本發(fā)明有關(guān)于一種異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，特別有關(guān)于一種具有網(wǎng)狀形式的電極層的硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)：

按，目前由于國(guó)際能源短缺，而世界各國(guó)一直持續(xù)研發(fā)各種可行的替代能源，而其中又以太陽(yáng)能發(fā)電的太陽(yáng)電池最受到矚目。目前，以硅晶做成的太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，因其僅能吸收1.1 電子伏特以上的太陽(yáng)光能的限制、反射光造成的損失、材料對(duì)太陽(yáng)光的吸收能力不足、載子在尚未被導(dǎo)出之前就被材料中的缺陷捕捉而失效，或是載子受到材料表面的懸浮鍵結(jié)捕捉產(chǎn)生復(fù)合等諸多因素，皆使其效率下降。因此，現(xiàn)在市售硅晶太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率僅約15 ％，即表示硅晶太陽(yáng)能電池的高效率化其實(shí)還有相當(dāng)大的空間。其中，太陽(yáng)能電池高效率化的基本原理就是結(jié)合不同能隙的發(fā)電層材質(zhì)，把它們做成疊層結(jié)構(gòu)。

參照美國(guó)公告專(zhuān)利第5,213,628號(hào)，標(biāo)題為：光伏元件 (Photovoltaic device)，其主要揭示一種結(jié)合不同能隙的太陽(yáng)能電池，借由加入非晶硅本質(zhì)半導(dǎo)體，增加太陽(yáng)能電池的載子壽命，減少電子電洞復(fù)合機(jī)率，提高光電流轉(zhuǎn)換效率。

參照美國(guó)公告專(zhuān)利第7,164,150號(hào)，標(biāo)題為：光伏元件及其制作方法(Photovoltaic device and manufacturing method thereof)，其主要揭示一種太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)與制程方式。該電池配置一透明導(dǎo)電膜于背電極及光電轉(zhuǎn)換層之間，以使入射光反射回光電轉(zhuǎn)換層中進(jìn)行再作用，借以改善電流特性并增加電池整體的光電轉(zhuǎn)換效率。

參照美國(guó)公告專(zhuān)利第9,060,434號(hào)，標(biāo)題為：具有一金屬微影基板的電子顯示器(Electronic displays and metal micropatterned substrates having a graphic)，其主要揭示一種透明導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)與制程方式。該透明導(dǎo)電層為一金屬網(wǎng)格，借由改變其金屬線(xiàn)寬、厚度以及排列形式，以使該透明導(dǎo)電層的透光性與導(dǎo)電性具有可調(diào)整的性質(zhì)。

參照美國(guó)公告專(zhuān)利第6,878,921號(hào)，標(biāo)題為：光伏元件與其制作方法(Photovoltaic device and manufacturing method thereof )。如圖1所示，其主要揭示一種硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，使用銦錫氧化物(In₂O₃:SnO₂，ITO)透明導(dǎo)電膜作為電流分散層，以提升其電流特性及提升光電轉(zhuǎn)換效率的特性。

對(duì)于太陽(yáng)電池所應(yīng)用的透明導(dǎo)電膜而言，銦錫氧化物(ITO)一直是主流材料，然而銦礦稀少并且昂貴，且在氫電漿中抵抗力弱，因此未來(lái)勢(shì)必要研發(fā)取代材料。另一方面，目前ITO的制程以濺鍍法為主，其所制備出的薄膜過(guò)于平坦，必需再經(jīng)過(guò)蝕刻制程才具有粗糙的表面紋理結(jié)構(gòu)，方能為太陽(yáng)能電池所用。

然而，上述異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，必須具有透明導(dǎo)電膜作為電流分散層，并包含一電極將電流取出。因此在制作上，需要更多的制程步驟，增加制造成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，以金屬網(wǎng)狀形式的電極層作為電流分散層與電流取出結(jié)構(gòu)，借此提高光入射量，有效提升其電流特性及提升光電轉(zhuǎn)換效率，并減少了制程步驟，降低制造成本。

本發(fā)明提供的異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，包含：

一PN接面結(jié)構(gòu)，具有兩個(gè)相對(duì)表面，其中該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)由一P型半導(dǎo)體層與一N型半導(dǎo)體層所組成，且該P(yáng)型半導(dǎo)體層的能隙不同于該N型半導(dǎo)體層的能隙；

