210.660.630.33OLED12式（2-4）式（1-12）10005.82018.870.580.29從上表看出，以TADF做主體材料敏化有機自由基發(fā)光材料這一體系的器件均有較高的電流效率，并保持較低的驅(qū)動電壓，說明這一體系中，器件中的載流子通過HOMO-SOMO-LUMO的能量傳遞和F?rest能量轉(zhuǎn)移兩種能量轉(zhuǎn)移方式，有利于主客體之間的能量傳遞，降低器件的驅(qū)動電壓，提高了器件效率。以上所述實施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實施例，本發(fā)明的保護范圍不限于此。本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求書為準。當前第1頁1 2 3