一第一電極，設(shè)置位于該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)的一表面；以及

一第二電極，設(shè)置位于該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)且相對(duì)于該第一電極的另一表面；

其中該第一電極的電極圖案具有網(wǎng)狀形式，該第一電極與第二電極的片電阻率介于0.1Ω/□至50Ω/□之間。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，該第二電極的電極圖案具有網(wǎng)狀形式。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，該第一電極與該第二電極的材料為銀。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，該第一電極與該第二電極的材料為銅。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，該第一電極的電極圖案的網(wǎng)狀線(xiàn)寬介于1微米至3微米之間。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，第一電極與第二電極的可見(jiàn)光可穿透的開(kāi)放面積具有98%以上。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，第一電極與第二電極的片電阻率介于1Ω/□至8Ω/□之間。

作為優(yōu)選技術(shù)方案，該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)由硅材料組成。

優(yōu)選地，上述的異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，更包含：一第一取出電極以及一第二取出電極，該第一取出電極設(shè)置于該第一電極之上，且該第二取出電極設(shè)置于該第二電極之上。

優(yōu)選地，上述的異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池，更包含：該第一取出電極與該第二取出電極的電極線(xiàn)寬介于100微米至2000微米之間。

綜上所述，本發(fā)明的異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1.由于減少遮蔽面積，可有效增加入射光，以提升光電效能。

2.由于降低片電阻，有效提升其電流特性及提升光電轉(zhuǎn)換效率。

3.由于不需額外的電極，因此減少了制程步驟，降低制造成本。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池的現(xiàn)有技術(shù)剖面圖；

圖2顯示為本發(fā)明異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池的第一實(shí)施例剖面圖；

圖3顯示為本發(fā)明作為電極的網(wǎng)狀形式的上視示意圖；

圖4顯示為本發(fā)明異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池的第二實(shí)施例示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100 硅基異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池；

110 基板；

111 第一糙化表面；

112 第二糙化表面；

120 第一本質(zhì)非晶硅層；

130 P型半導(dǎo)體層；

140 第二本質(zhì)非晶硅層；

150 N型半導(dǎo)體層；

160 第一取出電極；

170 第二取出電極；

180 第一電極；

190 第二電極。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

現(xiàn)請(qǐng)參照?qǐng)D2，其顯示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例中，所揭示的一種異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100，其主要包含：一基板 110；；一半導(dǎo)體層 130；一第一電極180；一第二電極 190。

該基板 110選自P型半導(dǎo)性基板、N型半導(dǎo)性基板、P型硅基板以及N型硅基板之一。較佳地，該基板 110選自N型半導(dǎo)性硅基單晶基板，但并不限，該基板 110選自N型半導(dǎo)性III-V單晶基板。

此外，本發(fā)明的基板 110更具有一第一糙化表面111以及一第二糙化表面112。在一較佳實(shí)施例中，第一糙化表面111以及第二糙化表面112的表面粗糙度介于10納米至80納米。

該半導(dǎo)體層 130的導(dǎo)電性是相對(duì)于該基板 110的導(dǎo)電性。舉例來(lái)說(shuō)，若該基板 110選自N型半導(dǎo)性基板，則該半導(dǎo)體層 130的導(dǎo)電性則為P型半導(dǎo)體層。

在一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體層 130的導(dǎo)電性則為P型半導(dǎo)體層，配置于具有N型半導(dǎo)性的該基板 110上。該半導(dǎo)體層 130其氧含量介于5×10¹⁸至1×10¹⁷原子/立方公分之間。其中，在原本質(zhì)材料中加入雜質(zhì)（Impurities）用以產(chǎn)生多余的電洞，以電洞構(gòu)成多數(shù)載子的半導(dǎo)體，則稱(chēng)之為P型半導(dǎo)體層。例：就硅或鍺半導(dǎo)體而言，在其本質(zhì)半導(dǎo)體中，摻入3價(jià)原子的雜質(zhì)時(shí)，即形成多余的電洞，且該電洞為電流的運(yùn)作方式。

其中，該半導(dǎo)體層 130的制程可選用電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積制程(Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、熱絲化學(xué)氣相沉積法(Hot-wire chemical vapor deposition, HW-CVD)或特高頻電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積（Very high frequency-plasma enhance chemical vapor deposition, VHF-PECVD）制程作為主要制程方式，并通入硅化合物（Silicide）氣體如硅烷（silane, SH₄）并混和氫氣（Hydrogen, H）、氬氣（Argon, Ar）等氣體作為制程氣體。

該半導(dǎo)體層 130的摻雜方式于本發(fā)明中采用可選用氣體摻雜、熱擴(kuò)散法（Thermal diffusion）、固相結(jié)晶化（Solid phase crystalline, SPC）或準(zhǔn)分子激光退火（Excimer laser anneal, ELA）等制程作為主要的制程方式。此外，該半導(dǎo)體層 130選自非晶硅、非晶硅鍺、非晶碳化硅以及納米晶硅之一。

在一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體層 130的導(dǎo)電性則為P型非晶硅半導(dǎo)體層，配置于具有N型半導(dǎo)性單晶硅的該基板 110上，以形成一PN接面結(jié)構(gòu)。該第一電極180，設(shè)置位于該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)的一表面；以及該第二電極190，設(shè)置位于該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)且相對(duì)于該第一電極的另一表面。

該第一電極180的電極圖案具有網(wǎng)狀形式。該第二電極190的電極圖案亦可以具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)形式，但并不限定。

金屬網(wǎng)格(Metal Mesh)是一種形狀看起來(lái)像極細(xì)金屬線(xiàn)組成的網(wǎng)狀金屬，其材料可以是各種納米級(jí)金屬材料，其可通過(guò)網(wǎng)格的間隙與格線(xiàn)的面積比來(lái)調(diào)控其光穿透度，并將格線(xiàn)線(xiàn)度降至微米，甚至次微米的尺度，以改善視覺(jué)的效果。并且，金屬網(wǎng)格在固定透光度下，其可借由調(diào)控金屬線(xiàn)的厚度來(lái)改變片電阻率，其范圍約可為0.01~3000Ω/□，其中片電阻率最低可達(dá)0.01Ω/□的特點(diǎn)，使其成為目前導(dǎo)電度最佳的透明導(dǎo)電膜。

在一實(shí)施例中，本發(fā)明以具有網(wǎng)狀形式的金屬做為異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池的電極層，其具有高透光性與導(dǎo)電性，并且具有網(wǎng)狀形式的金屬本身即具凹凸不平的粗糙紋理結(jié)構(gòu)，不需要再經(jīng)過(guò)蝕刻程序即可為太陽(yáng)能電池所使用，借此達(dá)成太陽(yáng)能電池的量產(chǎn)。

需注意的是，過(guò)去具有網(wǎng)狀形式的金屬做為透明導(dǎo)電膜時(shí)，制作于玻璃或軟性基板之上，因此，其制程要求并不同于制作于半導(dǎo)體性的薄膜或基板上。以下說(shuō)明其技術(shù)特征。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一電極180具有網(wǎng)狀形式，且該第一電極180的材料為可選用純金屬、金屬化合物、金屬氧化物。金屬可包含金、銀、銅、鎳、鋁及其合金。金屬氧化物可以是氧化銦、氧化鋅、氧化錫及其組合。

其中，第一電極180為金屬氧化物，制程方式可選自于蒸鍍法、濺鍍法、電鍍法、電弧電漿沉積法、濕式化學(xué)法、化學(xué)氣相沉積法以及印刷法中的任何一種制程。

現(xiàn)請(qǐng)參照?qǐng)D3，其顯示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例中，所揭示的第一電極180的網(wǎng)狀形式結(jié)構(gòu)的上視示意圖，其中較佳，第一電極180為具有網(wǎng)狀形式的金屬，較佳為銀或銅。需注意的是，當(dāng)?shù)谝浑姌O180為銀時(shí)，其制程選自于印刷法；當(dāng)?shù)谝浑姌O180為銅時(shí)，其制程選自于電鍍法。

該第一電極180的電極圖案的網(wǎng)狀線(xiàn)寬介于1微米至8微米之間，且兩條近似平行的網(wǎng)狀線(xiàn)與網(wǎng)狀線(xiàn)的距離介于20微米至200微米之間。借此，未被該第一電極180遮蔽的光可穿透的開(kāi)放面積至少具有95%以上，且該第一電極180本身的平均光可穿透率至少具有95%以上。較佳地，該第一電極180的電極圖案的網(wǎng)狀線(xiàn)寬介于1微米至3微米之間，且兩條近似平行的網(wǎng)狀線(xiàn)與網(wǎng)狀線(xiàn)的距離介于20微米至40微米之間。借此，未被該第一電極180遮蔽的光可穿透的開(kāi)放面積至少具有97%以上，且該第一電極180本身的平均光可穿透率至少具有95%以上。

該第一電極180的表面粗糙度介于3納米至10納米之間。該第一電極180的厚度為500納米以下。該第一電極180的片電阻率介于0.1Ω/□至50Ω/□之間。較佳地，該第一電極180的片電阻率介于1Ω/□至8Ω/□之間。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第二電極190可以具有網(wǎng)狀形式，亦可以不具有網(wǎng)狀形式，亦即是該第二電極190整面涂布整個(gè)該P(yáng)N接面結(jié)構(gòu)的一表面。

該第二電極190的材料為可選用純金屬、金屬化合物、金屬氧化物。金屬可包含金、銀、銅、鎳、鋁及其合金。金屬氧化物可以是氧化銦、氧化鋅、氧化錫及其組合。

其中，第二電極190為金屬氧化物，制程方式可選自于蒸鍍法、濺鍍法、電鍍法、電弧電漿沉積法、濕式化學(xué)法、化學(xué)氣相沉積法以及印刷法中的任何一種制程。

其中較佳，第二電極190為具有網(wǎng)狀形式之金屬，較佳為銀或銅。需注意的是，當(dāng)?shù)谝浑姌O180為銀時(shí)，其制程選自于印刷法；當(dāng)?shù)谝浑姌O180為銅時(shí)，其制程選自于電鍍法。

該第二電極190的電極圖案的網(wǎng)狀線(xiàn)寬介于1微米至8微米之間，且兩條近似平行的網(wǎng)狀線(xiàn)與網(wǎng)狀線(xiàn)的距離介于20微米至200微米之間。借此，未被該第二電極190遮蔽的光可穿透的開(kāi)放面積至少具有95%以上，且該第二電極190本身的平均光可穿透率至少具有95%以上。較佳地，該第二電極190的電極圖案的網(wǎng)狀線(xiàn)寬介于1微米至3微米之間，且兩條近似平行的網(wǎng)狀線(xiàn)與網(wǎng)狀線(xiàn)的距離介于20微米至40微米之間。借此，未被該第二電極190遮蔽的光可穿透的開(kāi)放面積至少具有97%以上，且該第二電極190本身的平均光可穿透率至少具有95%以上。

該第二電極190的表面粗糙度介于3納米至10納米之間。該第二電極190的厚度為500納米以下。該第二電極190的片電阻率介于0.1Ω/□至50Ω/□之間。較佳地，該第二電極190的片電阻率介于1Ω/□至8Ω/□之間。

由于該第一電極180與該第二電極190在該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100的表面分布的區(qū)域平均。在此設(shè)計(jì)下，可以不需要有額外的取出電極，封裝的串并聯(lián)的引線(xiàn)可以直接接觸到該第一電極180與該第二電極190，可以將該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100所產(chǎn)生的光電流取出。因此，本發(fā)明的技術(shù)特征具有降低制程步驟與成本的功效。

另外，該第一電極180與該第二電極190設(shè)置于該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100的表面時(shí)，需注意到該第一電極180與該第二電極190對(duì)于該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100的表面的接觸電阻必須盡可能降低，以避免整流接面特性，亦即是該基板 110與該半導(dǎo)體層 130的電阻系數(shù)需控制在10歐姆·公分以下。

在該第一實(shí)施例中，該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100更包含：一第一取出電極 160以及一第二取出電極 170。該第一取出電極 160與該第二取出電極 170為了更方便封裝時(shí)，強(qiáng)化封裝的串并聯(lián)的引線(xiàn)與該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的接觸強(qiáng)度。

第一取出電極 160設(shè)置于該第一電極180之上，且與該第二取出電極 170設(shè)置于該第二電極190之上。該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的電極線(xiàn)寬介于100微米至2000微米之間。圖中，雖然僅顯示兩條第一取出電極 160，與兩條該第二取出電極170，但實(shí)施時(shí)，并不限于兩條，較佳地，該第一取出電極 160與該第二取出電極 170具有至少兩條以上的電極線(xiàn)，電極線(xiàn)的數(shù)量介于2條至20條以間。該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的電極線(xiàn)寬越小時(shí)，電極線(xiàn)的數(shù)量越多；反之，當(dāng)該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的電極線(xiàn)寬越大時(shí)，電極線(xiàn)的數(shù)量越少。借此，未被該第一取出電極 160與該第二取出電極 170遮蔽的光可穿透的開(kāi)放面積至少具有95%以上。

該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的材料為可選用純金屬與金屬化合物。金屬可包含金、銀、銅、鎳、鋁及其合金，制程方式可選自于蒸鍍法、濺鍍法、電鍍法、電弧電漿沉積法、濕式化學(xué)法以及印刷法中的任何一種制程。該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的電阻介于0.1Ω至5Ω之間。

現(xiàn)請(qǐng)參照?qǐng)D4，其顯示為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例中，所揭示的一種異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100，其包含：一基板 110；一第一本質(zhì)非晶硅層120；一第一半導(dǎo)體層 130；一第一電極180；一第二本質(zhì)非晶硅層140；一第二半導(dǎo)體層150；以及一第二電極190。

該第二實(shí)施例大致相似于第一實(shí)施例，其主要差異在于，該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100更包含：一第一本質(zhì)非晶硅層120；一第二本質(zhì)非晶硅層140以及一第二半導(dǎo)體層150。亦即是，在該基板 110與該第一半導(dǎo)體層 130之間，更包含一第一本質(zhì)非晶硅層120。該基板 110與該第二電極190之間，更依序包含一第二本質(zhì)非晶硅層140；一第二半導(dǎo)體層150。亦即是，該基板 110與該第二半導(dǎo)體層150之間，包含該第二本質(zhì)非晶硅層140。

該第二實(shí)施例的該基板 110、該第一電極180與該第二電極190相同于該第一實(shí)施例的該基板 110、該第一電極180與該第二電極190，且該第二實(shí)施例的該第一半導(dǎo)體層 130相同于該第一實(shí)施例的該半導(dǎo)體層 130。亦即特征相同于上揭第一實(shí)施例所述，因此在此不再贅述。

第一本質(zhì)非晶硅層120配置于該基板 110的第一糙化表面111上，特別是設(shè)置于該基板 110與該第一半導(dǎo)體層 130之間，其氫含量介于3%至10%之間。

第二本質(zhì)非晶硅層140配置于該基板 110的第二糙化表面112上，是相對(duì)于在該基板 110上相對(duì)該第一本質(zhì)非晶硅層120的另一面。特別是設(shè)置于該基板 110與該第二半導(dǎo)體層 150之間，其氫含量介于3%至10%之間。

其中，第一本質(zhì)非晶硅層120與第二本質(zhì)非晶硅層140的制作材料可選用非晶硅、非晶硅鍺、納米晶硅、微晶硅、微晶硅鍺、多晶硅與多晶硅鍺之一。此外，第一本質(zhì)非晶硅層120與第二本質(zhì)非晶硅層140可用以形成量子局限效應(yīng)，借以改良電特性，以增加可吸收的入射光能譜范圍。

第一本質(zhì)非晶硅層120與第二本質(zhì)非晶硅層140可選用電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積制程(Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)、熱絲化學(xué)氣相沉積法(Hot-wire chemical vapor deposition, HW-CVD)或特高頻電漿增強(qiáng)型化學(xué)式氣相沉積（Very high frequency-plasma enhance chemical vapor deposition, VHF-PECVD）制程作為主要制程方式，并通入硅化合物（Silicide）氣體如硅烷（silane, SH₄）并混和氫氣（Hydrogen, H）、氬氣（Argon, Ar）等氣體作為制程氣體。于本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，第一本質(zhì)非晶硅層120與第二本質(zhì)非晶硅層140的厚度介于5納米至20納米之間，且氫含量皆介于3%至7%之間。需注意，氫含量的不同將影響光電轉(zhuǎn)換特性。此外，第一本質(zhì)非晶硅層120與第二本質(zhì)非晶硅層140亦可用以填補(bǔ)P型半導(dǎo)體層 130與基板 110接面處或N型半導(dǎo)體層 150與基板 110接面處發(fā)生的缺陷，以增加轉(zhuǎn)換效率。

在該第二實(shí)施例中，該第一半導(dǎo)體層 130的導(dǎo)電性則為P型非晶硅半導(dǎo)體層，配置于具有N型半導(dǎo)性單晶硅的該基板 110上，以形成一PN接面結(jié)構(gòu)。

因此，該第二半導(dǎo)體層 150為N型半導(dǎo)體層，配置于該第二本質(zhì)非晶硅層140上，且其氧含量介于5×10¹⁸至1×10¹⁷原子/立方公分之間。其中，該第二半導(dǎo)體層 150指在本質(zhì)材料中加入的雜質(zhì)可產(chǎn)生多余的電子，以電子構(gòu)成多數(shù)載子的半導(dǎo)體。例如，就硅和鍺半導(dǎo)體而言，若在其本質(zhì)半導(dǎo)體中摻入5價(jià)原子的雜質(zhì)時(shí)，即形成多余的電子。其中，電子流以電子為主來(lái)運(yùn)作。

該第二半導(dǎo)體層 150的摻雜方式可選用于氣體摻雜熱、準(zhǔn)分子激光退火、固相結(jié)晶化、擴(kuò)散法或離子布植法作為主要制程方式。在一實(shí)施例中，該第二半導(dǎo)體層 150選自非晶硅、非晶硅鍺、非晶碳化硅以及納米晶硅之一。

與該第一實(shí)施例相似，在該第二實(shí)施例中，該異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池100更包含：一第一取出電極 160以及一第二取出電極 170。該第一取出電極 160與該第二取出電極 170為了更方便封裝時(shí)，強(qiáng)化封裝的串并聯(lián)的引線(xiàn)與該第一取出電極 160與該第二取出電極 170的接觸強(qiáng)度。在此不再贅述。

本發(fā)明的基板 110所具有的粗糙化表面用以增加入射光的散射率，借由增加入射光的散射率，可增加光補(bǔ)限 (light-traping) 的效率，改良電特性。第一本質(zhì)非晶硅層120、P型半導(dǎo)體層 130、一第二本質(zhì)非晶硅層140、一N型半導(dǎo)體層150亦具有粗糙化表面，其功能與基板 110所具有的粗糙化表面功能相同。

需注意，當(dāng)基板為N型硅基板時(shí)，則照光面為P型半導(dǎo)體層，且N型半導(dǎo)體層與第二本質(zhì)非晶硅層則可形成背向表面電場(chǎng)(Back Surface Field，BSF)的效果。反之，當(dāng)基板為P型硅基板時(shí)，則照光面為N型半導(dǎo)體層 ，且P型半導(dǎo)體層與第一本質(zhì)非晶硅層則可形成背向表面電場(chǎng)的效果。

本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中至少有一制程氣體經(jīng)過(guò)純化步驟，以減少該制程氣體中氧氣含量。制程氣體中氧氣含量過(guò)多將會(huì)在沉積的薄膜結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生過(guò)多氧空缺，造成太陽(yáng)能電池中的載子移動(dòng)率降低，進(jìn)而使發(fā)電效率降低。借由進(jìn)行純化氣體的步驟，該較佳實(shí)施例中成長(zhǎng)的薄膜的氧氣濃度低于5×10¹⁸原子/立方公分。需注意的是，本發(fā)明所揭示的異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池 100，不僅適用于單一單元電池，更可實(shí)施于模塊化的太陽(yáng)能電池制程。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明之異質(zhì)接面太陽(yáng)能電池 100，本發(fā)明以金屬網(wǎng)狀形式的電極層作為電流分散層與電流取出結(jié)構(gòu)，使所制備的太陽(yáng)能電池具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1.由于減少遮蔽面積，可有效增加入射光，以提升光電效能。

2.由于降低片電阻，有效提升其電流特性，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

3.由于不需額外的電極，因此減少了制程步驟，降低制造成本。

以上所述實(shí)施例僅是為充分說(shuō)明本發(fā)明而所舉的較佳的實(shí)施例，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。